韩国Businesskorea网站报道称，长江存储公司CTO程卫华在接受日本媒体日经新闻亚洲版采访时表示“我们已经制定了大规模量产的计划。”，目前在中国政府的支持下，长江存储在武汉建造了价值240亿美元的半导体工厂，日经报道称该工厂将量产64层堆栈3D NAND闪存。

在采访中，CTO程卫华表示“长江存储公司的计划进展顺利，没有任何障碍。”他并没有正式宣布今年量产64层堆栈的3D NAND闪存，但专家分析称一旦该公司的量产计划实现，他们今年就能够推出64层堆栈的3D NAND闪存。

目前三星、SK Hynix正在使用90层堆栈的3D NAND闪存，去年完成开发之后，SK Hynix今年开始大规模生产96层堆栈3D NAND闪存，三星则计划在今年下半年推100层堆栈的NAND闪存。如果长江存储今年能够量产64层堆栈的3D NAND闪存，那么他们与三星等公司技术差距就可以缩小到2年左右。

最重要的是，人们担心一旦长江存储进入NAND闪存领域所带来的的影响，因为NAND闪存降价会比预期更多。

一些专家依然怀疑长江存储今年是否能够量产64层堆栈3D NAND闪存，因为这家中国半导体制造商还没办法量产32层堆栈的NAND闪存。

但总体而言，与DRAM领域不同，长江存储在NAND领域似乎取得了进展。如果今年下半年量产64层堆栈的NAND闪存，中国政府可能要求中国智能手机及PC制造商采用国产NAND闪存。如果发生这种情况，将严重影响NAND业务的盈利能力，这也是三星、东芝、美光、SK Hynix及其他NAND厂商担心的问题。

对于QLC闪存，大家普遍关心的问题其实就两个，一个是价格，一个就是可靠性，英特尔发布的首款消费级QLC硬盘660P的512GB版只要100美元，1TB版也只要200美元，折合每GB价格才1.3元，是目前最便宜的M.2 SSD，这就是QLC颗粒的最大优势，通过提升密度来降低成本，毕竟现在首发的QLC闪存核心容量就达到了1024Gb，是TLC闪存的2-4倍。

Anandtech网站制作的660P硬盘规格表

可靠性方面，根据Intel官方给出的是0.1DWPD，按照Intel自己的PE计算方式：0.1×365×5=182.5，再考虑写入放大的因子2~5，那么最终PE将会在365~912.5之间，也符合之前说QLC颗粒PE次数在1000左右的说法，200TB应该是Intel比较保守的数值。

英特尔的660P硬盘的性能也没什么挑剔的，读写1800MB/s，随机读写220K IOPS，不算多高，但也不算低，在低价M.2硬盘中纸面性能是说得过去的。

从现在的情况来看，首款上市的消费级QLC硬盘不论性能、可靠性还是售价都比当初三星首发TLC闪存的硬盘时好很多，至少没多少明显的槽点。

不过在厂商这边，QLC闪存的问题还没有解决，Tweaktown表示他们得到的消息称英特尔64层堆栈的QLC闪存良率并不好，目前只有48%，不到一半的晶圆核心可以用于制造SSD硬盘，一半多的核心都要废掉，相比之下64层TLC闪存的良率可达90%以上。

这也意味着消费者买到的QLC闪存硬盘虽然比TLC闪存硬盘更便宜，但在厂商这边QLC闪存现在的成本是比TLC闪存还要高的。

正常情况下随着时间的推移，闪存芯片的良率是会逐步解决的，但Tweaktown表示64层堆栈的QLC闪存这一代可能永远不会好转了，因为96层堆栈的QLC闪存更为重要，所以工程资源会从64层QLC闪存这边转移到更有利可图的96层堆栈QLC闪存。

目前QLC闪存的制造成本比TLC闪存更高，虽然英特尔推出了QLC闪存的660P硬盘，但是不代表QLC闪存已经准备好取代TLC闪存。