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月底量产,三星宣布30nm工艺8Gb OneNAND
Tim 发布于2010-05-06 18:06 / 关键字: samsung, 8Gb OneNAND
三星电子宣布,已成功用30nm工艺制造出8Gb容量的OneNAND闪存芯片,目标是大容量存储设备和高端智能手机。
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三星电子宣布,已成功用30nm工艺制造出8Gb容量的OneNAND闪存芯片,目标是大容量存储设备和高端智能手机。
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