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三星仍未放弃Exynos 2300?或配备专用核心优化One UI使用场景
吕嘉俭 发布于2022-11-21 12:39 / 关键字: 三星, Samsung, Exynos
过去几个月里,诸多消息指出,三星的智能手机部门希望明年的Galaxy S23系列全部改用高通方案,采用高通第二代骁龙8平台,放弃自研的Exynos 2300。虽然集团内部有不同的声音,但似乎三星的智能手机部门在这场争斗中占据了上风,毕竟被寄予厚望的Exynos 2200的表现并不那么让人满意。
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英伟达RTX 4050移动版在基准测试出现,移动平台Ada Lovelace架构GPU准备中
吕嘉俭 发布于2022-11-18 11:28 / 关键字: 三星, 英伟达, NVIDIA, Lovelace, RTX 4050
桌面平台上,英伟达新一代基于Ada Lovelace架构的GeForce RTX 40系列显卡正有序地开始替换原有的产品线。按照往常英伟达的做法,接下来采用新架构的GPU也将登陆移动平台,与英特尔及AMD的新款移动处理器配对。
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三星考虑生产27英寸QD-OLED面板,以供应苹果使用
吕嘉俭 发布于2022-11-11 10:58 / 关键字: 三星, QD-OLED, OLED
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三星玄龙骑士G65B电竞显示器上架:27/32英寸可选,首发价4499元起
何鹏基 发布于2022-11-08 17:58 / 关键字: 三星
三星推出玄龙骑士G65B新款电竞显示器,现已上架预售,尺寸分为27英寸和32 英寸,首发价分别为4499元和4999元。
玄龙骑士G65B电竞显示器屏幕类型是曲面屏,曲率为1000R,显示器面板为VA面板,屏幕比例为16:9,分辨率为2560×1440(2k),刷新率为240Hz,灰阶响应时间为1ms,峰值亮度最高达600尼特,对比度为2500:1,DCI-P3色域为95% ,支持10.7 亿色、AMD FreeSync Premium Pro,通过VESA displayHDR600认证,还内置了音箱。
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三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存:业界最高位密度,I/O速率达2.4Gbps
吕嘉俭 发布于2022-11-07 15:18 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND
三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4 Gbps,比上一代产品提高了1.2倍,这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示,第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石,不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。
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Galaxy S23系列仅提供高通骁龙8 Gen2版本,不会采用Exynos 2300
吕嘉俭 发布于2022-11-07 10:26 / 关键字: 三星, Samsung, Exynos
三星正在为即将推出的Galaxy S23系列智能手机做准备,预计会在2023年初发布。坊间对新款机型有不少猜测,其中一项就是三星所采用的平台。目前大约75%的Galaxy S22机型搭载了高通的Snapdragon 8 Gen1,剩下25%则是三星自己的Exynos 2200。
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三星计划2023年智能手机目标生产量约2.9亿台,高端Galaxy机型占21%
吕嘉俭 发布于2022-11-01 17:42 / 关键字: 三星, Samsung
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三星2022Q3财报不达预期,李在镕升任三星电子会长
吕嘉俭 发布于2022-10-27 17:04 / 关键字: 三星, Samsung
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三星2023年电视目标出货量超4000万台,OLED型号的计划会更为灵活
吕嘉俭 发布于2022-10-25 12:28 / 关键字: 三星, OLED
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三星推出ISOCELL HPX,200MP传感器再添新成员
吕嘉俭 发布于2022-10-21 14:48 / 关键字: 三星
三星宣布200MP系列图像传感器再添新成员,推出ISOCELL HPX。其延续了三星最小的0.56μm像素,为智能手机用户继续提供超高分辨率的影像。相比上一代0.64μm像素的图像传感器,ISOCELL HPX的像素尺寸缩小12%,使其在1/1.4 英寸光学格式中包含了2亿像素,这意味可减少20%的相机模组面积,让智能手机制造商打造更纤薄的设备。
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三星宣布8.5Gbps的LPDDR5X已在骁龙平台完成验证,或用于高通骁龙8 Gen2
吕嘉俭 发布于2022-10-18 13:45 / 关键字: 三星, LPDDR5X
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三星将采用BSPDN打造2nm芯片,采用背面供电技术
吕嘉俭 发布于2022-10-17 15:01 / 关键字: 三星, Samsung
三星在3nm工艺上引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管架构,目前已成功量产。按照三星公布的半导体工艺路线图,其计划在2025年开始大规模量产2nm工艺,而更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产。
据The Elec报道,三星计划使用一种成为“BSPDN(背面供电网络)”的技术,用于2nm芯片上。三星的研究员Park Byung-jae在SEDEX 2022上,就介绍了BSPDN的相关情况,表示技术从过去的高k金属栅极工艺到FinFET,接着迈向MBCFET,然后到BSPDN。相信不少人对FinFET都非常熟悉,过去被称为3D晶体管,是10nm级工艺的关键技术,而目前三星已转向GAAFET。
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三星开始生产LTPS TFT技术的MicroLED电视:首款产品89英寸,101英寸延后
吕嘉俭 发布于2022-10-09 14:37 / 关键字: 三星, MicroLED
MicroLED被看作是OLED之后的下一代自发光显示面板,而三星早已在CES 2018上首次展示了采用新显示技术的The Wall MicroLED电视。MicroLED主要优势在于每个像素均由实际的发光二极管组成,能够提供更好的视角、更亮的显示亮度、以及更高的对比度等,三星一直希望进一步改进MicroLED技术并扩大其面板的生产。
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三星公布1.4nm工艺计划,正在开发速率为36Gbps的GDDR7
吕嘉俭 发布于2022-10-08 09:51 / 关键字: 三星, Samsung
近日,三星在“Samsung Foundry Forum 2022”上,公布了未来的技术路线图。三星表示,将会在2025年开始大规模量产2nm工艺,更为先进的1.4nm工艺预计会在2027年量产,同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发,为代工服务提供整体系统解决方案,预计2024年将提供名为X-Cube的3D封装解决方案。
三星表示到2027年,HPC、汽车和5G芯片的比例将超过50%,计划瞄准高性能和低功耗的半导体市场,并将先进制程节点的产能扩大三倍以上。三星将增强其基于GAA的3nm工艺,用于HPC和移动设备的芯片;目前三星为汽车级芯片提供28nm eNVM解决方案,计划2024年将推进到14nm eNVM解决方案,未来还会有8nm eNVM解决方案;射频芯片方面,继14nm工艺后,会有8nm工艺,5nm工艺也在开发当中。
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Galaxy S23系列大部分组件与上代产品通用,三星已拆分Exynos芯片开发部门
吕嘉俭 发布于2022-09-27 11:43 / 关键字: 三星, Samsung, Exynos
三星将会在明年推出Galaxy S23系列,过去一段时间里,已经传出了不少消息。近日Galaxy S23(SM-S9110)、Galaxy S23+(SM-S9160)、以及Galaxy S23 Ultra(SM-S9180)先后获得了3C认证,资料显示都会配备25W的EP-TA800充电器,预计都会搭载高通骁龙8 Gen2平台。
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