E X P
  • 编辑
  • 评论
  • 标题
  • 链接
  • 查错
  • 图文
  • 拼 命 加 载 中 ...

    三星直到12层垂直堆叠HBM产品,一直都在使用热压缩(TC)键合技术。不过随着HBM堆叠层数的增加,三星可能会选择改进工艺技术,以适应新一代HBM产品的生产需要。三星在之前的一篇采访文章中,再次重申了HBM4正在开发当中,将于2025年首次亮相。

    据The Elec报道,三星计划生产的HBM4里,将分为12层及16层垂直堆叠两种,其中以16层垂直堆叠为主,打算在2026年量产。今年4月初,三星通过子公司Semes的混合键合设备生产了16层垂直堆叠的HBM4样品,且运行正常。三星认为,对于16层垂直堆叠及以上的HBM来说,混合键合技术至关重要。

    随着堆叠层数的增加,需要缩小芯片之间的间隙,以满足JEDEC的规范要求,这非常具有挑战性。传闻JEDEC将12层及16层垂直堆叠的HBM4高度限制在775微米,这意味着三星需要在这高度内放入17块芯片,包括一块基座芯片和16块存储芯片。目前三星使用的是TC NCF技术,需要高温高压将材料固化再熔化,然后进行清洗。按照目前的情况来看,12层垂直堆叠里已经逼近极限,引入混合键合技术可以缩小芯片之间的间隙,满足16层垂直堆叠HBM产品的生产需要。

    与三星不同,SK海力士采用的是MR-RUF技术,将半导体芯片附着在电路上,使用EMC(液态环氧树脂模塑料)填充芯片之间或芯片与凸块之间的间隙。SK海力士计划2026年开始量产16层垂直堆叠的HBM4,目前正在研究采用MR-MUF和混合键合技术,但暂时良品率还不高。SK海力士认为混合键合技术有可能在不超过775微米的情况下,实现20层以上的堆叠。

    ×
    热门文章
    欢迎参与评论,每一条合规评论都是对我们的褒奖。
    登录快速注册 后发表评论
    登录 后发表评论,若无帐号可 快速注册 ,请留意 评论奖罚说明