美光表示，这次四层单元的NAND闪存新品是一项突破性的成就，提供了前所未有的层数和密度，可实现比以往NAND闪存更高的存储密度和设计灵活性，并缩短了访问时间。美光232层QLC NAND闪存通过利用以下重要功能，为移动、客户端、汽车、边缘和数据中心存储的用例提供无与伦比的性能，包括：

全球位密度最高的OEM量产型NAND闪存，密度比起自家上一代176层QLC NAND闪存提高了30%。

业界领先的位密度，领先于竞争对手的最新产品，结构更为紧凑，相比提升了28%。

业界领先的NAND闪存I/O接口速度，达到了2400 MT/s，比上一代提高了50%。

读取性能比上一代176层QLC NAND闪存提高了24%。

写入性能比上一代176层QLC NAND闪存提高了31%。

存储解决方案和定制企业级SSD设备制造商Pure Storage的总经理Bill Cerreta表示，美光的232层QLC NAND闪存是其大容量DirectFlash模块的关键，在美光的推动下，让Pure Storage在2028年之前完成取代数据中心所有机械硬盘的目标上又向前迈进了一步。

现在美光宣布，带来适用于智能手机的LPDDR5X新版解决方案，在保持9.6 Gbps的速率同时，将功耗进一步降低了4%，再次突破了原有的界限。美光还表示，新的LPDDR5X解决方案也能用于标准低功耗压缩附加内存模块（LPCAMM2）。

美光表示，在新的LPDDR5X解决方案里，利用了增强型动态电压和频率扩展内核（eDVFSC）和第二代high-k金属栅极（HKMG）技术来提升节电效率，从而显著改善了功耗表现，并能灵活地提供工作负载定制的功耗和性能，这样的改进为移动生态系统提供了在边缘释放生成式人工智能（AI）所需的性能。

根据消费者调查报告，显示智能手机的续航能力是他们选购时最关心的功能，超过了其他关键指标，前三位分别是电池续航时间（61%）、拍照质量（48%）和5G网络连接（24%）。美光认为随着人工智能用例和应用引入到旗舰智能手机，对于计算相关硬件的能效要求会更加高，市场研究显示到2027年，全球预计会有超过10亿台AI智能手机出货，并渗透到中端设备上。

目前美光已经向移动生态系统提供样品，包括为人工智能密集型应用提供持续的高带宽功能，并进一步提高电源效率。

美光嵌入式产品和系统副总裁Michael Basca表示：“随着存储需求竞相跟上以人工智能和先进算法为特色的丰富车载体验，以实现更高水平的自主安全，这个时代需要一种新的汽车存储模式来匹配。在我们与重新定义下一代汽车架构的创新者合作的基础上，美光重新构想了存储，推出了世界上第一款四端口SSD，为行业提供了灵活性和动力，以推出即将到来的变革性技术。”

相比于一般的车规级单端口SSD，4150AT在没有车规级PCIe交换芯片的情况下，就能实现多系统间共享单个实体硬盘的容量；美光还针对车用多虚拟机环境进行了优化，4150AT支持运行多达64个虚拟机；以BGA封装形式提供，采用176层TLC NAND闪存，可配置为SLC或高耐久性SLC（HE-SLC）模式；支持NVMe 2.0规范，通过了ASIL-B和ASPICE L3认证；随机读取和随机写入分别为600K/100K IOPS；提供了220GB、440GB、900GB和1.8TB四种容量，对应TBW分别为160TB、320TB、640TB和1280TB。

在美光看来，4150AT这类高性能SSD能够同时有效地管理来自多个SoC的数据流，让其成为更多车辆的理想解决方案，从先进的驾驶辅助系统（ADAS）到到车载信息娱乐（IVI）再到人工智能座舱体验，为消费级汽车带来了企业级的速度。

集邦咨询指出，此次地震影响的厂区是美光内存的重要生产基地，两个厂区已有最新的1-beta制程内存进行生产，后续还将会生产HBM内存。

除了美光，此次受地震影响的内存颗粒厂商还有南亚（Nanya）、力积电（PSMC）和华邦电 （Winbond），这三家受到的影响较小。南亚受影响的厂区主要负责20/30nm制程的产品，最新的1-beta制程内存正在研究中；力积电（PSMC）则以25/21nm制程产品为主。上述厂区在进行短暂的停机检查后已陆续恢复运作。

另外，集邦咨询也报道了台积电的相关状况，称目前其产能利用率较高的5/4/3nm厂区未受太大影响，已在震后6-8小时完成停机检查，并恢复到90%以上的产能；研发总部Fab12因水管破裂而导致部分机台进水，但主要影响的是尚未量产的2nm制程，因此短期内不会有太大影响，只是可能会因为需要重新购买新机台而导致研发成本略有上升。封装厂区方面，目前主要运作的厂区龙潭AP3和竹南AP6在事发后已立即进行人员疏散，停机检查发现冰水主机存在问题，但厂内有后备设施，因此不影响厂区运作，官方已安排陆续复工。

今天美光宣布，位于西安的封装和测试新厂房已正式破土动工，进一步强化了公司对中国运营、客户及社区的不懈承诺。美光还在奠基仪式上宣布，公司将在西安建立美光首个封装和测试制造可持续发展卓越中心（CoE），推动公司在环境、社会和治理（ESG）方面的合作伙伴关系，实现全球可持续发展目标。美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra以及全球运营执行副总裁Manish Bhatia，均出席了奠基仪式。

这次美光追加的投资里，包括加建这座新厂房，引入全新产线，制造更广泛的产品解决方案，包括但不限于移动DRAM、NAND及SSD，从而拓展西安工厂现有的DRAM封装和测试能力。此外，美光还将在西安工厂投资多个工程实验室，提升产品可靠性认证、监测、故障分析和调试的效率，从而帮助客户加快产品上市时间。

新厂房预计在2025年下半年投产，并根据市场需求逐步增产。落成后，美光西安工厂的总面积将超过13.2万平方米（140万平方英尺），同时将额外增加500个就业岗位，使美光在中国的员工总数增至4,800余人。

美光也在推进收购力成半导体（西安）有限公司（力成西安）的资产，并将向力成西安1,200名全体员工提供新的就业合同。

MCRDIMM是由英特尔和SK海力士及瑞萨合作开发的，也就是Multiplexer Combined Ranks DIMMs（多路合并阵列双列直插内存模组），初始的规格为DDR5-8000。据了解，AMD也准备了一个类似的产品，叫做HBDIMM，不过两者存在一些差异。

根据去年英特尔的展示，Granite Rapids与DDR5-8800的MCRDIMM内存模块搭配，在双路系统里的内存带宽将达到1.5 TB/s。Granite Rapids支持12通道内存子系统，每个通道支持两个内存模块，如果使用DDR5-8800的MCRDIMM内存模块，意味着可以提供3TB（12个插槽）或6TB（24个插槽）的容量。

据了解，美光目前已经向厂商提供了单条256GB的DDR5-8800内存样品。

近日美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra在2024财年第二财季财报会议上表示，美光2024年的HBM产能已经售罄，2025年大部分产能的供应也已经分配完毕，预计HBM产品的出货占比将在明年大幅度攀升。2024财年美光将从HBM产品上获得数亿美元的收益，从2024财年第三财季开始，HBM产品收入将增加并提高整体毛利率。

由于需要更多地制造HBM，极大影响了美光其他DRAM的产能，限制了普通内存产品的供应。Sanjay Mehrotra坦承，在同一制程节点生产同等容量下，HBM3E的晶圆消耗量是标准DDR5的三倍，随着性能及封装复杂程度的提高，未来HBM4的消耗量会更大。

这一定程度上与HBM的良品率更低有关，由于需要多层DRAM通过TSV堆叠，只要其中一层出现问题，就意味着整个堆栈报废。现阶段HBM的良品率也就在60%到70%之间，明显低于普通的DRAM产品。

不只是美光，此前SK海力士和三星都已表示，在人工智能（AI）和高性能计算（HPC）的巨大需求推动下下，2024年的HBM产能已经排满。

美光预计2024财年第三财季的营收在66亿美元左右，上下浮动2亿美元，高于59.9亿美元的市场平均预期，每股摊薄收益为0.17美元，上下浮动0.07美元。美光认为，人工智能（AI）的蓬勃发展带动市场对HBM产品的需求，同时预计DRAM和NAND闪存定价在本年度内将进一步提高，有可能让美光在下一个财年实现创历史新高的业绩表现。

美光总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，美光在2024财年第二财季实现了重新盈利，无论是收入、毛利率还是每股收益，都高于原来业绩指引的上限，正面了美光团队在定价、产品和运营方面的出色执行力，相信卓越的产品组合使美光能够在2024年下半年实现强劲的营收，而美光也将是人工智能带来的多年机遇中最大受益者之一。

与SK海力士在HBM3遥遥领先不同，到了HBM3E情况似乎出现了变化，美光和三星的加入让市场竞争变得越来越激烈。去年美光、SK海力士和三星先后都发送了HBM3E样品给英伟达，用于下一代AI GPU的资格测试。这也是英伟达为了保证下一代产品供应，规划加入更多的供应商的举措。

美光在去年7月，推出了业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层堆叠的24GB容量HBM3E，采用了1β（1-beta）工艺制造。随后美光透露，其HBM3E样品的性能更强且功耗更低，实际效能超出了预期，也优于竞争对手，让客户大吃一惊。美光还准备了12层堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，容量增加了50%。

作为HBM市场的领头羊，SK海力士也不会坐以待毙，近期已向英伟达发送了新款12层堆叠HBM3E样品，以进行产品验证测试。近期三星也官宣了同类产品，容量为36GB的12层堆叠HBM3E。下一代HBM4有望在2026年到来，相信HBM市场竞争会变得更加激烈。

除了在美光的新职位外，Robert Swan还是耐克、Flexport和GoTo Group的董事会成员，过往还曾担任eBay、Applied Materials、英特尔和Skype的董事会成员。Robert Swan的职业生涯始于通用电气，在15年中曾担任多个高级财务职位。

最为人熟知的，当然是Robert Swan曾担任英特尔的首席财务官及首席执行官。2021年1月14日，英特尔宣布Robert Swan将于2021年2月15日离任，接替他的是当时VMWare的首席执行官Pat Gelsinger。自担任英特尔首席执行官后，非技术出身的Robert Swan备受争议，在与AMD竞争中承受了很大的压力，加上制程工艺上连续受挫，使得英特尔面临的形势雪上加霜，业界认为Robert Swan由于财务出身而缺乏技术敏感性。

Robert Swan在纽约州立大学布法罗分校获得了学士学位，在纽约州立大学宾汉姆顿分校获得了工商管理硕士学位，2022年还获得了荣誉博士学位。

近日有网友表示，首批支持GDDR7的GPU使用16Gb（2GB）模块，这是JEDEC发布的GDDR7标准里最低的容量。

上一代GeForce RTX 30系列最初采用的是8Gb（1GB）模块，到了RTX 3090 Ti才引入16Gb模块，这也是现有GeForce RTX 40系列产品的GDDR6X标准，确保了位宽在384-bit、256-bit、192-bit和128-bit时能分别提供24GB、16GB、12GB和8GB显存。

不过英伟达可能在部分产品上非JEDEC标准的GDDR7，而是选择一家DRAM厂商共同设计一个拥有适合其图形架构内存总线信号和电源管理技术的独家标准。之前在GDDR6X上，英伟达就选择了美光。到了GDDR7时代，或许英伟达会延续与美光之间的合作。

根据美光之前公布的产品路线图，GDDR7将会在2024年末到来，每个数据I/O接口的速率达到了32 Gbps，容量为16Gb至24Gb。这意味不排除首批支持GDDR7显卡里也会有采用24Gb（3GB）模块的产品，那么可以看到显卡在256-bit、192-bit和128-bit位宽下分别提供24GB、18GB和12GB显存。

如果GPU厂商希望通过缩减位宽降低制造成本，那么可以选择24Gb模块弥补显存容量的不足。

HBM需要在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，如果其中一层出问题就意味着整个HBM堆栈报废。随着堆叠层数的增加，良品率有可能会进一步降低。有消息人士称，现阶段HBM类产品的良品率约为65%，如果想要提高这一数字，产量就会下降。存储器制造商之间的竞争就是在良品率和产量之间找到平衡，提供合适的解决方案。据了解，美光和SK海力士似乎在英伟达的资格测试中处于领先位置，其中前者已经通过了认证阶段，开始为下一代H200产品生产HBM3E芯片。

目前SK海力士和三星都打算增加HBM类产品的产量，不过较低的良品率加上更高的需求，从长远来看是个大问题。

该款产品在外观上也延续了之前的设计，配备了黑色的铝制散热模块，采用折纸工艺设计，有着时尚酷炫的造型，同时PCB为黑色，而且没有RGB灯效，这与之前基本款的Classic系列是一样的。这次提供的超频版32GB套装（16GB x2）有着更低的时序，为CL36-38-38-80，运行电压为1.35V，同时支持Intel 3.0和AMD EXPO技术。

美光称，超频版比起同样是DDR5-6000的标准版降低了25%的延迟，可以进一步提高1080P和1440P分辨率下内存密集型游戏的运行帧率，比如《赛博朋克2077》和《彩虹六号：围攻》等。按照美光的说法，接下来超频版还会有48GB套装（24GB x2）可选。

今天美光宣布，开始送样增强版UFS 4.0移动解决方案，不但具有突破性专有固件功能，并采用业界领先的紧凑型UFS封装（9 x 13 mm），同样基于232层3D TLC NAND闪存技术。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性，制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池，加上能效提升了25%，让用户在运行AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。

增强版UFS 4.0移动解决方案提供了三种容量可选，分别为256GB、512GB和1TB，提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。此外，美光还提供多项专有固件更新功能，包括高性能模式（HPM）、一键刷新（OBR）和分区UFS（ZUFS）。

美光表示，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的操作。相比前一代产品，新的增强版UFS 4.0移动解决方案性能提升一倍，为数据密集型应用带来了更出色的优化使用，用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴AI应用。其中在生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%，为用户与AI数字助手的对话提供更流畅的使用体验。

早在去年7月，美光就宣布推出业界首款带宽超过1.2TB/s、引脚速度超过9.2GB/s、8层垂直堆叠的24GB容量HBM3E，采用了其1β（1-beta）工艺制造，性能相比目前出货的HBM3解决方案提高了50%。据介绍，美光HBM3E产品的每瓦性能是前几代产品的2.5倍，为人工智能数据中心的性能、容量和功率效率等关键指标创造了新的记录，可以减少GPT-4等大型语言模型的训练时间，并提供了卓越的总拥有成本（TCO）。美光称，其HBM3E的功耗比竞争对手SK海力士和三星的同类产品低了30%。

美光还准备了12层垂直堆叠的36GB容量HBM3E，在给定的堆栈高度下，提供的容量增加了50%，随着技术的进步，美光将硅通孔（TSV）增加了一倍，金属密度增加了五倍，从而降低了热阻抗，加上节能的数据路径设计，因此让能效得以提高。

下个月英伟达的GTC 2024上，美光将会带来36GB容量HBM3E，并分析更多的产品信息。