• Crossbar开发出新型存储器RRAM，单芯片容量达1TB

    john-li 发布于2013-08-07 20:02 / 关键字： NAND, 存储器, RRAM, Resistive RAM

    　　近日Crossbar公司宣称开发出一种先进的非易失性存储器，在一块芯片上可以存储1TB容量的资料，而且它的速度比传统NAND闪存要快20倍，寿命是普通NAND闪存的10倍。 　　他们采用的技术被称为Resistive RAM（电阻式记忆体），或是RRAM。在大小为200平方毫米的芯片上就可以做到1TB的容量，能装下250部高清电影，超过10万张高分辨率图片。

    　　这种新型存储器的cell单元采用了三层的结构，为非金属下电极，非晶硅切换层和金属上电极，若以3D堆叠的架构可以进一步扩大容量。

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