3D XPoint闪存是Intel、美光联合研发的，不过二者在生产、销售上是分开的，这点上跟合资成立IMFT公司生产NAND闪存还不同，Intel在中国大连投资55亿美元建设闪存工厂，其中很大一个因素就是为3D XPoint量产做准备，Intel为它准备的品牌是Optane，已经有16GB、32GB的产品问世，联想在新一代Thinkpad工作站笔记本上有使用，但是尚未出货。

美光为3D XPoint闪存准备的品牌叫做QuantX，只是美光的3D XPpoint产品还没有正式发布，该公司CFO Ernie Maddock日前透露说他们的3D XPoint闪存很快就会出货产生营收，但在2017财年只有相当小的比例，即便是到了2018年，3D XPoint闪存占据的营收比例也不超过5%，依然只是极少份额。

当然了，Ernie Maddock还是重申了他们对3D XPoint闪存的信心。作为一种全新技术的闪存产品，没有哪家公司能大规模、迅速地量产也很正常，未来三五年内，3D XPoint闪存的一个关键依然是降低成本，大家也要清楚现在的NAND闪存各种普及，但NAND闪存已经发展了二三十年了，刚问世的时候一样是又贵又少。

2016年由于服务器市场以及国产智能手机市场的热销，闪存及闪存涨价已经不是秘密了，现在的问题是涨价趋势还在持续中。从内存市场来看，由于移动内存需求旺盛，厂商把产能重点转向了移动内存，桌面内存供应量减少了，价格也跟着上涨了，4GB DDR3模组的合约价已经涨到了25美元，相比上一季度上涨了30%，这是传统淡季以来首次出现淡季不淡的情况。

不光是桌面内存涨价，其他行业的内存价格也在上涨。来自DRAMXchange的数据显示，服务器内存价格涨幅与PC内存差不多，R-DIMM 32GB内存模组的价格已经超过200美元，涨幅超过20%。

移动内存方面，由于临近中国春节，智能手机还有一波铺货热潮，移动内存同样炙手可热，包括内存颗粒或者eMCP都有不同上涨，季度涨幅约为10%。

内存涨价让上游厂商赚到了钱，不过他们对未来的估计反而偏向保守，并不会大规模扩产，更注重强调改善营收。DRAMXchange预计2017年DRAM内存供应量只会增长19%，远低于之前20%甚至30%的增幅。一方面是供应增长只有19%，另一方面是市场需求增长超过22%，内存市场供不应求的情况更加严重了，未来涨价趋势恐怕还会持续。

PS：不管三星、美光、SK Hynix等厂商是真的看衰未来需求而不敢扩产，还是出于获利的私心而不肯增产，这都说明了高端产业掌握在欧美日韩厂商对国内厂商实在不利，好在国内现在也开始重视半导体产业了，存储芯片是首先发展的，紫光旗下的长江存储已经在武汉开工建设12寸晶圆厂，2019年将进入DRAM/NAND产业，而且月产能高达20万-30万片，未来将增长到每月100万片。

半导体产业是国内急需解决的问题，也是得到政府大力支持的高科技产业之一，各地政府陆续上马了多个存储芯片项目，除了经常见诸媒体报道的武汉新芯/长江存储科技之外，我们也报道过合肥长鑫以及福建晋华集团上马DRAM工厂，其中合肥的项目原先依靠原尔必达社长坂本幸雄创立的公司，但现在已经被兆易创新及前中芯国际CEO王宁国主导的长鑫科技主导，而福建晋华集团主要合作的是UMC台联电。

国内公司投资半导体产业不差钱也不差市场，但严重缺少人才和技术，解决这两个问题一方面需要寻找技术合作伙伴，另一方面也不得不高薪聘请技术人才，需要从韩国、日本及台湾等公司中高薪挖人，只要给出足够高的薪水，有不少员工还是会动心的。

三星、美光、SK Hynix以及台湾的华亚科等公司显然会是挖人的重点，面对这种情况，这些公司也不能坐视不理，台湾联合报援引力晶集团董事长黄崇仁的消息称三星、SK Hynix已经发出存证信函给跳槽到合肥长鑫等公司的前员工，措辞强硬，甚至不惜法律诉讼。

无独有偶，美光公司也给原美光台湾区总经理、之后跳槽到UMC联电担任副总经理的陈正坤，而他现在领军联电开发DRAM内存技术，是与晋华合作的重要人物，因此美光担心技术外流。

前不久美光收购了华亚科，合肥长鑫趁机挖走了200多名华亚科员工，其中有多名参与先进制程的技术人员，美光也因此派法务人员来了解情况，防止技术流入其他公司。

台湾另一家DRAM公司南亚科也有部分人员跳槽，不过目前多以厂务为主，并没有先进制程技术人员加入，但南亚科也未雨绸缪展开了技术保护及宣传工作。

Digitimes援引业界消息称包括TSMC台积电、UMC台联电以及美光在内的半导体公司都接到了上游供应链厂商的涨价通知，要求2017年Q1季度将12英寸晶圆价格提升10-20%，包括日本信越化学、三菱住友（Sumco）以及德国Siltronic在内的晶圆供应商已经调整了晶圆合约价。

这些厂商涨价的理由是供应不足，以Siltronic为例，目前他们的12英寸晶圆已经供不应求，以致于该公司需要动用安全库存来补货。

TSMC公司作为世界最大的晶圆代工厂，由于12英寸晶圆需求太大，所以常常会被打折优惠。不过2017年Q1季度他们他们也只会被提供更少的折扣，消息来源称这实际上也是变相涨价。

美光、UMC也被供应商通知明年Q1季度12英寸晶圆涨价10-20%。

此次涨价的背后是晶圆供应需求失衡，TSMC等代工厂正在极力扩大产能，大量兴建12英寸晶圆厂，但空白晶圆的产能增长有限，未来几年内每年增长也不过2%。

PS：TSMC等代工厂实际上是把晶圆变成芯片，他们出售的晶圆成品价格不等，12英寸多数都超过一千美元，贵的甚至数千美元，而供应商的空白片的晶圆价格就低得多，此前高价位时达到过500美元/片，低价时甚至只有200美元。

上游供应商涨价，TSMC等公司显然会把这个价格转移到代工客户身上，而最终也是要消费者承担，这意味着明年的处理器、闪存、内存等芯片很可能还会继续涨价——这些厂商现在有更充足的理由了。

从DRAMXchange公司分析师Avirl Wu的报告来看，全球DRAM产品已经是寡头垄断，目前只有三星、SK Hynix及美光三家公司。在升级到20nm及之后的工艺节点之后，厂商在位元供应上产能增长有限，而主流供应商未来也不打算提高产能，甚至放慢了他们在先进技术上的开发进程，因此供应情况在2017年依然吃紧。

这种情况下，2017年Q1季度内存价格还会继续上涨。根据他们的消息，明年Q1季度4GB容量的PC内存模组合约价格将达到20美元左右，这跟现货价格差不多了，而且期货、现货市场的价格差距还会越来越小。

从他们的报告来看，上游的三家供应商出于各种原因不肯或者无法扩充产能，但市场需求可没有减少，明年Q1季度适逢中国春节，手机、平板等产品需要的移动内存需求很大，PC游戏及服务器市场虽然不如移动市场那么火，但对内存也是刚需，现在内存颗粒厂商有意控制产能，厂商为了备货，不得不接受高价了。

爆料紫光、美光技术授权谈判的是日本产经新闻，他们的消息来源说是原中国集成电路大基金总经理、紫光旗下的长江存储公司副董事长丁文武。这篇报道随后被国内媒体转载，听上去其实还是很合理的，但紫光方面第一时间否认，长江存储公司做了两点声明:

·长江存储公司并未与美光或者其他公司就任何议题进行谈判。

·对于日媒报道的丁文武表态，长江存储公司与丁文武确认之后宣称从来发表过任何涉及上述内容的言论。

总之，长江存储的迅速辟谣否认了与紫光或者其他公司技术授权谈判，虽然技术授权是市场环境下最合适的，但掌握NAND技术的大多是欧美日韩公司，不说国家政策限制，但是考虑到中国公司未来会成为他们的竞争对手一事，中国公司从三星、紫光、东芝、Intel、SK Hynix等公司手中取得NAND技术授权都是不太现实的事，只能靠自己生产。

长江存储科技是紫光集团收购武汉新芯科技之后成立的，注册资本189亿元人民币，紫光集团董事长赵伟国担任长江存储科技有限公司董事长，丁文武担任副董事长。仅仅是武汉的存储芯片基地，预计投资就有240亿美元，另外紫光集团在深圳等地还有自己的投资项目，大约是120亿美元，先期目标都是NAND闪存，之后则是DRAM内存。

国产NAND闪存的技术来源也不能说跟欧美公司没关系，新芯科技的NAND闪存合作伙伴是飞索半导体（Spansion），预计在2017年推出32层堆栈的3D NAND闪存，应该说起点还是挺高的，直接进入3D闪存时代，虽然比起三星、东芝还有很大差距，但国产NAND已经是从无到有了，在此之前中国公司是没有NAND研发、生产能力的。

Ballistix/铂胜此前只是英睿达品牌下面的高端内存型号，主要有精英、智能及运动三个系列，主打高频率及高颜值，定位比普通产品要高一些。今年6月份的台北电脑展上，美光还展出了Ballistix/铂胜品牌的PCI-E硬盘TX3，主要面向游戏玩家市场。

现在来看，美光上半年就有打算把Ballistix/铂胜品牌逼格进一步提升，现在则是正式把该品牌从英睿达子品牌提升成为与英睿达平行的品牌，也就是说以后Crucial英睿达品牌定位主流市场，而Ballistix/铂胜品牌主打高端，主要面向游戏玩家、超频玩家、发烧友等市场，在性能、可靠性等方面比英睿达更胜一筹。

相比三星、SK Hynix显存颗粒，美光显存颗粒少见得多，去年中才开始商业出货20nm工艺的GDDR5颗粒，8Gb容量。由于美光进入GDDR5市场要比三星晚的多，所以他们的主要精力放在了GDDR5X上，希望用这种改良版显存实现对三星、SK Hynix的超车。

GTX 1070显卡首发评测时我们看到的显卡使用的都是三星GDDR5颗粒，后续产品中开始出现美光显存的。由于NVIDIA现在是打包GPU芯片和显存产品一并出售给显卡厂商，所以使用美光显存的产品不知出现在一家显卡厂商的产品中。

美光GDDR5显存的GTX 1070早前被爆出有bug，容易引发驱动崩溃——具体来说就是，如果显卡显存在300mV低电压下待机，然后你用软件超频显存频率+400到+500，美光显存就会出问题，要么驱动崩溃，要么就是显示BSOD信息。但如果你现在afterburner等软件中锁定电压，显存就可以正常超频500、600MHz频率。

这个问题本月初就有用户在NVIDIA官网讨论了，现在的情况是NVIDIA已经解决问题了，需要升级显卡BIOS，不过普通用户还要等等显卡厂商那边放出最终BIOS。

TechPowerUP收到了美光的一份声明，说他们已经取消推出Ballistix TX3这款PCI-E NVMe SSD了，产品被取消的原因是基于“公司资源和投资的优先顺序”的考虑，不过美光表示，他们还会继续为玩家开发像Ballistix TX3这类的高性能产品。

Ballistix TX3采用M.2 2280规格，采用PCI-E 3.0 x4通道，主控是SMI SM2260，搭配美光3D MLC闪存，有250GB、500GB和1TB三个容量，现场展示的Ballistix TX3 500GB，连续读取速度可以达到2398MB/s，连续写入速度769MB/s，连续写入速度较同类产品相比略慢，随机性能也不算出色，这款产品被取消不是没有原因的。

美光宣称这种3D NAND闪存采用了最新的UFS 2.1传输标准，读写速度可以达到1.5GB/s、500MB/s，相比UFS 2.0标准效能提高2倍。单芯片容量为32GB，封装面积仅有60.217平方毫米，对比以往相同容量的闪存面积减少30%。采用了MCP多晶片封装技术，支持LPDDR4X。

现在的4k视频、VR、大型3D游戏都需要超高的存储容量，16GB的存储空间根本无法满足使用需求，也因此传闻iPhone7将会取消16GB而增加256GB版本。对于这种内部空间寸土寸金的手机来说，小面积的闪存芯片可以让出更多空间集成其他功能芯片或增加电池容量和存储容量，也可以令手机设计更加轻薄。

时隔一整年，美光、Intel也没有公布3D XPoint闪存的具体细节，人们对这种新型闪存的技术来源还不够了解，有猜测认为它是PCM相变内存，但一直无从证实。这两家在技术研发上是共同合作，不过双方都会各自独立生产，市场营销上也是分开的，Intel已经在中国大连升级工厂，其目的之一就是生产这种3D NAND闪存，Intel将会以Optane的品牌推广3D XPoint闪存，主打企业级市场，除了SSD之外还会有NVDIMM类型的产品，预计今年底就会有产品上市，Kaby Lake及200系芯片组也会支持Optane。

美光推出的品牌叫做QuantX，其中Quant是量子之意，名字高大上多了。按照美光存储业务副总Jon Carter所说，美光的3DX Point闪存也会聚焦数据中心业务，应用于移动及桌面市场还没有时间表，恐怕短时间内也没这个希望。

美光今天宣布了截至6月2日的2016财年Q3季度财报，当季营收28.98亿美元，同比下滑了25%，低于分析师预期的29.6亿美元。

当季毛利只有4、98亿美元，但刨去3.82亿美元的研发费用、1.48亿美元的销售及其他费用之后，美光当季运营亏损2700万，净亏损2.15亿美元，摊薄每股亏损0.21美元，而上季度净亏损9700万美元，摊薄每股亏损0.09美元。

美光CEO表示他们依然面临市场考验，不过美光已经开始行动了，这次财报之后宣布裁员2400人，约占美光总员工数3.2万人的7.5%，虽然裁员会给美光带来7000万美元的费用，但预计裁员之后每季度为美光节约8000万美元成本，整个2017财年将节约3亿美元。

导致美光连续亏损的原因主要是DRAM、NAND价格不断下滑，不过说到根本原因还是美光自己的问题，20nm及更先进的1X nm内存芯片落后于三星，TLC闪存、3D NAND闪存上也同样是落后其他公司。