SK海力士将会成为继三星之后第二家展示GDDR7显存芯片的公司，它们家产品的速度是35.4Gbps，比三星的慢，不过存储密度是相同的，都是单颗16Gbit。与三星的一样，SK海力士的GDDR7同样采用PAM3信号编码机制，拥有专门的低功耗设计，不知道它是否类似三星的四种低时钟状态。

GDDR7是给下一代游戏显卡所准备的，而AI HPC领域则需要HBM3E，海力士会在会议上展示他们最新的16层堆栈48GB HBM3E芯片，新的设计理论上能让单颗芯片速度达到1280GB/s，采用四颗HBM3E就能达到192GB容量和5.12TB/s的超高带宽。新的HBM3E采用全新的全功能TSV(硅通孔)设计和6相读书节队列选通方案，以实现硅通孔面积优化。

最后SK海力士还为移动设备带来了LPDDR5T内存，频率高达10533MHz，内存电压1.05V，如此高的数据速度得益于独家的寄生电容降低技术和电压偏移校准接收器技术，新的高频LPDDR5T内存能为智能手机、平板电脑和轻薄笔记本提供更好的性能。

LPDDR5T的16GB容量套装产品可在国际半导体标准化组织（JEDEC）规定的最低电压1.01至1.12V标准范围下运行，同时集成了HKMG工艺，并采用了1αnm工艺制造，以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存，LPDDR5T的速度提高了13%。其数据处理速度为77GB/s，相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级别的电影。

自今年1月推出LPDDR5T以来，SK海力士就开始与全球各地的移动应用处理器（AP）制造商展开性能及兼容性的验证工作，以便让LPDDR5T在不同平台都能发挥出最好的性能，推进商业化进程。SK海力士在今年8月和10月，分别在联发科天玑9300和高通第三代骁龙8移动平台上完成了性能及兼容性的验证。近期SK海力士正式向vivo交付了16GB容量套装的LPDDR5T产品，用于X100和X100 Pro最新款智能手机。

SK海力士表示，LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR），未来将继续开发高性能DRAM，将端侧AI技术引入智能手机。

SK海力士表示，自今年1月推出LPDDR5T以来，SK海力士就与高通展开了兼容性的验证工作，让LPDDR5T和第三代骁龙8平台都能发挥出最好的性能。随着验证工作的完成，今后移动设备中LPDDR5T的布局将迅速扩大。SK海力士计划提供容量为16GB的套装产品，数据处理速度为77GB/s，相当于1秒内可处理15部全高清（Full-HD，FHD）级别的电影。

LPDDR5T兼具了高速度和低功耗的特性，在JEDEC设定的1.01V至1.12V超低电压范围内运行，同样集成了HKMG工艺，并采用了1αnm工艺制造，以实现最佳的性能。相比于之前的LPDDR5X内存，LPDDR5T的速度提高了13%。为了强调其高速特性，所以命名的时候在规格名称最后加上了“T”作为后缀。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

根据SK海力士说法，早在今年2月份，就已经将LPDDR5T的样品提供给了联发科进行测试。从描述的内容来看，很可能是天玑9300移动平台，预计会在今年年内发布。此前SK海力士曾透露，计划向客户提供容量为16GB的LPDDR5T样品，数据处理速度为77GB/s。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。

SK海力士计划近期向客户提供LPDDR5T内存样板，为16GB容量的封装，数据处理速度为77GB/s，最终在下半年推进产品的量产。在SK海力士看来，在推出8.5 Gbps的LPDDR5内存后，仅相隔两个月就再次突破技术局限，为客户提供多种容量的所需产品，可进一步巩固其DRAM市场领导地位。

SK海力士相信在下一代LPDDR6问世之前，大幅度拉开技术差距的LPDDR5T内存可以主导市场，能够满足高速度、高容量、低功耗等所有配置高性能存储器的需求增长。LPDDR5T内存的应用范围不仅限于智能手机，还能扩展到人工智能（AI）、机器学习（ML）、以及增强/虚拟现实（AR/VR）。