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    在2021年7月的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔首席执行官Pat Gelsinger发表了演讲,展示了一系列底层技术创新,驱动英特尔到2025年乃至更远未来的新产品开发。近两年英特尔经常提及的便是“四年五个制程节点”的计划,现在称为“5N4Y”,公布的最后一个制程节点是Intel 18A,预计2025年初投产。

    英特尔计划在2024年2月21日举办IFS Direct Connect活动,届时英特尔代工服务(IFS)将公布新的工艺路线图,分享Intel 18A工艺之后的计划。在这次活动上,特邀嘉宾包括有英特尔首席执行官Pat Gelsinger、英特尔代工服务的总经理Stuart Pann、英特尔运营总经理Keyvan Esfarjani、以及英特尔技术开发总经理Ann Kelleher博士。

    如果对Intel 18A工艺之后的技术感兴趣,那么就要留意Ann Kelleher博士的演讲了。暂时还不清楚英特尔之后的半导体计划,不过应该会在现有技术基础上继续创新和发展。英特尔在Intel 18/20A工艺引入了RibbonFET和PowerVia两大突破性技术,被视为2025年赶超台积电的关键。

    RibbonFET是对Gate All Around晶体管的实现,将成为英特尔自2011年推出FinFET以来的首个全新晶体管架构。该技术加快了晶体管开关速度,同时实现与多鳍结构相同的驱动电流,但占用的空间更小。PowerVia是英特尔独有的、业界首个背面电能传输网络,通过消除晶圆正面供电布线需求来优化信号传输。

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