其实早在5月底尔必达就已经开发完成25nm制造工艺，用这个工艺制造出来内存颗粒，在同样容量下体积是最小的，而且运行功耗比30nm的产品降低15%，待机功耗降低20%。这款内存颗粒的工作电压是1.5V，不过也有1.35V的低电压版。

　　25nm制程DDR3 SDRAM内存芯片容量为2Gb，工作电压1.5V，规格为DDR3-1866，同时亦可在1.35V的电压下支持DDR3L-1600的工作模式。据尔必达称，比起当前30nm的产品，新制程的采用让DDR3 SDRAM内存芯片的储存单位面积下降了30%，工作电流和待机电流分别下降了15%和20%，同时产量上亦有30%的提升。

　　另外，尔必达还表示将于年底开启25nm 4Gb DDR3 SDRAM内存芯片的量产，相比于现有的30nm 4Gb产品，新制程产品的产能将获得44%的提升，而且他们还会将25nm制程应用在移动设备内存芯片当中。

　　尔必达官方网站

　　相比40nm制程工艺的同类产品，它从同样的晶圆中所取得的芯片数量增加45%，可大大降低生产成本，增强芯片产品的竞争力；与40nm工艺的1.35V同类产品相比，功耗减少30%，更加节能环保。

　　性能方面，该DDR3 SDRAM在1.35V的低压下支持1600MHz的工作频率，预计在2011年将成为主流内存速率标准。它可实现工作频率为DDR3-1333的四通道内存模组，预计对内存性能的提升有很大的帮助。

　　关于尔必达2Gb DDR3 SDRAM的详细资料，可进入尔必达官网查阅。

　　尔必达计划在2011年深化与现有茂德科技（ProMOS Technologies）的合作关系，扩大双方的合作。并与其它台湾厂商合作于2012年在中国兴建生产厂房。2010年期间，日本的芯片厂商一直专注于提供资料和技术资源以支持其合资公司瑞晶（Rexchip）电子公司的运作。

　　尔必达总裁坂本幸雄称：“公司正考虑购买小型存储公司20-30%的股权，或收购它们。”就目前情况看来，力晶（Powerchip）、茂德（ProMOs）和华邦（Windbond）等小型内存厂商很可能会成为尔必达的收购对象。

　　目前力晶和华邦均与尔必达签订了代工合同，而尔必达手中也把握着瑞晶64%的股权。预计尔必达将有可能向日本政府申请资助，以收购茂德更多的股权；但对4Xnm芯片的生产技术许可的收购，估计还需要更多的资金才能解决。

　　消息还称，尔必达的最终目标是与台湾的战略合作伙伴一起在中国苏州建立一个12英寸晶圆工厂。预计日本的芯片厂商将利用台湾的人才和和经验，在中国运行一个晶圆工厂，并尝试从苏州政府那里寻求投资奖励。

尔必达公司总裁坂本幸雄

消息来源：[digitimes]

　　消息来源：[tcmagazine]

颗粒规格

　　该颗粒主要应用于手持移动设备，主要包括智能手机和平板电脑，颗粒的优势是能够节省空间和大幅降低功耗。40nm颗粒功耗跟50nm相比，能够下降30%，一颗40nm 2Gb颗粒的功耗比两颗1Gb颗粒的一半还少；而在不改变封装空间的前提下，40nm颗粒的容量密度可达50nm的两倍。

　　目前，用于智能手机和其它移动设备的2Gb芯片颗粒，市场需求量非常大，并且仍然在快速增长中，尔必达将在六月提供样品，预计在7月份实现量产。

　　官方新闻页面

　　尔必达（Elpida）公司的4GB内存芯片工作频率达1600MHz，工作电压为1.35-1.5V，功耗方面比同为40nm的两条2GB内存减少30%。该内存还可以组建32GB容量的服务器内存模组，而且适用于8GB内存模组的台式机和移动PC。

　　尔必达（Elpida）将于本季度完成40nm 4Gb内存样品，并将于第三季度开始对该内存进行全面生产。

　　消息来源：[tcmagazine]

　　与之前的50nm内存颗粒相比，新的2Gb DDR3颗粒将每个晶圆的产量提高了44%，1.6Gbps数据传输率下的良品率达到了100%。除了标准的1.5V电压之外，该款DDR3颗粒还支持1.2V和1.35V电压，功耗仅为之前的一半。

　　根据内存市场的实际情况，尔必达有可能会将40nm技术交给其合作厂商华邦和茂德来代工，以增加尔必达的总体产能。

　　65nm XS 1Gb DDR3内存颗粒将于2010年第一季度进入量产，主要用于PC和服务器领域。

　　尔必达推出的首款显存颗粒为1Gb GDDR5显存，产品名为"EDW1032BABG"，数据传输速度可达到6Gbps。

　　据尔必达表示，该GDDR5显存颗粒将会在12月开始试样，而预计到明年第二季度即可达到量产，届时我们即可在采用GDDR5显存的主流显卡上看到尔必达显存颗粒。

　　40nm 2Gb DDR3内存芯片可支持1.2V、1.35V和1.5V电压，功耗比过去下降45%左右。

　　尔必达表示，如果未来的DRAM内存市场条件允许的话，他们有可能将40nm制程内存的产量提升至总产量的50%。

　　尔必达40nm 2Gb DDR3内存芯片将于今年11月进入送样阶段，年底前有望实现量产。

　　昨日我们已经报道过奇梦达已经公开拍卖工厂，尔必达将会在德国慕尼黑的工厂发展显存业务，原奇梦达的显存开发团队亦会加盟尔必达。

　　目前只有韩国三星电子及海力士生产GDDR3/GDDR4/GDDR5显存颗粒，而奇梦达的GDDR3和GDDR5内存颗粒已经在今年春季停产了。尔必达在接手奇梦达显存部门后将会在明年上半年正式推出1Gbit的GDDR3及GDDR5显存颗粒进军显存市场，而在明年下半年将进而生产2Gbit的GDDR5显存。

　　日前有消息称，日本政府将会投入300亿日元的资金给予救助，日本发展银行（Development Bank of Japan, DBJ）亦将会向尔必达提供100亿日元贷款，而另一家国有金融机构日本国际合作银行（Japan Bank for International Cooperation）也会提供200~300亿日元的贷款。

　　此外，据Nikkei Daily报道，日本三家银行组成的大财团也将会向尔必达放出高达1000亿日元的贷款；而且另有一家基金公司也在考虑向尔必达支助100亿日元资金。

　　在各方救助下，Elpida将获得约2000亿日元的救助金额，总值约合21亿美元。

消息来源：[AFP]

　　根据iSuppli市场跟踪机构的调查分析，Elpida在上一季度所占的全球DRAM市场份额为15.5%，位居第三位，而居于首位和次位的则是两大韩系DRAM厂商——Samsung和Hynix，占有率分别达到30%和20.8%。预计Elpida成功整合之后，其全球DRAM市场占有率将会一举上升到19.3%甚至更多，将会与Hynix争夺第二名。

　　另外，整合之后的Elpida将有资格获得台湾政府对当地DRAM厂商提供的救济款项。

消息来源：[Xbitlabs]