在全球NAND闪存市场上，三星份额达到37%，东芝、西数分别在20%、15%左右，其次是美光、SK Hynix，英特尔是六家厂商中份额最少的，不足10%，这也导致英特尔的NAND闪存及SSD硬盘主打企业级市场，消费级SSD就是玩玩，影响力远不如三星、东芝、美光等，根源问题则是英特尔没有独立的NAND闪存产能。

2015年英特尔宣布将在中国大连的Fab 68工厂建设二期工程，主要生产非易失性存储器，也就是NAND闪存，项目总投资不超过55亿美元。如今经过三年的建设，Fab 68二期工厂正式投产，主要生产96层3D NAND闪存，这也意味着英特尔未来的3D NAND闪存产能将会大增。

英特尔公司2006年与大连市政府达成合作协议，2007年起在大连投资25亿美元建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连工厂正式落成。

未来大连Fab 68工厂将成为英特尔最重要的NAND闪存生产基地，70%的3D NAND闪存将产自这里，不过在3D XPoint闪存上，英特尔正在把研发基地移师新墨西哥州奥兰珠市的工厂，预计会增加100多个工作岗位。

目前英特尔与美光的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产，双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

Intel自从1985年退出DRAM内存市场之后就不再自己生产存储芯片了，2006年Intel跟美光成立IMFT合资公司，美光占股51%，Intel占股49%，双方抱团合作生产NAND闪存，多年来双方的工艺已经从74nm升级到了现在的20nm，也推动了整个NAND业界的发展。

但是双方也不是没有分歧，20nm之后双方的选择已经不同了，美光推出了16nm的NAND闪存，但Intel跳过了16nm直接杀向3D NAND闪存，但是这也导致了Intel的闪存短缺，某些产品上不得不使用其他厂商的闪存，比如之前我们报道过的Pro 2500固态硬盘。

在Intel与美光联合宣布3D NAND闪存的消息中，Intel提到保留生产3D NAND闪存的权利，再联系现在的情况，这不得不让人猜测Intel、美光在2017年之后是否还会继续扩展IMFT的合作关系。

对于Intel投资大连的消息，Tomshardware网站针对此举对Intel及美光的影响做了分析，该文对IMFT的前景比较悲观，认为Intel自己建厂生产3D NAND闪存之后IMFT公司的未来堪忧。当然，Intel官方表示他们与美光的合作关系还会继续。

大连工厂编号Fab 68，宣布投资时90nm工艺还不算落后，其后还升级过一次工艺，但是到现在来看大连工厂的制程工艺已经远远落后了（即便主要封装芯片组等不太依赖工艺的产品），而美帝对中国的半导体制造一直有技术封锁，先进的技术不可能带到国内来。

本周二Intel公司宣布将对大连工厂投资最多55亿美元，该工厂将从封装测试转向NAND闪存生产，该策略预计在未来三到五年内为Intel节省35亿美元的成本。

Intel没有提及大连工厂最终会生产什么闪存，不过这次转变不是一蹴而就的，肯定需要花费两三年时间，而Intel、美光联合研发的3D XPoint闪存预计会在2016年才开始进入量产阶段，Intel这个时候宣布大连工厂转产NAND闪存，意味着大连工厂量产时很可能直接杀向3D XPoint闪存。

值得一提的是，Intel闪存的最大对手三星前两年已经在中国西安投资70亿美元建造了最先进的NAND工厂，明年就会大规模量产，未来将是三星最重要的V-NAND闪存基地之一，现在Intel也到中国来生产NAND闪存了。

更不能忽视的是中国半导体业，国内专向支持半导体的大基金最近从原定的1200亿增加到了近1400亿，其中的6成会投向半导体制造，4成投资IC芯片设计。未卜先知的紫光公司这两年来大肆收购半导体公司，去年主要收购了展讯、瑞迪科这样的IC设计工艺，今年主要是存储芯片，之前还有传闻要230亿美元吞下美光，但这个收购不可能完成，紫光最终38亿美元收购了西数公司15%的股份。