• 投资130亿元,国产公司发力PCM相变存储,2021推3D XPoint芯片

    孟宪瑞 发布于2018-12-05 11:55 / 关键字: 时代芯存, PCM, 相变存储, 3D XPoint

    作为当前最尖端的高科技之一,半导体芯片这几年在国内很热门,不仅在媒体报道上刷屏,而且国内最近几年上马了不少半导体项目,几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中,存储芯片是国内优先发展的,毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华,但在NAND/DRAM内存之外,还有一个项目值得注意,那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目,总投资高达130亿元,一期投资43亿元,在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了,号称年产10万片12英寸PCM晶圆,销售额高达20亿美元。

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  • HGST展示PCM相变技术SSD:300万IOPS,延迟低至1.5微秒

    bolvar 发布于2014-08-09 11:28 / 关键字: HGST, PCM, 相变存储, SSD, 300万IOPS

    在前几天的FMS全球闪存会议上,HGST除了发布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0接口的FlashMAX III硬盘之外,还宣布了世界上最快的SSD,使用的虽然是PCI-E 2.0 x4接口,但是随机IOPS性能高达300万IOPS,而延迟更是低至1.5微秒,已经远远超过了普通的NAND闪存的SSD性能,因为HGST这次使用的是45nm工艺的PCM相变闪存。

    HGST展示的PCM相变

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  • 更高速更长命,SK海力士与IBM联手打造PCRAM

    Blade 发布于2012-06-13 14:36 / 关键字: IBM, SK海力士, 相变存储, PCRAM

      近日SK海力士和IBM共同宣布,他们已经签署了相关协议,日后将联手开发相变随机存储器,并有SK海力士进行对应产品的生产和销售。

      相变随机存储器即Phase Change Random Access Memory(以下简称PCRAM),是一种通过相位变化存储数据的RAM芯片,其同时拥有NAND和DRAM芯片的优点,读写速度是NAND芯片的100倍,寿命更是NAND芯片的1000倍,而且在断电的情况下也不会丢失数据,功耗则与普通DRAM芯片相仿,是未来比较理想的数据存储芯片。在去年6月底,IBM曾经宣布他们在多位相变存储上获得了重大突破。

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