群联称将推出企业级SSD控制器支持Everspin的STT-MRAM芯片，以作为写入缓冲器，实现更高效的I/O管理。将缓存换为STT-MRAM可以提升SSD的I/O性能，使SSD制造商能够更好地管理I/O流，从而实现更好地延迟确定性，提高QoS。同时STT-MRAM是具有非易失性的，所以可以在不适用超级电容器的情况下实现断电保护，而且这也会简化SSD的电路结构，并通过更多的3D NAND闪存封装提升SSD的容量，最终达到提升SSD性能及可靠性的目的。

现款群联PS5016-E16主控及SSD

在不久前Everspin宣布开始生产容量为1Gb的STT-MRAM存储器，相对于此前同类产品的容量有了明显提升，而且由于采用了标准8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC标准的BGA封装，所以适用性也有了很大的提升。

虽然这些芯片作为SSD中的存储芯片容量依旧不够，但作为缓存芯片则拥有很多的优势。此次群联与Everspin合作，并为企业级SSD控制器带来原生STT-MRAM存储器提供原生支持，可以使得MRAM芯片向更广的应用范围推广，而且随着使用量的提高，成本也会逐渐降低。

Everspin宣布已完成1Gb的STT-MRAM（自旋扭矩传递磁阻随机存储器）的研发工作，将进入试生产阶段，采用28nm工艺制造。在去年Everspin就已经批量生产了256Mb的STT-MRAM存储芯片，让企业基础设施及数据中心增强其可靠性及性能。此次试生产的1Gb容量产品大幅提升了这类产品的容量的同时，也提供了更有效的I/O流管理、提高了其延迟确定性并允许存储OEM提供商为他们的产品显著提升服务质量。而采用1Gb容量的STT-MRAM存储设备作为存储和结构加速器、计算存储及其他应用的持久数据缓冲器，也可以实现类似的优势。

此次Everspin推出的1Gb STT-MRAM存储器使用了8bit及16bit的DDR4接口，兼容JEDEC标准的BGA封装方式，更增强了其适用性。

Everspin公司可能并不为读者所了解，这家公司在2008年从飞思卡尔半导体剥离，专注于研发MRAM磁阻随机存储器，其研发人员此前一直都在研发MRAM。

本次Everspin将STT-MRAM的容量提升至1Gb是这类产品的一个里程碑，但这个容量依旧不是很大，即使MRAM具有非易失性存储器的持久性，而且其随机性能很强，但是作为SSD等产品容量依旧不够，所以嵌入式设备更适合搭载MRAM存储芯片。随着今年开始越来越多的公司开始批量生产MRAM存储芯片，未来我们会更快见到MRAM产品的推出。

　　显然，价格是致命伤，这样的情况下要取代SSD肯定不现实，现时这种存储器也只是属于传统硬盘和固态硬盘以外的补充性存储手段。不过当初SSD出现时价格也是贵得令人咋舌，高达数千美金，而现在已经降到120GB容量售价100美元以下，所以ST-MRAM的50倍价格也有可能在未来得到大幅下降。

　　除了价格，供电也是一个缺点。现时SSD上64GB NAND闪存约需80毫瓦电量，而ST-MRAM每GB需要400毫瓦，绝对是电老虎。在这种技术成为主流之前肯定还有很多地方需要改进，不过能有如此强劲的神物诞生足以令不少人觉得兴奋了。