中国禁售的消息一公布，美光股价暴跌6%，因为大陆市场已经是美光最大的来源，占了一半的营收。不过麦格里分析师Srini Pajjuri发表了研究报告，认为这事对美光的影响有限。

首先美光产品被禁售并不是中国政府作出的公告，而是来源于台湾联华电子，他们与美光互相打起了专利战。美光公司也表态称尚未收到任何正式的禁令通知。

此外，中国市场的营收虽然占了美光公司的一半，但是与联华电子专利战中涉及的产品只占美光的极小部分。

总之，Srini Pajjuri认为基于现在有限的信息，任何对美光公司业务产生的潜在影响都是暂时的。

此外，如果真的有官方的禁令，那么此举可能会推高DRAM价格。Srini Pajjuri认为禁令虽然可能影响美光在中国市场的收入，但是因为现在供应形势已经很紧张，这也可能推高DRAM芯片价格。

美光的NAND闪存、DRAM内存颗粒占到了全球供应的12%、23%，中国的长期禁令将导致价格上涨、供应短缺，特别是DRAM内存方面。虽然三星、SK Hynix可能会填补部分市场空间，但这需要时间。正因为此，实在看不出供应紧缺对中国下半年的智能手机、PC及服务器市场有什么好处。

2017年中国进口了2600多亿美元的半导体芯片，其中存储芯片价值889亿美元，国内内存、闪存芯片几乎100%依赖进口。

国内这边至少有两大阵营投入内存研发，一个是合肥长鑫/兆易创新，另一个就是福建晋华/联电，自从大陆公司决定发展内存之后，内存专利、人才就是一个重要考验，国际巨头与国内公司打专利战是意料中的，不过第一轮专利战是发生在联电与美光之间。

美光指责联电挖人、侵犯美光专利权（美光在台湾有华亚科子公司），双方对簿公堂，联电也在国内反诉美光侵权。昨天福州法院就关于美光半导体销售(上海)有限公司等先行停止侵犯涉案专利权作出了民事裁定书，美光在与联电专利侵权诉讼期间，美光必须立即停止在中国大陆销售及制造部分DRAM、SSD硬盘产品。

具体来说，受到影响的产品主要是：

·美光半导体(西安)有限责任公司立即停止制造、销售、进口铂胜运动Ballistix铂胜台式内存DDR4 2400 8G两条装(实物商品型号：Crucial英睿达内存条BALLISTIX 16GB KIT 2 -8GB DDR4-2400 UDIMM 1.2V)及BX芯片等12项产品；

·美光半导体销售(上海)有限公司立即停止销售、进口Crucial英睿达DDR4 2400 8G笔记本内存条及C9BGM芯片等17项产品；

·厦门市思明区信通源电脑经营部立即停止销售、许诺销售Crucial英睿达DDR4-2400 8G笔记本内存条及C9BGM内存芯片。

目前福州法院的判决并不代表联电最终胜诉，案件审理期间发布的商品禁令只是操作手段，类似美国FTC委员会调查期间发布的商品禁令一样，双方的法律侵权诉讼还在审理中。

不过目前的局面对美光来说显然不是好消息，法院禁令一出，美光的股价暴跌了6%，根据彭博社之前的统计，美光50%的存储芯片营收源于中国市场。

联电CEO颜博文昨日对外界表示该公司的14nm工艺已经成功进入客户芯片量产阶段，出货给客户的晶圆良率达到了业界竞争水平。算上之前的Intel、三星以及GF公司，联电是第四个量产14nm FinFET工艺的代工公司了。

根据联电公司资料，他们的14nm FinFET工艺技术水平达到业界标准，性能比28nm工艺快55%，功耗减少约50%，晶体管密度则达到两倍。

联电在台湾南科12厂开始量产14nm工艺之后还有个好处，那就是可以把28nm产能转移到大陆合资的联芯公司中以便争取大陆市场的订单。由于对岸政府对半导体公司赴大陆投资有限制——技术水平必须落后台湾本土至少一代，由于联电跳过了20nm工艺节点，所以14nm量产之后就可以把上一代的28nm产能转向大陆工厂了。

28nm工艺虽然两三年前的工艺了，不过这代工艺会很长寿，目前在移动处理器上高通、联发科依然有许多产品使用28nm工艺，大陆市场需求依然很高，联电现在可以把28nm产能转移到厦门地区合资设立的联芯电子了。

联电及关联公司和舰持有联芯一半股份，联芯电子去年11月份投产，设计月产能为5万片晶圆，初期产能不到1万片晶圆/月，只要工艺还是55nm及40nm，很快就可以转移联电的28nm产能了。

联电昨天举行法人会（财报会），CEO颜博文公布了去年Q4季度营收——当季合并营收383.1亿新台币（83.8亿人民币），环比上一季度的381.6亿基本持平，相比2015年Q4季度增长13.2%，毛利率约为22.9%，净利润为25.5亿新台币，环比、同比减少4.4%、19.4%，不过产能利用率达到了94%。

2016全年营收达到了1478.7亿新台币（323亿人民币），同比增长2.1%，但是净利润只有83.16亿新台币，同比减少38.2%。

如果与TSMC台积电的成绩相比，联电的差距就太明显了，TSMC公司前不久公布的2016年Q4季度营收为262.3亿新台币，毛利率高达52.3%。

导致联电毛利率上不去的原因就在于高端制程太少了，他们的主力还是40nm及以下工艺，28nm工艺才量产一年多，今年Q2季度贡献的营收才达到20%左右。此后的工艺中，UMC也跳过了20nm，FinFET工艺他们也选择了14nm FinFET，技术来源为IBM授权。

好消息是联电的14nm现在可以量产了，根据颜博文所说，经过与客户的紧密合作之后，联电的14nm FinFET工艺不论性能还是功耗表现都达到了业界水平，良率也达到了客户要求，预计今年Q1季度开始出货。

目前还不知道联电所说的14nm工艺到底是什么水平，而三星、TSMC在FinFET工艺上已经开发出LPE低功耗、LPP高性能以及LPC/FPC等至少三代工艺了，联电首次量产的14nm工艺应该也低功耗型的，追赶TSMC的道路还是非常远的。

不过联电多了14nm工艺之后，可以争取更多高端客户了，不仅可以改善自己的毛利率，这对其他排不到TSMC产能的厂商来说也多了个选择，一家独大的TSMC现在不鸟那些小客户了，有钱都拿不到产能。

福建晋华集团是有政府背景的投资公司，晋华存储器集成电路生产项目坐落在泉州晋江的福建集成电路产业园，由福建省电子信息集团和泉州、晋江两级政府共同投建，建设内容包括晶圆制造、产业链配套等，预计2018年9月形成月产6万片内存晶圆的生产规模。该项目已纳入国家“十三五”集成电路重大生产布局规划，作为全国重点培育的内存基地之一，获得国家专项建设基金支持。

晋江的建设项目投资庞大，规划面积594亩，一期投资就有370亿元，而且该项目已纳入国家集成电路产业重大生产力布局规划，成为国家首批重点支持的DRAM存储器生产项目，并获得国家第一笔专项建设扶持基金30亿元。

开工仪式上有工信部、大基金及福建政府高官出席，这个项目无疑是得到了官方认可的，但在关键的技术来源上，官方的通稿更多地强调什么自主研发、独立产权什么的，但实际上自主研发DRAM以及NAND技术在国内并不现实，晋华集团更没这个能力。

此前我们报道过，台湾联电公司组建了一只存储技术研发队伍，由瑞昱电子前总经理带队，而早前晋华集团跟联电签署过合作协议，前者出钱、后者负责研发——注意这并不是通常意义上的技术授权合作模式，因为联电自己都没什么存储技术，现在还是在研发阶段，也就是说大陆这边负责出钱，联电则在台湾组建队伍、研发技术——不论最后研发出技术或者没有成功，联电是不会亏的。

大陆发展半导体产业，联电当然也想分一杯羹，而福建政府也在积极推动相关产业，虽然在与武汉竞争国家级存储芯片基地中失利，但他们显然不会放弃这个大饼，跟合肥一样都准备靠地方政府的力量推动DRAM晶圆厂建设。

福建方面选择的合作伙伴是联电，日前具有官方背景的晋华集成电路与联电达成协议，将开发利基型DRAM芯片（指的是非PC所用的标准存储芯片之外的芯片，比如移动设备所用的DRAM/NAND等），联电强调这次合作不代表该公司要进入DRAM产业或者投资晋华公司。

这次合作实际上是晋华出钱委托联电开发DRAM技术，但联电在DRAM市场上并不算大腕，他们的DRAM团队才刚刚组建，目前还处在招兵买马阶段，准备在台湾南科建设小型生产线。

虽然这个协议看起来是海峡两岸优势互补的典范，大陆出钱有市场，台湾有技术有人才，但是联电真的能开发出具备竞争力的DRAM技术吗？且不说研发团队才刚刚组建，即便开发出新技术了，双方说技术是共享的，但是能保证大陆这边建厂生产DRAM不受对岸政府的限制吗？

无论如何，联电在这个合作中是稳赚不赔的，DRAM产业本来也不是他们的重点，现在拿了大陆的钱来组建自己的队伍，做好了大家都有饭吃，做不好亏的也不是他们的钱，人才和技术也没流出台湾。

联电公司发言人昨天证实该公司已经针对利基型记忆体代工成立专案小组，将由瑞昱电子（Realtek，俗称小螃蟹的网卡、声卡芯片公司）前总经理陈正坤领导。目前该小组主要目标是扩大招募工程师队伍，并在台湾南科建设小型生产线。

不过联电最终目标是在福建泉州建设12英寸晶圆厂，争抢大陆存储芯片市场商机，不过技术授权、投资金额等具体信息要等到双方签订协议之后才能透露。

联电扩大存储芯片业务不是秘密，他们本来有嵌入式闪存技术，挖来陈正坤之后又规划了利基型记忆体（指的是非PC所用的标准存储芯片之外的芯片，比如移动设备所用的DRAM/NAND等）业务，因为联电也知道大陆这边已经把内存、闪存等存储芯片业务列为重点，投资巨资发展半导体业务。

联电是台系半导体公司登陆最早的公司之一，在厦门有合资的联芯半导体，原本联芯也争取列入中国的国家级NAND/DRAM指标企业，但没有成功，紫光旗下的同方国芯最终出线。

联电当然不甘心失败了，国家级不成功，那就找地方政府合作，泉州市政府争取到了联电的合作机会，双方将在泉州建设存储芯片代工厂。

大陆发展半导体业务的雄心壮志已经成了很多公司的机会，国内目前有三股势力，首先是外资公司，三星在中国西安有NAND工厂，目前是三星公司生产V-NAND闪存的主力，SK Hynix在无锡有内存工厂，当前一把大火导致内存涨价的就是这里了。Intel在中国大连的Fab 68工厂原本封装测试用的，但工艺已经落后，Intel去年宣布斥资55亿美元改造工厂，以后也要生产3D NAND闪存了。

大陆本土的力量主要是紫光、新芯科技，紫光准备在深圳或者华南地区建设DRAM工厂，而武汉新芯科技主导的国家级存储芯片基地上月底已经开工，预计有三个阶段，首先生产3D NAND闪存，之后是DRAM内存，再之后是代工业务。

联电为代表的是台系力量了，将在泉州建设12英寸晶圆厂，主打的是嵌入式闪存及利基型存储芯片。当然，在存储芯片之外，联电在厦门还有代工厂，TSMC在南京投资的晶圆厂也开始动工了。

除了TSMC自己选择了16nm工艺之外，Intel、三星、Globalfoundries都选择了14nm FinFET技术，而UMC选择的也是14nm工艺，其技术来源实际上也跟三星、GF一样都源于IBM。从三星、GF的表现来看，14nm FinFET工艺进展都很顺利，这也使得UMC能在今年Q2季度顺利试产14nm FinFET工艺。

根据UMC所说，UMC的14nm FinFET试产期间，月度产能将达到3000片晶圆。

虽然开头不错，不过14nm FinFET在未来一年内恐怕都不会给UMC带来太多营收，该公司还会继续提升28nm HKMG产能，2014年底该工艺带来了5%的营收，2015年下半年预计能达到10%的营收。