而根据以上信息，不难算出未来SK海力士GDDR7的显存规格：

预览var tableid = settableid(); document.write(''); Table().init({ title: "SK海力士GDDR7显存规格", header: ["显存位宽", "传输速度", "最大显存", "最大带宽"], width: '92%', columnWidth: 'AVG', //表格单元宽度，"MAX"最大内容显示，""AVG"平均，"AUTO"自动，指定[15,16,20] id: tableid, data: [ ["512bit", "40Gbps", "48GB", "2560GB/s"], ["384bit", "40Gbps", "36GB", "1920GB/s"], ["256bit", "40Gbps", "24GB", "1280GB/s"], ["192bit", "40Gbps", "18GB", "960.0GB/s"], ["128bit", "40Gbps", "12GB", "640.0GB/s"] ] });除了上述信息外，SK海力士并没有披露更详细的信息，像运行电压、功耗、显存热阻等信息都未知，只是笼统地介绍了GDDR7的一些标准特性。不过这次展示出来的显存传输速度比早些时候披露的35.4Gbps快上不少，甚至比三星最快的37Gbps GDDR7显存还要快3Gpbs，这很有可能会打击三星在新显卡供应链上的地位。

除了GDDR7显存以外，SK海力士还展出了服务于移动端的LPDDR5T内存和DDR5 MCR DIMM服务器内存，后者单条容量可达64GB，传输速度8800Mbps，运行电压为1.1V。

目前来看NVIDIA下一代RTX 50系显卡极大概率会采用GDDR7显存，而三星则会成为新显存的重要供应商之一，hardwareluxx在GTC会场上拍到了三星所展示的GDDR7显存。GDDR7显存的频率将从28~32Gbps起跳，未来计划会有速度更快的37Gbps版本，但从目前泄露的RTX 50系显卡信息来看，新显卡可能无法充分发挥GDDR7的速度，因为显卡的显存频率被设置在28Gbps。

三星现场所展示的GDDR7显存速度是32Gbps，和目前最快的GDDR6X相比带宽提升了33%，而GDDR7的额定电压是1.1V，这点与GDDR6是一样的，而GDDR6X则需要1.35V，这意味着更高的能耗比，此外三星表示新的显存热阻降低了70%，这能降低运行时所产生的热量，散热会比GDDR6X更容易。

虽然关于下一代GeForce显卡的传闻有许多，但发布时间还是不确定的，NVIDIA可能会在今年某个时间发布RTX 50系列显卡，届时我们才能看到新一代GDDR7显存具体的表现。

近日有网友表示，首批支持GDDR7的GPU使用16Gb（2GB）模块，这是JEDEC发布的GDDR7标准里最低的容量。

上一代GeForce RTX 30系列最初采用的是8Gb（1GB）模块，到了RTX 3090 Ti才引入16Gb模块，这也是现有GeForce RTX 40系列产品的GDDR6X标准，确保了位宽在384-bit、256-bit、192-bit和128-bit时能分别提供24GB、16GB、12GB和8GB显存。

不过英伟达可能在部分产品上非JEDEC标准的GDDR7，而是选择一家DRAM厂商共同设计一个拥有适合其图形架构内存总线信号和电源管理技术的独家标准。之前在GDDR6X上，英伟达就选择了美光。到了GDDR7时代，或许英伟达会延续与美光之间的合作。

根据美光之前公布的产品路线图，GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。这意味不排除首批支持GDDR7显卡里也会有采用24Gb（3GB）模块的产品，那么可以看到显卡在256-bit、192-bit和128-bit位宽下分别提供24GB、18GB和12GB显存。

如果GPU厂商希望通过缩减位宽降低制造成本，那么可以选择24Gb模块弥补显存容量的不足。

JES239 GDDR7是首款使用脉冲幅度调制(PAM)接口进行高频操作的JEDEC标准DRAM，采用了PAM3信号编码机制。相比NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输和PAM4每周期提供2位的数据传输，PAM3每两个周期的数据传输提升至3位，能效得到较为显著的提升。

此外，JES239 GDDR7还拥有以下高级功能特性：

具备支持眼图掩蔽和误差计数器的核心独立LFSR(线性反馈移位寄存器)训练模式，可提高训练准确性，同时减少训练时间。

独立通道数量翻倍，从GDDR6的2个增加至4个。

支持16 Gbit至32 Gbit的存储容量以及双通道模式，可使系统容量翻倍。

通过整合最新的数据完整性功能来满足市场对RAS(可靠性，可用性，可服务性)的需求，包括带实时报告的芯片上ECC (ODECC)、数据中毒、错误检查和清理以及带命令阻塞的命令地址奇偶校验(CAPARBLK)。

JEDEC董事会主席Mian Quddus表示:“JESD239 GDDR7标志着高速存储器设计的重大进步。随着向PAM3信号的转变，存储器行业有了一条扩展GDDR设备性能的新途径，有效推动图形和各种高性能应用的持续发展。”

包括美光、三星、海力士在内的多家存储厂商都对JEDEC发布的JES239 GDDR7标准表示支持，并积极推动GDDR7显存的发展计划。其中，早在去年7月，三星就宣布已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，并承诺GDDR7在能效方面相比GDDR6会有20%的提升。首款16Gb GDDR7芯片在位宽为384位的情况下，提供了高达1.536 TB/s的带宽，远远超过了目前GeForce RTX 4090的1.008 TB/s。

SK海力士将会成为继三星之后第二家展示GDDR7显存芯片的公司，它们家产品的速度是35.4Gbps，比三星的慢，不过存储密度是相同的，都是单颗16Gbit。与三星的一样，SK海力士的GDDR7同样采用PAM3信号编码机制，拥有专门的低功耗设计，不知道它是否类似三星的四种低时钟状态。

GDDR7是给下一代游戏显卡所准备的，而AI HPC领域则需要HBM3E，海力士会在会议上展示他们最新的16层堆栈48GB HBM3E芯片，新的设计理论上能让单颗芯片速度达到1280GB/s，采用四颗HBM3E就能达到192GB容量和5.12TB/s的超高带宽。新的HBM3E采用全新的全功能TSV(硅通孔)设计和6相读书节队列选通方案，以实现硅通孔面积优化。

最后SK海力士还为移动设备带来了LPDDR5T内存，频率高达10533MHz，内存电压1.05V，如此高的数据速度得益于独家的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，新的高频LPDDR5T内存能为智能手机、平板电脑和轻薄笔记本提供更好的性能。

与现有GDDR6使用的NRZ/PAM2或GDDT6X的PAM4信号编码机制不同，GDDR7采用的是PAM3信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。由于GDDR7使用的PAM3信号编码机制更加复杂，控制器需要更强大的功能，消耗不一定比GDDR6少。

为此三星引入了具有高导热性的环氧模塑化合物（EMC），让GDDR7封装的热阻降低了70%，以确保有源组件不会过热，在高速运转时仍有稳定表现。三星在去年末表示，在过去的一年里不断改善GDDR7的动态功耗，且通过额外的时钟控制，已经将待机功耗降低至GDDR6的一半水平。

英伟达的GeForce游戏显卡使用的GDDR主要由美光提供，而三星希望先利用HBM切入，然后在下一代GDDR产品上成为供应商。三星在上个月宣布已完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps，承诺在能效方面相比GDDR6会有20%的提升，为此还引入了几项新的技术。据了解，三星已经向英伟达提供了样品，用于验证下一代系统。虽然SK海力士没有明确其GDDR7的时间表，不过有消息称，会在年内完成开发工作。

相比之下，美光的GDDR7要慢一些。今年6月在2023财年第三财季的财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra已确认，美光会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，时间大概是明年的上半年。从时间上来看，美光要落后于三星和SK海力士，因此英伟达可能会优先考虑两家韩国存储器巨头的GDDR7产品。

由于GDDR7使用的PAM3信号编码机制更加复杂，控制器需要更强大的功能，消耗不一定比GDDR6少。为此三星引入了具有高导热性的环氧模塑化合物（EMC），让GDDR7封装的热阻降低了70%，以确保有源组件不会过热，在高速运转时仍有稳定表现。

三星没有透露什么时候开始量产GDDR7，也没有说明采用的是哪一种工艺技术。传闻AMD下一代基于RDNA 4架构的Radeon RX 8000系列会支持GDDR7，这意味着最快也要等到明年。三星表示，GDDR7也能用于笔记本电脑等设备，可提供低工作电压选项，不过没有透露会有怎么样的性能。

今年内GDDR7将首先安装在三星主要客户的下一代系统中进行验证，预计未来的人工智能、高性能计算和汽车应用也将用到GDDR7。

近日，美光公布了2023财年第三财季财报，在财报电话会议上，美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra确认美光明年会选择在1ß节点上推出新款GDDR7产品，不过没有分享其中的细节，比如GDDR7的具体速率。

在图形方面，行业分析师继续预计图形的TAM复合年增长率（CAGR）将超过更广泛的市场，这得益于客户和数据中心应用的支持。我们预计客户的库存将在第三季度恢复正常。我们计划在2024年上半年在我们行业领先的1ß节点上推出我们的下一代GDDR7产品。

目前市场上销售的产品里，GDDR6最高的速率为20 Gbps（Radeon RX 7900系列），美光为英伟达GeForce RTX 40系列提供的GDDR6X最高达到22.4 Gbps（RTX 4080）。去年三星曾表示，计划推出速率达36 Gbps的GDDR7产品，不过没有提及具体的时间表。如果按照显存位宽为384位计算，36 Gbps的GDDR7可以为显卡提供1.7 TB/s的最大理论显存带宽，比现在的旗舰产品RTX 4090高出70%左右。

现有的GDDR6使用了NRZ/PAM2信号编码机制，速率从14 Gbps起步，而英伟达和美光合作共同开发的GDDR6X使用了PAM4信号编码机制。NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。

NRZ/PAM2每周期提供1位的数据传输，PAM4每周期提供2位的数据传输，而PAM3每两个周期的数据传输为3位。三星称，GDDR7的效率提高了25%，能效也提高了25%。除了应用于GDDR7，PAM3也用于即将推出的Thunderbolt 4和USB4 v2.0规范，实现了最高80 Gbps（10GB/s）的数据传输速率。

就如GDDR6对比GDDR5，GDDR7相比GDDR6的速率翻倍，在256位总线和36 Gbps速率下，GDDR7的带宽将达到1152 GB/s，128位和384位总线在相同速率下，带宽分别为576 GB/s和1728 GB/s。这意味着未来的GPU若支持GDDR7，可以轻松突破1 TB/s的大关。

Computerbase已经从三星那里获得了新一代内存的各种信息，目前DDR5还处于生命周期的初期，频率普遍不是很高，不过随着时间的推移频率是会慢慢上去的，三星认为在不久的将来DDR5的频率就会提升到JEDEC标准的6400Mbps，而超频条的频率可达到8400Mbps，其实现在就已经有厂商把DDR5内存的频率提升到7000Mbps了。

而下一代的DDR6已经在早期开发阶段，未来用于取代DDR5，当然预计至少在2025到2026年后才会推出，DDR4内存至少用了6年，而DDR5到DDR6估计也会差不多的时间。

三星认为未来的DDR6内存的JEDEC标准会达到12800Mbps，而超频条的频率可能会到17000Mbps，甚至可能会突破20000Mbps，目前DDR6的标准各家目前还在一同讨论中，预计在2024年完成。每个模组DDR6内存的通道数和现在的DDR5相比再次翻倍，变成16bit*4，bank数量增加到最多64个。

显存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+计划，用于取代现有的GDDR6，三星计划在本月采用1znm开始试产GDDR6+，它的频率能到24Gbps，并会成为下一代GPU的配置，如果真能达到此频率的话拥有320/352/384bit显存位宽的显卡显存带宽就能超过1TB/s，而256bit的GPU的带宽也能到768GB/s。

至于新一代的GDDR7显存，预计可提供高达32Gbps的传输速度，并且会支持实时错误保护技术，但三星并没有对其进行详细说明。而HBM3内存，三星计划会在2022年第二季度开始投产，并表示速度会是800GB/s，将会用在未来的HPC和数据中心GPU/CPU系统中。