内存价格上涨有多方面因素推动，集邦科技旗下DRAMeXchnage认为移动及服务器市场的需求将推动Q3季度内存合约价格增长。PC需求依然在下降，而且Win10授权费跟系统规格有关，因此厂商不太愿意提高PC产品的内存容量（否则要多交授权费）。

幸运的是，2016年全球智能手机开始拼内存容量了，很多公司的旗舰机型都配备了6GB内存，以致于智能手机内存容量与去年相比提升了36%，而服务器市场平均内存容量也提升25%到110GB。这样一来，移动及服务器市场的需求就能消耗厂商多出来的产能了。

此外，NAND闪存未来几个月内供应吃紧也会导致内存价格上升，SSD市场强劲的需求、eMCP及eMMC产品的库存补货已经拉高了NAND价格，6月份三星在中国西安的NAND工厂还遭遇了火灾（三星强调产能影响非常小，但还是免不了被市场拿来说事并借题发挥），这些都影响了内存价格走势。

2014年10月份4GB DDR3内存的合约价还有32.75美元，到了2016年6月份合约价只有12.5美元，降幅高达62%。但是这样的“好日子”可能到头了，6月份早些时候厂商已经开始洽谈Q3季度的合约价格，内存价格已经止跌，并预测下半年还会涨价。截至7月1日，4Gb DDR3合约价格已经上涨了9%到1.65美元，Q3季度的涨幅在4-8%之间。

NVIDIA显卡此前的显存频率停留在1502MHz，GTX 780 Ti之后提升到了1753MHz，也就是7GHz（数据频率）的水平，目前大多数高端NVIDIA显卡都是7GHz频率的，显存颗粒分别用过三星和SK Hynix的。AMD显卡在HD 7970时代显存频率是1375MHz，HD 7970 GHz提升到了1500MHz，不过R9 290X显卡时因为位宽提升到了512bit，所以频率并太高，只有1250MHz。AMD显卡中显存频率最高的目前还是R7 260X，达到了1625MHz，不过位宽是128bit的，跟高端显卡不同。

7GHz的GDDR5显存在384bit位宽下已经能提供336GB/s的带宽，但这肯定不是终点，SK Hynix今年Q4季度已经开始出货8GHz频率（真实频率2000MHz，还有一种说法可以叫4000MHz）的GDDR5显存，编号为H5GQ4H24AJR-R4C，128Mb*32bit，单颗容量4Gb，FBGA封装。相比7GHz显存的1.5V电压，8GHz的GDDR5显存电压略微提升到了1.55V。

更值得注意是SK Hynix的HBM显存，这种显存被视为GDDR5之后的新一代标准，AMD就在跟SK Hynix联合开发，而之前也传闻AMD的Carriz APU以及“海盗岛”GPU都会使用HBM，虽然现在看起来这些猜测都不靠谱，不过HBM内存技术上确实很优异，只是目前还处于研发阶段，市场化程度还不够。

SK Hynox量产的HBM显存为4Hi堆栈，电压1.2V，容量也只有1Gb，相比主流GDDR5颗粒来说容量还有点低，虽然速度只有1Gbps，不过带宽能达到128GB/s，所以性能优势很明显。

至于AMD、NVIDIA谁能抢先用上8GHz GDDR5显存和HBM内存，考虑到NVIDIA显卡在高频显存上的优势，他们先用上8GHz GDDR5颗粒的可能比较大，而AMD和SK Hynix联合开发HBM显存，所以AMD先用上HBM显存的可能比较大，只不过相关产品不一定快到明年就能问世。

路透社报道，东芝及闪迪评估之后认为这次泄密造成的损失高达千亿日元，所以提出赔偿金额为1091.5亿日元，折合10.8亿美元。

不过，生意场上的竞争、合作甚至法律诉讼实乃常事，就在双方大战的同时，东芝与SK Hynix还在共同研发新一代存储技术MRAM（Magnetic Random Access Memory，磁阻随机存取存储器），就算双方在法庭上势同水火，但是东芝公司重申双方合作不受影响。

已经说不清DRAM到底是从什么时候开始涨价的了，但是去年SK Hynix（SK海力士）无锡工厂的大火是一大诱因。以512MB DDR3-1600（4Gb DDR3-1600）颗粒价格为例，无锡工厂起火前价格大约是3.14美元，火灾之后其价格短时间内升到了4.27美元，之后就是不间断的涨涨降降，4月份时这款DRAM颗粒的价格最低达到了3.66美元，但是Hynix无锡工厂4月份又出问题了，虽然没有再烧一次，但是DRAM颗粒价格就这么一直上涨，7月7日集邦科技Dramexchange上的512MB DDR3-1600颗粒价格最高达到了4.40美元，平均也有4.345美元之多，相比4月份上涨了20%左右。

DRAM涨价原因也不单单是工厂的缘故，目前DRAM产业90%的产能都集中在美光、三星及SK Hynix三家公司中，更悲剧的是他们对DRAM并不太热衷，因为NAND闪存的短缺，美光已经把一家DRAM工厂转产NAND闪存了。

寡头垄断再加上供应短缺，DRAM价格不涨都不行了。虽然整个PC行业走势疲软，但至少内存厂商赚大了。

SK Hynix 128GB DDR4内存模组基于8Gb DDR4颗粒，采用20纳米工艺，还有TSV（Through Silicon Via）技术。其工作电压为1.2V，比目前的DDR3工作电压稍低一些，而工作频率轻松达到了2133Mbps，I/O处理速度高达17GB/s。

目前该案件正在调查中，SK Hynix及东芝公司相关人员拒绝置评。

这不是东芝公司与SK Hynix公司有关NAND专利的第一次官司了，2004年东芝就以侵犯NAND及DRAM专利权为由对SK Hynix公司发起了诉讼，2年后Hynix公司与东芝及闪迪公司签署了专利交叉许可协议，虽然双方没有透露具体的协议内容，不过SK Hynix据信是赔付了现金的。

高科技公司里的专利侵权及技术泄密案永远也不会停止，自己开发新技术总是不如用巧妙方法获得更省事，不是吗？只要有公司这样认为，这样的案件还会继续发生。

Digitimes援引业界消息称，无锡工厂去年9月份遭遇大火，但在11月份已经恢复生产，产能回到原来的水平。但即便如此，2014年PC市场的DRAM内存供应依然吃紧。产能恢复的无锡工厂遭遇了良率问题，消息指出已经有一些PC厂商因为质量问题而拒绝了部分出货。

SK Hynix是全球最主要的PC内存芯片供应商之一，而无锡工厂几乎占据了SK Hynix每月26万晶圆产能的一半，约占全球产能的10%，地位非常重要。他们出现供应紧张将反应在内存合约价格上，价格会继续上涨，指望内存降价的希望会更加渺茫了。

Hynix公司专家Minsuk Suh、AMD高级理事Byran Black及美光公司Kyle Kirby

　　此前在FPGA和传感器领域已经有堆栈式设计（注：比如索尼的1300万像素堆栈式摄像头），但是AMD高级理事Byran Black表示目前上述领域的堆栈式设计还没对主流计算领域的CPU、GPU和APU产生影响，而HBM内存将会改变（CPU、GPU及APU）。进军3D堆栈是一项英勇的举动，AMD已经准备采取这样的行动。

　　目前SK Hynix已经开始出样HBM产品，而AMD将联合Hynix开发HBM内存，已经开始准备与客户合作。

　　Hynix公司首席工程师Minsuk Suh表示他们正在准备两种堆栈式内存，一种是用于住内存的3DS，另外一种是用于图形、网络的高性能HBM内存，JEDEC针对这些产品的规范已经接近完成。

HBM与3DS两种规范

　　3D堆栈内存多采用TSV硅穿孔技术，HBM类型支持多种1024个通道，可提供最高的带宽，主要用于对性能要求较高的网络和图形市场。3DS更注重成本与速度的均衡，面向主内存。

　　相比显卡上使用的GDDR5显存，HBM可以提高65%的总体性能，而功耗则有40%的下降。

　　据双方表示，这笔交易已经在近日全部完成，往后海力士将改名为SK海力士，除了继续推出DRAM芯片外，还会针对市场需要扩大业务范围，对其他种类的芯片进行生产，目标是成为“全球最好的半导体厂商”。

　　目前SK海力士的正在进行生产重点的转移，从原有的“PC设备为中心”转移至“以移动设备为中心”，重点生产产品包括移动版DRAM芯片、NAND闪存芯片和CMOS图像传感器等，同时还会加强在中国市场的投入度，其认为中国市场是目前最大的半导体市场。

　　因此根据相法律，Rambus提出了高达129亿美元的赔偿要求。不过海力士和美光两家公司都迅速否定相关的指控，虽然海力士未作进一步说明，不过美光的法律顾问就表示，Rambus的失败是因为RDRAM本来就不适合大众市场，他的做法纯属是将自己的责任推到别人身上，并要求别人承担他的失败。

　　消息来源：[Businessweek]

　　根据海力士方面表示，目前他们已经完成了容量为2Gb（256MB）的DDR4 DRAM内存颗粒以及容量为2GB的DDR4 SO-DIMM内存条（支持ECC校验）的开发。这些产品均采用了30nm级别的工艺，运行频率达2400MHz，电压仅为1.2V，在64-bit的接口下带宽可达到19.2GB/s。

　　另外，海力士方面还称，他们已经计划在明年下半年正式投产该款DDR4 SO-DIMM内存，主要面向微型服务器市场。