美光宣布，将向全球客户交付基于G9 NAND技术的车用UFS 4.1闪存，作为认证样品，为下一代汽车提供快速数据访问、强大的可靠性并增强安全性。其速度可达4.2GB/s，是前代产品的两倍，将设备启动速度提高了30%，系统启动速度提高了18%。新产品可加速AI模型的数据访问，实现ADAS模型的超快速数据记录，支持感知和决策算法的改进，通过支持语音助手、个性化信息娱乐和高级安全警报等功能来丰富车内体验。

这次基于G9 NAND技术的车用UFS 4.1闪存是业内最先进的同类产品，提供高性能和大容量，专为恶劣的车辆环境而设计，不但符合AEC-Q104等严苛的汽车标准认证，而且能在-40°C至115°C的壳体温度范围内提供热保护与稳定的高性能表现。

美光表示，随着汽车行业向更高的自主性和更智能的车内体验转变，强大的高性能存储是实现下一代智能汽车的基础，而美光的车用UFS 4.1闪存提供了卓越的安全性、可靠性和性能，助力汽车行业推进智能出行并释放边缘AI潜力。

据TrendForce报道，三星、SK海力士、铠侠和美光这四家主要NAND闪存制造商在2025下半年都选择减少NAND闪存产量，从而导致价格进一步上涨。也就是说，目前SSD涨价是各方共同推动的的结果。

自去年以来，NAND闪存的价格一直徘徊在成本附近。三星在与全球主要客户谈判明年的供应协议时，考虑将价格上调20%至30%，甚至有可能更多。SK海力士和美光都希望赶上涨价潮，前者将产量减少了10%，后者也采取了类似的立场，谨慎地控制生产。虽然说AI驱动了存储的需求，但是在同步的产能控制下，NAND闪存的价格正在迅速攀升，仅上个季度就上涨了15%，未来几个月有可能再涨40%至50%。

TrendForce预计NAND闪存合约价格将在第四季度攀升5%至10%，现货价格的升速可能会更快，短期内供应仍然吃紧，价格上涨势头将延续到下个季度。不过如果合约价格上涨过快或终端需求放缓，现货价格可能会在2026年初回落。

据TrendForce报道，美光已经决定将纽约克莱附近新建晶圆厂的投产时间推迟，首座晶圆厂从最初的2028年中旬延后至2030年末，另外第二座晶圆厂的完工时间也将从2030年末重新安排到2033年末。

美光是在2022年首次公布纽约克莱新建晶圆厂项目，虽然还没有开工，但是已经出现连续延期。按照新的计划，首座晶圆厂将于2026年第二季度破土动工，第二座晶圆厂大概在2030年第四季度开工建设。整个项目会建造四座晶圆厂，最后一座晶圆厂要等到2041年才完工。

除了工期不断延误外，建设周期也变得更长，比如首座晶圆厂用时将从三年增至四年，而且美光没有说明计划变更的原因。美光在爱达荷州博伊西也有新建晶圆厂项目，优先级看起来高于纽约克莱。

美光表示，随着人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。其中内存在AI系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。基于与英伟达之间的合作，通过专门的设计功能和增强测试，美光率先将SOCAMM2内存模块到引入数据中心使用。

2025年3月，美光发布了业界首款LPDRAM SOCAMM，而新一代SOCAMM2在此基础上实现了功能的进一步拓展，在相同的规格尺寸中实现了50%的容量提升，增加的容量可以将实时推理工作负载中首个token生成时间（TTFT）显著缩短80%以上。新产品采用美光领先的1-gamma DRAM制程技术，能效提高20%以上，有助于实现大型数据中心集群的电源设计优化。同时SOCAMM2的模块化设计提升了可维护性，并为未来的容量扩展奠定了基础。

与同等能效的RDIMM相比，SOCAMM2内存模块的能效提高了三分之二以上，同时将其性能封装到三分之一大小的模块中，不仅优化了数据中心占地面积，还最大限度地提高了容量和带宽。此外，模块化设计和创新的堆叠技术提高了可维护性，并有助于液冷服务器的设计。

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新产品在外观设计上有所变化，配备的铝制散热模块改用了迷彩散热铠甲，钻石切割Crucial徽标凌厉夺目，不过仍然没有加入RGB灯效。这次提供新产品时序为CL32-40-40-103，运行电压为1.35V，同时支持Intel XMP 3.0和AMD EXPO技术，兼顾了对英特尔酷睿Ultra 200系列和AMD Ryzen 9000系列处理器的支持。

美光称，新产品比起DDR5-5600标准版速率提高了14.3%，同时延迟降低了37.5%，助玩家掌控先机，畅享3A游戏大作。此外，无论是高强度游戏实时直播，或者是长时间后期剪辑、三维渲染，高速+低延迟特性也能带来更流畅的多任务体验。

美光早在去年就推出了LPCAMM2内存，运行电压为1.05V，搭载了LPDDR5X颗粒，联想ThinkPad P1 Gen 7移动工作站成为了首发平台。今年美光进一步提升了性能表现，提供了32GB和64GB两种容量可选，数据传输速率达到了8533 MT/s，是普通DDR5 SO-DIMM的1.5倍，实际基础性能提升幅度达到了71%，兼容联想和戴尔电脑下一代AI移动工作站。

相比于DDR5 SO-DIMM，LPCAMM2节省了64%的空间。尽管LPDDR5X在延迟方面不如DDR5，但可以利用更高的数据传输速率抵消。与焊接式LPDDR5X内存子系统相比，这种模块化的外形设计不会增加LPDDR5X内存的延迟。

JEDEC在2023年12月宣布，Dell的CAMM正式成为了JEDEC标准规范，被命名为“CAMM2”，未来将取代SO-DIMM内存模块。CAMM2有两种设计，除了常规的DDR5，还能用于LPDDR5(X)，同时可以通过单个模块提供更高的带宽和双通道（共128-bit总线位宽）支持。与焊接式内存子系统不同，新设计是可以升级的，允许用户在需要时更换内存模块并增加容量。

美光表示，32GB和64GB内存模块的定价分别为232.99美元（约合人民币1659元）和451.99美元（约合人民币3218元）。

据DigiTimes报道，美光已经回复了DRAM和NAND闪存产品的报价，有供应链人士透露，新的价格均有明显上调，涨幅基本在20%以上。美光这次的涨价策略是“抓大放小”，企业级DRAM和NAND闪存产品涨幅会更大一些，目的是要测试市场的反应。目前数据中心市场已经占据美光整体营收的50%以上，美光预期2026年的营收占比会继续上升。

每年第四季度DRAM价格一般都会有所下调，但是今年不降反升。其中DDR4产品由于面临停产，平均涨幅超过了20%，DDR5产品同样涨势强劲，平均涨幅在15%至20%之间。NAND闪存产品的报价反映了市场转热的趋势，上调幅度10%，不排除最终单季度涨幅升至20%。

从整体需求而言，2025年服务器增长表现高于美光的预期，除了火热的AI服务器外，通用服务器的出货量也在增加，因此美光要求客户提早针对新一年的需求来进行规划，预计部分客户最终可能无法取得理想的采购量。

据TomsHardware报道，美光确认HBM4的基础裸片（Base Die）仍然采用内部CMOS工艺，直到HBM4E才转向台积电（TSMC）代工。美光的目标是在2027年推出HBM4E，同时提供行业标准型和客户定制型两种解决方案，后者能带来更高的毛利率。

要知道竞争对手三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，这主要是出于成本方面的考虑。不过外界担心，晚一代产品才转换到台积电，有可能让美光失去竞争优势。

另外美光也确认了有客户对HBM4提出了更高的速度要求，从JEDEC规范的8Gb/s提高到10Gb/s，而美光已经向客户提供了速度达到11Gb/s的样品。美光的这番发言也回应了之前的市场传言，即英伟达向HBM4供应商提出了新的要求。

美光同时还公布了2025财年的财报，显示营收为373.78亿美元，相比于上个财年的251.11亿美元大幅度提升，增长了48.85%，创下全年营收纪录；DRAM产品的营收增长了62%，增至286亿美元，占美光总收入的76%；NAND闪存产品的营收增长了18%，增至85亿美元，占美光总收入的23%；净利润为85.39亿美元，上一财年净利润为7.78亿美元；毛利率为39.8%；每股摊薄利润为7.59美元；上一财年每股摊薄利润为0.7美元。

美光预计2026财年第一财季的营收在125亿美元左右，上下浮动3亿美元，高于119亿美元的市场预期，每股摊薄收益为3.56美元，上下浮动0.15美元。美光表示，这将是其首次季度收入超过120亿美元，HBM客户已扩大至六家，明年大部分HBM产能被预订一空。另外DRAM供应将持续紧张，NAND闪存市况将持续好转。

据TrendForce报道，考虑到Instinct MI450及“Helios”带来的威胁，英伟达最近向Vera Rubin零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，相应的带宽也将从2TB/s提升至2.56TB/s。暂时还不清楚英伟达的要求是否可以得到满足，预计SK海力士仍然会在HBM4供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置，三星和美光的供应比重将视后续产品送样的表现而定。

作为下一代AI服务器的核心组件，HBM4的的规格一直是厂商关注的重点。基础裸片是影响HBM速度的关键因素，三星早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，目标今年末量产，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。从英伟达新的要求来看，三星或许在HBM4早期占有优势。

尽管英伟达提出了更高的标准，但是是否能落实还要考虑到多种因素，比如供应量是否能满足、这种提升是否会大幅推高功耗或者成本等。如果得不偿失，那么英伟达就会放弃该计划，或者针对不同平台和类型的产品再去细分，针对不同零部件等级区分不同供应商。另外还可能分阶段进行，毕竟选择的策略会影响初期Vera Rubin平台的量产速度。

其实在2022年和2023年，日本已经向美光提供了多轮补贴，以支持其引入EUV光刻机打造先进生产线，以巩固本国在全球半导体供应链中的位置。除了美光外，日本也向台积电（TSMC）提供了补贴，支持九州岛的熊本县建设两座晶圆厂，以加强半导体生态系统建设。其中台积电首座晶圆厂得到了4760亿日元（约合32.19亿美元/人民币228.95亿元）的补贴，于2024年末开始投入运营。

日本计划到2029年，向不同的半导体企业提供约5万日元（约合338.1亿美元/人民币2405.3亿元）的补贴，以支持功率器件、传感器、逻辑芯片等半导体领域的建设，希望提升日本在全球半导体市场的地位。目前全球半导体补贴竞赛正在加速，主要经济体都在加大补贴力度，以确保供应链弹性并加强技术竞争力。

据TrendForce报道，有供应链人士透露，美光已经通知客户，暂停向分销商和OEM/ODM制造商提供所有产品的报价，包括DRAM和NAND闪存产品，甚至不愿讨论明年的长期合同。美光在审查了客户的需求预测后发现，将面临严重的供应短缺，促使其紧急暂停所有产品的报价，希望利用更多时间进行评估，以便重新调整自身的定价策略。

传闻美光已告知渠道合作伙伴，DRAM产品的价格可能上涨20%至30%，涨幅范围不仅涵盖消费级和工业级存储，甚至延伸到汽车电子产品领域，涨幅可能达到70%。有分析称，美光的这一举动反映了在AI推理服务迅速崛起的情况下，大容量存储产品的结构性转变，eSSD在AI时代发挥了更加重要的作用。

有报告指出，到2026年，AI基础设施的快速建设可能导致2%的NAND闪存供应短缺。

据TrendForce报道，随着英伟达自研HBM基础裸片的到来，加上HBM定制设计会带来更大的差异化，大家对DRAM厂商在基础裸片上的动向变得更为关心。过去基础裸片都是使用DRAM工艺制造，因此DRAM厂商都是自己完成设计和生产。不过DRAM工艺在速度、信号完整性和能效上都落后于代工厂的技术，随着新一代HBM的性能要求变得更高，促使DRAN厂商进行转换。

三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产，不过这么做有可能让其失去竞争优势。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，特别是不得不依赖台积电的SK海力士和美光，先进制程节点的高成本可能让其HBM产品的定价高于三星。三星本身就有代工厂，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势。有业内人士透露，台积电生产的基础裸片约占SK海力士HBM4总生产成本的20%。

据Wccftech报道，由于英特尔已拿到了其中的22亿美元补贴，那么美国政府可能将通过这种方法，额外再投资22亿美元，以匹配10%股权的对应市值。与此同时，美国政府现在不仅仅考虑收购英特尔的股份，还可能入股那些在美国本土拥有大量半导体设施的公司，包括美光、三星和台积电，结合《芯片法案》，给予与英特尔相同的待遇。

尽管《芯片法案》提供了337亿美元，奖励给多家企业，但直到目前为止，实际支出的部分还是很小。此前美光、三星和台积电都与美国商务部签署了不具约束力的初步条款备忘录（PMT），美国商务部将根据《芯片法案》向美光、三星和台积电分别提供61.65亿美元、47.45亿美元和66亿美元的直接拨款。

有分析指出，美国政府希望通过将补贴转换成股权的方式，让资金支持变得更具有灵活性。虽然有业内人士认为，如果美国政府这么做是将是正确的选择，但是也有人担心，一旦美国政府入股更多的半导体企业，那么投资可能会变得分散，英特尔一些独特的优势都会消失。

据Wccftech报道，现在三星似乎已经解决了之前LPDDR5X遇到的发热和良品率问题，逐步加大供应量，在Galaxy S25系列里的出货占比已经有大幅度提高，从之前的40%提升至60%，而美光的占比也随之下降。

此前三星选择在LPDDR5X DRAM芯片上采用1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺制造，不过实际运行效果一直不太理想。随着Galaxy S25系列发布时间临近，由于不能完全满足新产品的需求，三星决定外购美光的芯片。美光采用的是1β（1-beta）工艺节点生产的LPDDR5X DRAM，不但提供了先进的省电功能，还利用了增强型动态电压和频率扩展内核（eDVFSC）和第二代high-k金属栅极（HKMG）技术来提升节电效率，在保持原有速率的同时，将功耗进一步降低了4%。

虽然美光的LPDDR5X在Galaxy S25系列上的出货占比已经降低，但是已经证明了自己是三星可靠的供应链合作伙伴。明年三星还将发布Galaxy S26系列，传闻有可能会维持目前的出货占比，选择双供应商始终是一种谨慎的做法。