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      三星日前宣布开始量产基于30nm制程技术的3-bit MLC(多层单元)闪存芯片,为闪存芯片的发展翻开了新的一页。

      新的3-bit芯片要完全替代传统的2-bit芯片还需要一段时间,但是它们将成为高密度闪存设备的首选,因为储存效率的增加使数据存储容量提高了50%。

      最新的30nm MLC 3-bit芯片将与三星3-bit NAND控制器一起用于闪存模块中,生产用于U盘、手机和照相机的8GB microSD。

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