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    在2021年7月的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔CEO帕特-基尔辛格(Pat Gelsinger)公布了“四年五个制程节点”的工艺路线图,驱动英特尔到2025年乃至更远的新产品开发。其中第三个制程节点便是Intel 3,凭借FinFET的进一步优化和在更多工序中增加对EUV使用,相比Intel 4在每瓦性能上实现约18%的提升,密度上也有10%的改进。

    据TomsHardware报道,英特尔已确认,Intel 3工艺已经在两个工厂进入大批量生产阶段,包括美国俄勒冈州和爱尔兰的工厂,制造最近推出的至强6系列“Sierra Forest”和“Granite Rapids”处理器,主要面向数据中心产品。

    英特尔还提供了Intel 3工艺的一些新细节,这是其最后一代采用FinFET晶体管技术的半导体工艺,带来了更强的性能和更高的晶体管密度,并支持1.2V的超高性能应用电压。不但针对英特尔自己的产品,也针对代工客户,未来几年会不断发展。

    除了基础版本外,英特尔还提供了Intel-3T、Intel-3E和Intel-3PT三个变体。其中Intel 3T通过TSV支持,可以用作基础芯片;Intel 3-E将为芯片组和存储应用提供功能增强;Intel 3-PT进一步提升了性能,并支持9μm间距TSV和混合键合,可以说是“终极FinFET工艺”。Intel 3还进入了210nm的高密度(HD)库,比起240nm高性能(HP)库的Intel 4工艺在晶体管性能上提供了更多选择。

    此外,英特尔客户可以在三种金属堆栈之间进行选择:14层着重于成本;18层是性能和成本之间的最佳平衡;21层适用于高性能。

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