目前GF拥有七个工厂，其中四个生产300mm晶圆，另外三个生产200mm晶圆。其中多个工厂都有SOI生产线，另外GF还在成都设立了一家新的300mm工厂，未来也将会使用SOI工艺进行生产，他们对于300mm SOI晶圆的需求量是比较大的。实际上他们在去年才刚刚和Soitec签署了一份长期晶圆供应合同，现在又找了第二供货商，从中也可以感受到，GF的代工业务仍然开展的非常顺利。他们也在新闻稿中表示，目前市场上有超过85%的智能手机中都有他们的RF-SOI工艺成分，由此可见GF在5G时代将会从移动端收获更大的市场。

GlobalFoundries当初承接来自IBM的半导体业务时，IBM要求GlobalFoundries在2014年至2024年期间为IBM服务器CPU开发定制工艺，涉及多个节点。最初两家公司谈及了定制的22nm，14nm和10nm工艺技术，但在最新公告中，他们只提到了10年的独家供应协议，却没有公布工艺制程。据悉GlobalFoundries将直接跳过定制10nm制程，转而使用定制7nm制程。

我们现在来谈一下IBM的z14大型机，以及为什么IBM要使用定制的14HP工艺来打造z14上的处理器。首先IBM的Z系列大型机是7x24小时不间断工作的，而且处理的都是一些关键任务，比如信用卡处理，IBM z系列大型机上的CPU在架构，功能和物理布局设计上都是独一无二的，有别于我们常见的AMD和Intel处理器。每个IBM z14刀片式主机内都有6个CPU（IBM称其为CP），每个CP处理器上都有L2和L3，以及具有L4缓存负责系统控制的互联芯片（IBM称其为SC）。每个CP由61亿个晶体管组成，频率5.2GHz，10核心设计，每个核心有6MB L2（2MB指令，4MB数据）和共享的128MB L3。而系统控制（SC）芯片有97亿个晶体管，672MB的L4缓存，保证CPU之间的一致性。CP和SC的设计都非常复杂，但14HP技术可以将芯片规模缩小。

在2000年，IBM首次用SOI来制造代号为“Istar”的PowerPC-AS CPU，之后AMD和其他公司都用上SOI技术打造高性能处理器。使用SOI工艺可以让CPU的频率更高，但功耗却不会随之大幅提升，但使用SOI技术的圆晶成本比较高，这是GlobalFoundries 14HP必须解决的问题。

GlobalFoundries表示，他们从Fab 8工厂中累积的14nm FinFET制造经验将应用到14HP工艺技术上，但并没明确表示14HP是基于14nm LPP工艺。和GlobalFoundries自家的14nm LPP工艺相比，14HP最多可以支持17层设计（12nm LPP和14nm LPP都是13层），设计库可达12T，来自ASML公司的TWINSCAN NXT光刻平台将负责生产这些14HP定制芯片。

图片来自AnandTech

GlobalFoundries并没有披露太多14HP工艺的具体细节，不过这也很正常，毕竟只有一个客户使用这种工艺，而IBM自己也不想分享这款处理器的设计细节。

文章来源：AnandTech

对于半导体工艺，目前主流的选择是从2D晶体管走向3D晶体管，也就是FinFET鳍式晶体管，Intel最为领先，从22nm节点就开始用FinFET工艺了，详情可以参考我们之前的Core i7-3770K处理器首发评测内容。现在TSMC、三星及GlobalFoundries的16nm、14nm也使用FinFET技术了，未来也会继续坚持下去。

之前了解过AMD处理器的玩家可能知道，AMD处理器在半导体工艺上虽然一直落后Intel，但却有独特的技术——SOI（绝缘体上硅），这是跟蓝色巨人IBM合作的，有个说法认为SOI技术可将制程工艺提升半代水平，可见其性能之优秀。

不过AMD从32nm工艺之后就放弃了SOI工艺，但GlobalFoundries一直有SOI工厂（尽管制程已经落后），后来还收购了IBM的晶圆厂，后者的Power 8处理器就是SOI工艺生产的，前不久发布的Power 9处理器依然会使用10nm级别SOI工艺生产，所以不论从哪方面来看，GlobalFoundries都不能跟SOI工艺说再见。

去年中GlobalFoundries宣布将向外界提供22nm FD-SOI（全耗尽型SOI工艺，简称22FDX）工艺代工，虽然22nm线宽听上去比目前16/14nm工艺要落后，但GF表示其22FDX工艺能提供22nm FinFET工艺级别的性能、功耗，但制造成本与28nm工艺相当，适用于IoT物联网、主流移动芯片、RF射频及网络芯片等。

日前GlobalFoundries公司又宣布了FD-SOI工艺的另一个进展——他们正在开发12nm FD-SOI工艺（简称12FDXTM），它是22nm FD-SOI工艺的后续，性能相当于10nm FinFET工艺，但功耗低得多，而制造成本比16nm FinFET工艺还要低。

根据官方消息，12FDXTM工艺将提供业界最宽泛的动态电压，通过软件控制晶体管能力可带来无与伦比的设计弹性，在需要时提供最高性能，静态时则会具备更高能效。

由于上述优点，12FDXTM工艺适合各种移动芯片、5G、RF射频、嵌入式存储及汽车电子芯片等。GlobalFoundries正在德国德累斯顿Fab 1晶圆厂推进12FDXTM工艺研发，预计2019年上半年有客户芯片流片。

值得注意的是，GlobalFoundries拉来为12nm FD-SOI工艺展台的公司和单位有中科院上海微电子研究所所长Xi Wang博士、NXP半导体、VeriSilicon半导体、CEA Tech及Soitec等。

GlobalFoundries公布12nm FD-SOI工艺之后，这也能解释他们为什么放弃10nm FinFET工艺了，因为已经有了性能类似的12nm SOI工艺了，但是GlobalFoundries的SOI工艺客户主要是低功耗芯片厂商，并没有见到AMD的身影，但AMD也不可能一直用14nm撑到2020年甚至更久之后的7nm工艺，前不久他们与GlobalFoundries的晶圆供货协议中有提到AMD有权选择其他代工厂，并将为此支付GlobalFoundries一笔费用。