• 三星宣布首款45nm eflash闪存,擦写次数达100万次

    bolvar 发布于2013-05-18 09:43 / 关键字: 三星, 45nm, eFlash闪存, 100万擦写

      三星电子日前宣布成功开发世界首款45nm工艺的eFlash嵌入式闪存,主要面向各种安全芯片应用,而此前的eFlash工艺主要是80nm,三星的45nm eFlash不仅速度更快,而且P/E擦写次数可达100万次。

      三星电子系统集成电路业务副总金泰勋(Taehoon Kim)表示,三星的45nm eFlash可以广泛应用于各种安全解决方案及移动设备中,包括智能卡IC、NFC IC、eSE嵌入式安全设备及TPM可信赖模块,测试芯片反映出的极高性能将巩固三星在安全IC市场上的领先地位。

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