• 投资130亿元,国产公司发力PCM相变存储,2021推3D XPoint芯片

    孟宪瑞 发布于2018-12-05 11:55 / 关键字: 时代芯存, PCM, 相变存储, 3D XPoint

    作为当前最尖端的高科技之一,半导体芯片这几年在国内很热门,不仅在媒体报道上刷屏,而且国内最近几年上马了不少半导体项目,几乎涉及到从设计到制造再到封装在内的各个领域。在众多半导体项目中,存储芯片是国内优先发展的,毕竟国内的NAND闪存及DRAM内存两大类存储芯片几乎是100%进口的。国内比较重要的存储芯片项目有长江存储、合肥长鑫及福建晋华,但在NAND/DRAM内存之外,还有一个项目值得注意,那就是江苏时代芯存公司的PCM相变存储芯片项目,总投资高达130亿元,一期投资43亿元,在江苏淮安建设的晶圆厂明年Q1季度就要量产了,号称年产10万片12英寸PCM晶圆,销售额高达20亿美元。

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  • IBM TLC型PCM挑战3D XPoint闪存:1000万次写入寿命

    bolvar 发布于2016-05-18 11:05 / 关键字: IBM, PCM, 存储芯片, TLC, 3D XPoint

    蓝色巨人IBM与消费级产品越来越远,但IBM从来没有远离高科技行业,不论是7nm半导体工艺还是新一代AI智能或者别的尖端科学,IBM都是要肩负人类希望的(网友语“I人希”)。在下一代存储芯片上,Intel美光的3D XPoint已经迈出了革命性一步,不过点满黑科技天赋的IBM日前拿出了同样具备极强竞争力的PCM存储芯片——他们首次实现PCM芯片每单元存储3位数据,你可以把它理解成NAND闪存从1bit/cell的SLC闪存到3bit/cell的TLC闪存的改变。

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  • HGST展示PCM相变技术SSD:300万IOPS,延迟低至1.5微秒

    bolvar 发布于2014-08-09 11:28 / 关键字: HGST, PCM, 相变存储, SSD, 300万IOPS

    在前几天的FMS全球闪存会议上,HGST除了发布2.7GB/s性能的PCI-E 3.0接口的FlashMAX III硬盘之外,还宣布了世界上最快的SSD,使用的虽然是PCI-E 2.0 x4接口,但是随机IOPS性能高达300万IOPS,而延迟更是低至1.5微秒,已经远远超过了普通的NAND闪存的SSD性能,因为HGST这次使用的是45nm工艺的PCM相变闪存。

    HGST展示的PCM相变

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  • 后NAND时代,2013年PCM储存技术上位

    bolvar 发布于2012-12-01 09:30 / 关键字: PCM, EMC, NAND, 非易失性

      PCM相变存储技术被视为NAND技术的继任者,美光之前还宣称已经大规模量产了45nm工艺的PCM模块,但是这种未来型的技术到底合适才能出现在我们的生活中呢?   Theregister网站援引EMC高级副总、闪存部门主管扎西德·侯赛因的说法称,2013年将是PCM闪存的新起点,有望见到实际产品出现在市场上。

      目前的NAND闪存工艺已经向20nm级别过渡,未来15nm或更高的工艺下NAND的发展就会面临瓶颈,速度会变慢,而ECC纠错则会更加复杂。从目前的20nm闪存工艺来看,速度表现还好,但是P/E写入次数已经降低到1500次量级,未来的15nm MLC NAND或许会低于1000,这都是让人头疼的问题。

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  • 美光宣布大规模量产45nm PCM相变存储闪存

    Blade 发布于2012-07-18 10:23 / 关键字: 美光, Micron, PCM, 45nm

       下一代非易失性存储技术争霸战中,MRAM(磁阻随机存取存储器)得到了最多关注,包括Intel、高通、三星在内的业界大腕也都在研究这一技术,另一个竞争者就是PCM(相变存储器),代表人物则是美光,日前他们宣布已经成功大规模量产PCM,这将为PCM进入市场提供更多可能。

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  • 存储技术的巨大进步,IBM多位PCM相变存储芯片开发成功

    Blade 发布于2011-06-30 18:19 / 关键字: IBM, PCM, Phase Change Memory

      近日IBM的研究团队自豪地宣布,他们已经成功地攻克了PCM相变存储(Phase Change Memory)的多位封装难题,为解决PCM相变存储提升容量、降低成本指出了一条明路。

      实际上PCM相变存储已经存在多年,不过一直以来有一个重大难题制约着它的发展,就是每一个PCM相变存储单元只能存储1bit的数据,即1bpc(bit-per-cell)。这对PCM相变存储提升容量、降低成本是一个巨大的阻力。

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