2017年中国进口了896亿美元的存储芯片，几乎100%依赖进口，因此存储芯片也是目前国内优先发展的半导体产业。国内目前有三大存储芯片基地，紫光主导的长江存储以武汉为基地，主要生产3D NAND闪存，预计明年正式投产32层堆栈的64Gb闪存，选择DRAM内存芯片作为重点的有两大阵营，福建晋华集团联合台联电在晋江建设DRAM晶圆厂，此前与美光发生专利纠纷导致美光芯片被福州法院禁售的就是与联电、晋江投资集团有关。

另一个DRAM基地是合肥长鑫，这个项目最初报道说是跟前日本尔必达董事长成立的公司合作，不过后者现在几乎淡出，合肥长鑫现在的合作方是兆易创新，去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

来自半导体行业观察的爆料称，合肥兆鑫已经正式投片，生产的规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑。

此外，合肥兆鑫CEO王宁国今年四月在出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”上表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

从这次投产的时间来看，兆易创新/合肥长鑫的内存研发、生产正在按部就班进行，推出8Gb LPDDR4只是计划中的进度而已，不过从技术突破来看这应该是国内公司首次投产LPDDR4内存，此前紫光国芯计划提供的也只是DDR4颗粒。

不过话说回来，不论是DDR4还是LPDDR 4颗粒，国内公司投片生产虽然可喜可贺，但是从试产到大规模上市再到形成竞争力依然有很长的路要走，明年底的产能也不过2万片晶圆/月，即便不考虑明年国际主流是LPDDR4的技术差距问题，2万片晶圆/月的产能对全球每月上百万片晶圆的产能来说依然不会有什么重大影响。

SK Hynix的8GB LPDDR4内存是由4颗16Gb（2GB）内存颗粒整合封装而成的，尺寸大小为15*15mm，采用FPGA封装，有366 ball和376 ball两种规格。

其中前者366 ball可以与SoC、UFS闪存堆叠整合封装成一个芯片，减少占用手机PCB寸土寸金的面积，类似于苹果iPhone手机上一贯做法。

两者传输速率是3733MT/S，换算成频率就是1866MHz，作为对比，三星家的8GB LPDDR4性能更为优越些，4266MT/S(2133MHz)。

数据来源anandtech

目前366ball规格的已经面向厂商供货，能使用更低电压的376ball则需要等到明年第一季度才开始供应。

看来假以时日，我们很快就能看到搭载了8GB内存的手机了，6GB可能已经满足不了人们日益增长的应用需求，尤其是将来的4K显示、VR应用上。