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    近日,西部数据在投资者活动上介绍了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存,这是目前业界最高密度的闪存芯片,将打造更快、更大、功耗更低的SSD。其采用了218层的BiCS8 FLASH 3D闪存技术,非常地小巧,可以放在指尖上。

    据TomsHardware报道,西部数据分享了BiCS8 2Tb QLC NAND闪存大量比较性能数据,称与竞争对手的闪存产品相比,功耗、存储密度和I/O性能的表现都得到了提升。一个闪存颗粒是由多个NAND闪存芯片堆叠封装而成,这意味着存储厂商使用16个新款闪存芯片堆叠,就能在单个封装中提供4TB。如果能够实现大批量生产,那么足以重新定义大容量SSD的成本。

    西部数据执行副总裁兼闪存业务总经理Robert Soderbery表示,很高兴与大家分享这款芯片,设计的初衷是为了满足数据中心和人工智能(AI)存储的需求,西部数据将很快宣布这款产品,与大家分享世界上容量最大的内存芯片。

    根据西部数据的说法,BiCS8 2Tb QLC NAND闪存的密度比起竞争对手高出15~19%,I/O接口速度比竞争对手快了50%,同时每GB数据所需要的程序能效比竞争对手低了13%。西部数据还介绍了制造方法,采用的是CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,单独制造每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆,然后粘合在一起,有点类似于长江存储的Xtacking架构。

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