• 紫光国微:国产DDR4内存开发工作基本完成,产能依然很难保证 ...

    孟宪瑞 发布于2018-12-17 10:39 / 关键字: 紫光国微, DDR4, 内存芯片, 国产内存

    尽管DRAM内存涨价的日子在今年Q4季度结束了,不过经过两年的涨价积累,DDR4内存、LPDDR4移动内存整体价格依然高企,去年国内进口了价值886亿元的存储芯片,今年的进口额预计要过千亿美元了。目前DRAM内存生产主要掌握在三星、SK Hynix及美光三大公司中,国内尚无公司能够生产DRAM内存芯片。早前紫光国微公司提到已具备世界主流水平的DRAM内存设计能力,日前该公司又明确他们的DDR4存储芯片开发工作基本完成,但是下游制造代工情况目前还没有明显改善,产能依然很难保证。

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  • SK Hynix宣布1Ynm 16Gb DDR5内存:5200Mbps,2020年量产

    孟宪瑞 发布于2018-11-16 09:55 / 关键字: SK Hynix, DDR5, 内存芯片

    前不久SK Hynix宣布量产了1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,此举意味着SK Hynix的1Ynm工艺也开始量产了。日前SK Hynix又宣布了1Ynm工艺的DDR5内存,核心容量16Gb,频率5200Mbps,官方这是首个满足JEDEC标准的DDR5内存,性能比DDR4-3200内存高了60%,不过现在宣布DDR5内存芯片只是技术性的,SK Hynix表示DDR5内存在2020年才会量产。

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  • 美国制裁中国内存芯片公司晋华:威胁美国国家安全

    孟宪瑞 发布于2018-10-30 09:01 / 关键字: 美光, 晋华, 美国, 制裁, 内存芯片

    上半年中兴公司被美国重启制裁,公司业务停滞了三个月,在付出10亿美元罚款、4亿美元托管金以及董事会、管理层全面换血等极高代价之后才被解除制裁,导致中兴公司元气大伤。被美国制裁的中国科技公司现在又多了一家——本周一美国商务部以威胁美国国家安全为由宣布制裁中国福建晋华集团,后者是国内少数具备DRAM内存芯片研发、生产的公司之一,美国公司被禁止向后者出售软件、技术及产品。在此之前,晋华集团与美国美光公司发生了专利纠纷,中国地方法院禁售了部分美光产品。

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  • 三星、SK Hynix研发EUV工艺的DRAM芯片,内存成本更低

    孟宪瑞 发布于2018-10-24 09:56 / 关键字: 三星, SK Hynix, EUV, DRAM, 内存芯片

    与台积电在7nm节点抢先完成布局不同,三星在7nm节点要慢了一些,上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产,很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺,没有使用过渡工艺,这要比英特尔、台积电都激进得多。除了逻辑工艺升级到EUV工艺,三星在未来的1Ynm工艺的DRAM内存芯片生产上也在研究EUV工艺,而他们也不是唯一的一家,SK Hynix也被曝研发EUV工艺的DRAM芯片,只有美光在这方面比较保守。

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  • Galaxy S10要上8GB内存了,三星首发LPDDR5芯片:提速50%

    孟宪瑞 发布于2018-07-17 09:26 / 关键字: 三星, LPDDR5, 内存芯片, Galaxy S10, 8GB内存

    如今的智能手机内存容量越来越大,国产旗舰机内存容量是6GB起,高端的则是8GB内存,传闻下半年会有国产手机上10GB内存。除了容量之外,智能手机使用的内存有望升级下一代标准,目前使用的是LPDDR4/4X,下一代则是LPDDR5。三星今天宣布首发量产8Gb LPDDR5颗粒,速率可达6400Mbps,比现有LPDDR4-4266内存快了50%,同时功耗降低30%,三星现在已经完成了8GB LPDDR5内存的测试,看来明年的Galaxy S10上8GB内存是没跑了。

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  • SK Hynix、三星18nm服务器内存爆良率问题,被要求暂停出货

    孟宪瑞 发布于2018-06-21 09:57 / 关键字: 三星, SK Hynix, 20nm, 18nm, DRAM, 内存芯片, 良率

    NAND闪存的价格在涨了两年之后终于下跌了,DRAM内存芯片的涨价还是个问题,除了需求居高不下之外,内存价格降不下来还跟市场格局有关,全球内存供应几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中,其中韩国两家公司就占据3/4的全球份额。目前内存芯片也在经历20nm到18nm工艺的升级过程,三星是进展最快的,不过这两天有消息称三星及SK Hynix的18nm服务器芯片出现了良率问题,已被中国及美国的两家客户要求暂停出货。

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  • 三星对EUV工艺太激进了,2020年使用EUV工艺生产1Ynm DRAM芯片

    孟宪瑞 发布于2018-06-19 18:36 / 关键字: 三星, EUV工艺, DRAM, 内存芯片, 1ynm

    三星前不久宣布7nm LPP EUV工艺已经获得了Synopsys的认证,今年下半年就要量产,这将是全球首个EUV工艺,要比台积电、Globalfoundries等公司激进得多,他们要到明年的第二代7nm工艺才会考虑使用EUV工艺。除了处理器芯片,三星在DRAM内存芯片上也准备使用EUV工艺,预计2020年在1Ynm工艺上正式使用,而美光公司前不久才表示暂时不需要EUV工艺。

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  • SK海力士计划下半年量产8Gb LPDDR4,2016年成为移动设备标配

    Blade 发布于2014-01-02 10:09 / 关键字: SK海力士, LPDDR4, 内存芯片

    早前三星宣布率先推出8Gb LPDDR4内存芯片,不过他显然不是唯一推出LPDDR4芯片的厂商,因为SK海力士也在同一天宣布推出8Gb LPDDR4内存芯片,而且同样宣称自己是全球首家推出8Gb LPDDR4芯片的厂商。

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  • 功耗低点再低点,美光2Gb及4Gb版DDR3Lm内存芯片出炉

    Blade 发布于2012-02-10 15:23 / 关键字: 美光, DDR3Lm, 低功耗, 内存芯片

      虽然美光最近发生了重大的变故,不过这些事情是不会阻止美光前进的脚步的。近日其推出了全新的低功耗DDR3内存解决方案,那就是DDR3Lm内存芯片。目前目光发布的DDR3Lm内存芯片包括有2Gb(256MB)和4Gb(512MB)两种,都采用30nm工艺打造。

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  • 力晶将放弃自有品牌,成为尔必达代工厂商

    Blade 发布于2011-02-01 14:21 / 关键字: 尔必达, 力晶, 内存芯片

      近日,内存芯片制造商尔必达(Elpida)宣布,他们已经和另一内存芯片制造厂商力晶(Powerchip)公司达成协议,前者将购买后者出品的全部DRAM颗粒产品,并以前者的品牌进行销售。

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