根据Digitimes的报道，群联CEO潘健成表示，全球NAND供应紧缩将在5月中旬开始变得明显，并持续到6月底，群联的业务可能不会因NAND供应限制而中断，但其他库存较少的公司可能会在今年夏天的销售旺季比较被动，并对它们的业务带来不利影响。

铠侠和西数是NAND闪存的主要供应商之一，根据初步统计，他们在第一季度存世的行业预计NAND产量的13%，约6.5艾字节，而后来的报告表明，这个数字可能会翻倍。当然了，能生产NAND闪存的厂商不止铠侠和西数，还有三星、美光和SK海力士等，他们都通过提高产能在一定程度上可以缓解这次的生产事故带来的影响，到了2022年年底，NAND闪存的整体产量可能会比2021年增加40%到50%。

对于消费者来说，这次生产事故会带来多大影响呢？目前来看SSD的售价还是比较平稳的，但影响的波动肯定会到来，目前还无法较为准确的推测未来几个月会产生多大影响，TrendForce的预测闪存价格可能会在第二季度涨个5%到10%，这价格即使直接反应到SSD上其实还是可以接受的，因为目前SSD的售价很低，即使涨个10%也不会高到哪去，而且这次事故带动了NAND行业的增产，价格可能会在数周内又跌回去。

实际上消费级SSD以及UFS闪存产品本季度跌幅都没原本预计那么高，消费级SSD由于长期困扰笔记本OEM厂商的元件短缺问题有所改善，虽然现在Chromebook的需求有所下降，但整体出货量依然有各种商务机型所支撑，第一季度笔记本电脑的出货量跌幅没有同期淡季这么低，此外Intel新一代Alder Lake处理器出货量不如预期，PCI-E 4.0 SSD也随之受到影响，而OEM厂商为了满足出货目标转而回头追加PCI-E 3.0 SSD的订单，但目前供应端已经逐渐转向PCI-E 4.0，需求供应出现了落差，使得消费级SSD的跌幅从原来的5~10%降低至3~8%。

同时智能手机的同样处于市场淡季，品牌商手头上的库存也在高位，大批量采购的意愿不高，而供应商则受惠于PC OEM厂商自2021年11月的加单，降低了手头上的库存，因此价格降幅也有所降低，从原本预期的8~13%，降低至5~10%。而服务器SSD以及NAND晶圆的价格走势变化不大，跌幅依然保持原来的的3~8%以及10~15%。

美光日前举行了Micron Insight 2018大会，邀请亚马逊、宝马、谷歌、高通、微软、NVIDIA和伟世通，还有麻省理工的教授、作家及探险家共聚一堂，探讨AI人工智能、机器学习、深度学习等新兴技术。在这次大会上，美光宣布成立1亿美元的投资基金，投向AI领域的初创公司，其中20%会投向女性及弱势群体领导的公司。

由于担心内存市场明年从涨价转向降价，美光此前一段时间被分析师看衰，股价也在下跌，美光投资AI领域也是有多方面考虑的，在新兴领域寻找机会就是其一，顺便也提振公司股票，因为美光宣布投资AI之后，摩根大通分析师已经上调了美光公司目标股价到75美元，看好美光未来发展。

对美光来说，AI市场扩大对内存及闪存也是个利好。今年上半年的财报会议中美光就指出AI训练对内存、闪存的需求量都会大幅增加，预计2021年的时候AI训练需要搭配2.5TB内存，所需的闪存容量也增加到20TB，远高于标准负载。

早在2015年8月份的时候，SK Hynix在当时全球最大的存储芯片工厂M14落成时宣布了46万亿韩元（当时约合382亿美元）的十年期投资计划，M14工厂位于韩国利川市，主要生产DRAM内存，投资15万亿韩元，而在忠清南道的清州市还会建设一座3D NAND工厂M15，利川市未来还会再建设M16工厂，主要生产DRAM芯片。

来自韩国媒体的报道称，清州市的M15工厂将在10月4日举行竣工典礼，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存，后者是目前最新一代的3D NAND技术，与72层NAND闪存相比，在速度、容量及能效方面提升了30-40%。

随着全球NAND闪存的需求增长，主要的厂商都在加大对NAND闪存的投资。三星在中国西安投资70亿美元建设了第二座NAND工厂，预计明年底在西安开始生产48层到64层堆栈的NAND闪存。东芝最近在日本建立了类似的NAND工厂，YMTC长江存储完成了32层NAND闪存的开发，计划今年底开始生产。

对SK Hynix公司来说，M15工厂的建成也有助于他们减少对DRAM内存的依赖性，今年Q2季度该公司占据全球DRAM内存市场份额的29.6%，NAND闪存市场排名第四，份额为11.1%，去年DRAM内存占了公司利润额的90%。

彭博社援引知情人士的消息称，三星电子计划减少内存芯片的产能增长，此举有助于维持或者推高内存半导体芯片价格。三星今年早些时候预计2018年DRAM内存、NAND闪存位容量增长速度分别是20%、30%，现在三星预期内存位容量增长低于20%、NAND闪存增长30%。

半导体行业存在繁荣、萧条周期交替规律，投资者担心三星及其同行正在走向衰退，因为这两年创纪录的利润将因为萧条周期而疲软。三星是全球最大的NAND闪存及DRAM内存供应商，位容量是指生产出来的存储芯片总容量，是衡量市场需求的晴雨表。

彭博社驻香港分析师Anthea Lai表示，“如果三星确实削减其DRAM位容量增长，表明该公司对目前的寡头垄断市场满意。”

“它更倾向于维持供应紧张及高价格局面，而不是冒着降低价格的风险去抢占市场份额，因此DRAM维持高价格的可能性很高。”

三星公司拒绝发表评论。

半导体现在是三星最大也是最赚钱的业务，该芯片部门2017年创造了35.2万亿韩元，约合314亿美元的运营利润，比去年同期增长一倍，推动该公司的盈利达到创纪录水平。

在彭博社报道之前，三星下调内存及闪存产能的消息已经不是秘密了，而三星官方对外表态也是强调看好明年的内存需求持续高涨，否认降价的可能。韩国媒体报道称，三星电子副总裁设备解决方案部门CEO金奇男日前出席公司活动时接受了记者采访，被问到内存芯片需求下降的问题，他表示“至少今年Q4季度之前，内存芯片市场需求不会有什么重大变化。”

那么2019年的内存市场的强劲需求是否会结束呢？金奇男预测明年的内存市场需求依然会很强劲。

西数公司CFO Mark Long上周也出席了花旗银行2018全球技术大会，并回答了分析师提问，其中就涉及到了西数如何看待中国厂商进入NAND领域的问题。对于这个问题，Mark Long表示他们非常关注所有的竞争对手，但有一点很清楚，NAND对技术的要求比人们想象中的更难，新进入市场的厂商需要很长时间才能获得这种能力，他们需要通过回报及工艺进展来证明这项投资的正确。

当中国厂商有能力进入这个市场时，Mark Long认为他们依然是落后的，即便中国厂商有能力提供不断增长的NAND芯片，西数在技术上依然会保持优势，同时会通过这个技术优势生产商有优势的产品。

Mark Long提到上述这些都是西数关注的领域，而中国厂商在2020年之前不太可能的对市场产生什么有意义的变化。

根据长江存储公司的规划，今年底他们将量产32层堆栈的3D NAND闪存，核心容量64GB，明年将量产64层堆栈的128Gb核心的3D NAND闪存，同时还会研发128层堆栈的3D NAND闪存。但在技术方面，西数、东芝、美光等公司今年底就要量产96层堆栈的3D NAND闪存了，核心容量提升到了1Tb到1.33Tb，长江存储的3D NAND闪存在技术上确实要落后两三年时间。

在NAND技术上，2D NAND闪存厂商使用浮栅极（Floating Gate）技术的还很多，不过转向3D NAND时代，从三星V-NAND闪存开始普遍转向了电荷捕获（Charge trap）技术，只有美光、英特尔还在坚持使用浮栅极技术。

这两种技术各有优缺点，三星早前在V-NAND宣传中提到CTP技术可靠性更高、P/E耗能更低、写入性能更好等等，但是这种技术也有成本高等问题，早前美光认为CTP技术可靠性并不好，如果六个月后不使用，NAND可能自己就擦除数据了。(注：三星早期的3D NAND遭遇过掉速问题，大概也与此有关）

不过3D NAND时代，NAND转向CTP技术已经是大势所趋，浓眉大眼的美光也不再坚持浮栅极技术了，在96层堆栈闪存之后技术路线也会转变，但英特尔没有这么做，这件事也被传成为双方分手的原因。

美光、英特尔的分手还有至少一年时间才能完成，不过3D NAND闪存之后，双方还会在3D XPoint闪存上技术合作，美光在前几日的财报会议上提到会为3D XPoint闪存使用单独的工厂，而英特尔之前也将中国大连的晶圆厂改建为闪存厂，主产3D NAND闪存，3D XPoint闪存未来也有可能在这里生产。

来自路透社的消息称，东芝公司日前发布了通告称本财年净利润将大涨33%，从8040亿日元涨到10700亿日元（约合97.5亿美元），这是东芝公司旗下西屋电气核电业务爆出巨额亏损之后连续第二年盈利了。

东芝公司去年同意将旗下的TMC闪存业务部门出售给贝恩资本、SK Hynix等组成的财团，交易价值高达180亿美元，但是消息人士爆料称如果这笔交易不能得到中国监管部门的批准，东芝公司可能会放弃出售转而寻找其他方案。

熟悉此事的消息人士表示中国监管部门完成审批的截止日期是5月28日，东芝希望那时候可以做出决定。

参与交易的东京消息人士表示他们担心中国与美国之间的贸易摩擦会影响审查的速度和结果，不过他们也不确定此事到底有多大影响。

如果中国有关部门不能审批通过这笔交易，东芝可能会放弃交易。去年底他们向投资者发行了54亿美元的新股票，现在已经不那么缺少资金了，而一些激进的股票持有者也认为这笔交易大大低估了存储部门的价值。

东芝公司本周二表示他们依然寻求完成这笔交易，而交易完成后预计会给公司带来巨额盈利，价值大约970亿日元。

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今年前三季度，NAND的缺货导致全球SSD价格整体上涨，随后的第四季度价格回归正常水平。现在NAND供应商还不断提高3D NAND闪存的产能及良品率，到明年第一季度NAND制品的合约价就会走跌，对零售市场最直接的影响就是SSD会降价，所以入手SSD最佳的时机便是明年第一季度这段时间。

图片来源：集邦咨询

2017年上半年，供应商的产能从2D NAND转向3D NAND，而且那个时候正是国内手机厂商新机频发的时段，eMMC和UFS等产品的需求都很旺盛，从而带动闪存产品10%的价格涨幅。到了第三季度，适逢苹果iPhone新机发布，NAND价格虽然略有上涨，但上涨空间有限，从那个时候开始NAND价格趋于稳定。

DRAMeXchange认为在明年第一季度NAND市场会从新进入一个供过于求的局面，SSD产品也会开启大容量时代，到下半年又会出现和上班完全不同的市场走势。

尽管被人质疑竞标存在黑幕，不过东芝选定收购方之后本来可以获得救助资金，摆脱核电等业务带来的亏损，但是这几天东芝的日子并不好过，原定在今天的股东大会上发布的上一财年财报并没有如期发布，董事长纲川智为此向股东道歉，指出财报不能发布是因为审计原因，要延期到8月10日才能发布。

此前两天东芝股票还被东京证交所、名古屋证交所从主板市场降级到二级市场，这是东芝公司1949年在两地上市以来的首次降级，如果明年3月还扭转不了资不抵债状态，东芝可能会被摘牌，这也是东芝对NAND业务出售一事如此着重视的原因之一。

奈何这次的NAND闪存出售也是一波三折，东芝已经选好了心仪的对象，这两天本该正式签约，但是现在也签不了了，东芝表示相关谈判还在进行中，现在还不能签订合同。

东芝没公布不能签约的具体原因，不过东芝现在宣布起诉西数公司，由于西数一直在阻挠东芝出售NAND业务，为此东芝公司索赔1200亿日元，折合10.7亿美元或者72.8亿人民币。

西数公司此前确实发起了两次法律诉讼，第一次要求法庭终裁，第二次则是法庭起诉，要求法院禁止在没有获得西数/闪迪同意的情况下出售NAND业务。不过在发起诉讼的同时，西数公司一直强调他们才是东芝的最佳合作伙伴。

西数此前的竞标不受东芝青睐有竞标金额不足的原因，随后西数联合日本财团提出了2万亿日元的竞标金额，但还是没有获得东芝认可。这一次在东芝公布美日韩联盟获胜之后，西数又联合美国KKR基金提出了新的竞标方案，不过他们也没有公布具体的细节，尚不清楚竞标金额或者控股方案。

现在好了，双方从合作伙伴一直闹到了撕破脸皮，这次是互相起诉了，只不过双方都没心思把官司打到底，也没有那么时间耗下去。只要东芝不解决西数的杯葛，与美日韩财团签约就不容易，如何收场还得看东芝、西数的谈判了。

三星去年推出的新一代960系列硬盘全面转向PCI-E/NVMe，SATA接口的主力还是850系列SSD，最初版本使用的是第二代V-NAND闪存，容量最高1TB，之后还有2TB版850系列硬盘，使用的NAND核心容量提升到128Gbit，4TB容量版则进一步升级到第三代V-NAND闪存，32层堆栈，使用TLC闪存的850 Evo堆容量更容易，所以最早上市，850 Pro的4TB版使用的还是MLC闪存，上市时间会比较晚。

距离三星承诺的2016年初问世已经过去一年了，850 Pro 4TB版实际上一直没上市，TH网站就此询问了三星官方，北美区PR表示“由于全球性的NAND短缺，三星致力于把NAND闪存满足需求最高的产品中，异地850 Pro 4TB版确定了，我们会告知大家。”

三星的表态说白了就是现在不急于推850 Pro 4TB版，因为NAND闪存缺货涨价有段时间了，三星要把NAND闪存用于最紧缺（应该也是利润最高）的产品中，毕竟还在使用MLC闪存的超大容量SSD可不多了。

TH表示表明上看这只是三星官方的回复，但背后的意义不止于此。最近有一些产品出现了短缺，比如960系列，但据他们所知，还没有哪家厂商会直接下架这些产品。

有传闻称原本针对消费级市场的960系列硬盘现在也被优先用于数据中心市场，因为960 Pro系列在性能、耐用度方面不比很多企业级SSD硬盘差，这可能也是美蛋、美亚上960硬盘缺货的混合原因之一。

PS：其实三星的解释已经很明白了，NAND闪存现在全球性缺货，而企业级市场需求更高，利润也会比消费级产品更大，三星优先把NAND闪存用于高价值产品中，这也很容易理解，消费级市场只能往后放放了。

在四年前发布的iPhone 5上，苹果便不再使用三星的NAND闪存，原因是三星不同意苹果的要求，由于iPhone内部零器件集成度越来越高，而三星的NAND闪存采用BGA封装，其EMI屏障达不到苹果的要求。据韩媒ETNEWS报道，三星现在已经与两家公司合作开发出了喷涂型EMI屏障罩技术，有望能在明年重新为苹果供应NAND闪存。

目前苹果的主要NAND闪存供应为SK Hynix，他们在苹果与三星的合作决裂后获益不少，现在三星这家全球第一的NAND闪存制造商重获苹果订单后，SK Hynix日子可能就没这么滋润了。另外三星的加入，3D-NAND闪存能带来更大容量的存储空间，苹果未来的iPhone或许有256GB的版本。

集邦科技公布的全球主要的闪存芯片供应商报告中，三星2015年的NAND产能约为484.5万片晶圆，主流工艺是16nm。在3D NAND闪存上，三星是全球量产最早的供应商，2013年就量产V-NAND闪存了，当时还是32层堆栈的（第一代24层堆栈的没有规模量产），之后三星又推出了48层堆栈的第三代V-NAND闪存，并与去年底开始量产。

集邦科技公布的全球主要NAND厂商的产能及份额

三星在中国西安投资70亿美元建设新一代晶圆厂，主产的就是3D NAND闪存，在如此庞大的投资下，三星西安工厂去年1-8个产值就达到了115亿元。根据集邦科技的分析，三星在2016年有可能占到全球3D NAND闪存市场的40.8%份额，绝对是一家独大。

SK Hynix去年的产能约为249万片晶圆，主流工艺也是16nm，他们的3D NAND闪存芯片要在今年Q1季度才能量产，主要36层堆栈的MLC及48层堆栈的TLC闪存，3D NAND闪存市场份额预计为3.3%。

东芝/闪迪去年的产能约为588万片晶圆，主流工艺是15nm，不过3D NAND闪存也是要到今年Q1季度量产，主要是48层堆栈的MLC/TLC闪存，今年预计份额为5.4%。

美光/Intel合资的IMFT公司去年产能219.5万片晶圆，主流工艺为16nm，去年Q4季度开始量产32层堆栈的MLC/TLC闪存，预计今年的份额为17.6%。

此外，Intel虽然与美光合资生产闪存，但去年已经决定把中国大连的Fab 65工厂从芯片组生产转向闪存制造，总计投资55亿美元，分析认为投产的产品很可能是Intel非常倚重的3D XPoint闪存。

随着三星、Intel等国际公司扩大中国晶圆厂的3D NAND闪存产能，中国大陆所占的3D NAND产能有可能从目前的8%提高到2017年的超过10%。

另一方面，中国本土自建的国产NAND工厂本月底正式动工，预计2017年到2018年正式建成投产，由武汉新芯科技公司负责运营，而且所生产的芯片直接进入3D NAND闪存时代，技术来源是飞索半导体，但不确定他们的3D NAND闪存具体是什么工艺，技术水平与三星、Intel相比如何。

国产存储芯片晶圆厂的产能目标是每月20万片晶圆，算起来一年就是240万片了，差不多达到了SK Hynix现在的水平，不过月产20万片晶圆的目标不是一蹴而就的，一座晶圆厂通常的月产能不过是数万片，所以20万片的月产能需要多年的产能建设才有可能。

剩下的问题就是国产闪存应该如何与三星、Intel、东芝们竞争呢？初期的价格战是不可避免的，但长久来看还得是技术立足。