• 创见宣布SuperMLC技术:4倍MLC速度,3万次P/E寿命

    bolvar 发布于2015-12-31 11:20 / 关键字: 创建, superMLC, 闪存, SLC, MLC

    与HDD硬盘理论上无限次的读写寿命不同,SSD所用的NAND闪存寿命理论上是有限的,最好但也是最贵的SLC闪存普遍有1万-10万次的P/E寿命,MLC闪存多是3000-5000次,最便宜的TLC闪存多在1000次甚至更低。对厂商来说,如何平衡NAND闪存的寿命、可靠性、性能及成本是个技术活,创见公司日前宣布了SuperMLC闪存技术,号称连续读写性能是普通MLC闪存的4倍,而且寿命长达30000次P/E循环,足以比肩SLC闪存。

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  • Intel的3D XPoint闪存会有竞争对手,但那可能是5-7年后的事了

    bolvar 发布于2015-12-07 10:31 / 关键字: Intel, 3D XPoint, 闪存, optane

    Intel公司前不久发出公告宣布增加股息分红,并上调了2016年营收预期,利好的背后是该公司不再依赖PC行业,其中储存芯片等市场推动了Intel业绩成长。虽然在存储市场Intel份额远不如三星,但他们现在找到了弯道超车的可能——与美光联合研发的3D XPoint闪存目前还是独一份的,其他厂商还没有类似的产品,Intel有机会领先对手5-7年时间。

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  • Intel公开3D XPoint闪存硬盘性能,秒杀NVMe硬盘不是事儿

    bolvar 发布于2015-10-30 10:10 / 关键字: Intel, 3D Xpoint, 闪存, optane

    前不久Intel决定投资55亿美元将国内的大连封装厂改造为闪存厂,明年建成之后将生产最先进的3D XPoint闪存,这是Intel、美光联合开发的革命性存储技术,其性能、耐用性是普通NAND闪存的1000倍,存储密度则是DRAM的10倍。在日前的Oracle开放大会上,Intel又联手Oracle展示了3D XPoint闪存硬盘的性能,速度达到了高性能NVMe硬盘的7倍,延迟只有后者的1/8不到。

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  • Intel自己建厂生产3D NAND闪存,美光怎么办?

    bolvar 发布于2015-10-22 09:58 / 关键字: Intel, 大连, 美光, 3d nand, 闪存, IMFT

    昨天Intel宣布投资55亿美元升级中国大连的Fab 68工厂,由原来的封装测试转为生产NAND闪存芯片,考虑到时间因素,Intel很可能在中国直接生产最先进的3D XPoint闪存。这对Intel来说是件好事,有了更多产能之后Intel可以继续扩大闪存市场份额,不过有人肯定不高兴了,那就是美光,以往Intel和美光是肩并肩的合作伙伴,合资的IMFT工厂为双方提供闪存,现在Intel要单飞了,肯定会影响双方的关系。

    Intel要自己建厂生产3D XPoint闪存了,美光怎么办?

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  • 三星SSD全球大会今日开幕:NVMe、V-NAND闪存将是重点

    bolvar 发布于2015-09-22 12:15 / 关键字: 三星, SSD, NVMe, V-NAND, 闪存

    2015年的三星SSD全球大会(Samsung SSD Global Summit Commences)将于今天在首尔的新罗酒店(三星旗下的酒店)开幕,前年、去年的大会上三星分别发布了840 Pro、850 Pro硬盘,这次大会到底会发布什么新产品还不得而知,不过NVMe以及三星的V-NAND闪存毫无疑问将是重点。现在超能网派出的同事已经到达了会议现场,敬请期待我们的详细报道。

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  • Intel 3D XPoint闪存速度堪比内存:每通道带宽6GB/s

    bolvar 发布于2015-08-28 09:42 / 关键字: Intel, 3D XPoint, 闪存, NVDIMM, SSD

    在IDF会议前夕,Intel联合美光发布了革命性的3D XPoint闪存,号称速度、耐用性是目前闪存的1000倍。根据Intel所说,未来3D XPoint闪存制造的产品速度远高于PCI-E、SATA接口的SSD,每通道6GB/s的带宽更接近内存。

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  • 东芝发布首款16核堆栈的NAND闪存:容量256GB,功耗降低50%

    bolvar 发布于2015-08-07 10:36 / 关键字: 东芝, NAND, TSV, 堆栈, 闪存

    东芝、闪迪今年底就要正式推出48层堆栈的BiCS 3D闪存,MLC核心容量可达128Gb,现在东芝又宣布了世界首款16核堆栈的NAND闪存,这两者别搞混了,前者的3D堆栈指的是闪存核心(die)内部的堆栈,现在的堆栈使用的是跟AMD的HBM显存一样的TSV工艺,是16个闪存核心的堆栈,目前的原型产品中封装容量最高256GB,I/O接口速度1Gbps,要比其他闪存更快,而耗电则低了50%。

    东芝的16核堆栈NAND闪存

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  • 存储技术革命性突破!3D XPoint闪存性能提升1000倍

    bolvar 发布于2015-07-29 09:42 / 关键字: Intel, 美光, 3D XPoint, 闪存, nand, 内存

    自从1989年NAND闪存技术问世以来,提升速度、容量及可靠性一直是NAND闪存不变的追求,但NAND闪存一直在量变而非质变。Intel、美光今天联合宣布了3D XPoint闪存技术,号称是25年来存储技术的革命性突破,速度是目前NAND闪存的1000倍,耐用性也是目前闪存的1000倍,密度是NAND的10倍,而且它的非易失性不仅可以用于NAND硬盘,还可以用于RAM内存等,绝对是划时代的进步。

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  • MacBook Pro固态硬盘有问题?试试这个固件更新

    fantastic 发布于2015-07-23 10:22 / 关键字: Macbook, SSD, 硬盘, 闪存, 故障, 固件, 2015

    苹果除了在今天推送iOS 9 Public Beta 2和OS X 10.11 EI Capitan Public Beta 2之外,还针对2015年款的MacBook Pro进行了一次固件升级。之前有部分用户反馈2015年款MacBook Pro在存储数据时经常发生崩溃,保存在闪存中的信息会莫名其妙地丢失或者损坏,如果用户遇到这一种情况,不妨试试本次固件升级。

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  • 美光:2016年50%的SSD硬盘都将使用TLC闪存

    bolvar 发布于2015-06-27 09:28 / 关键字: 美光, TLC, 16nm, MLC, 闪存, ssd

    尽管有些消费者对TLC闪存的SSD硬盘还有些抗拒,但TLC闪存已经是大势所趋,特别是想实现TB级及更高容量的SSD硬盘情况下,TLC闪存更是王道。在TLC闪存方面,三星走在了前列,不过美光也在快步赶上,该公司预测2016年他们50%的SSD硬盘都会用上TLC闪存。

    本届台北电脑展上已有公司开始推美光TLC闪存硬盘

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  • ComputeX 2015:超极速展出16nm TLC硬盘及USB 3.1 C接口硬盘

    bolvar 发布于2015-06-03 21:11 / 关键字: computex2015, 超极速, 16nm TLC, 闪存, USB 3.1

    本次电脑展上浦科特、OCZ等SSD厂商都开始试水TLC闪存硬盘了,不过他们使用的TLC闪存大都还是19或者20nm工艺的,超极速这次也展出了TLC闪存硬盘S500系列,使用的闪存则是美光16nm TLC闪存,这应该是全球首款16nm TLC硬盘了,据说很快就要上市了。此外,超极速还展出了USB 3.1 Type-C接口的外置硬盘,有mSATA及NGFF两种规格。

    USB 3.1 Type-C接口的外置硬盘

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  • TLC还不是终点,Intel正在研发10TB容量的QLC闪存硬盘

    bolvar 发布于2015-04-01 09:20 / 关键字: TLC, QLC, NAND, 闪存, Intel, 10TB

    昨天我们才说到TLC闪存会在今年Q4季度占据45%的市场份额,成为主流选择。虽然现在的TLC经过技术升级已经大大改善了性能及可靠性,但从大家的反应来看,TLC闪存的心理接受度并不高。只不过TLC闪存远不是NAND发展的终点,也许用不了多久我们就能看到容量更大、但问题也会更多的QLC闪存了,Intel已经在开发容量可能超过10TB的QLC闪存硬盘了。

    目前NAND闪存MLC、TLC两种,未来将会出现QLC闪存了

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  • Intel美光公布更多3D NAND资料:寿命初定3000P/E,目标10+TB

    灯罩 发布于2015-03-27 10:58 / 关键字: Intel, 美光, 3D NAND, 闪存, 浮栅极, 寿命

    三星早就已经推出了采用3D NAND(V-NAND)闪存的SSD,东芝和SanDisk的48层3D NAND闪存也在昨天开始向合作伙伴提供样品,Intel和美光算是后来居上,去年11月才公布了他们的产品,近日他们公开了更多资料,我们可以看看他们的新闪存与竞争对手有什么不同之处。

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  • 原片还是白片? 哪些SSD使用的是原厂闪存?

    Strike 发布于2015-03-12 16:22 / 关键字: 白片, NAND, 闪存, Good Die

    大家在讨论和选购SSD的时候通常都会关心这个SSD到底用的是原片还是白片闪存,普遍都认为原片闪存在质量与可靠性都比白片要好,这个认识其实是没错的,原厂封装的闪存在品控方面确实要严格些,下面先来简单说说什么是白片。

    由第三方封装的闪存通称白片

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  • 美光40亿美元扩建3D闪存厂,16nm工艺之后全面转向3D芯片

    bolvar 发布于2015-03-07 11:06 / 关键字: 美光, intel, Fab 10, 3d nand, 闪存

    传统的平面闪存在16/15nm工艺之后面临瓶颈,厂商开始转向3D闪存,这其中三星动作最快,去年就已经开始量产第二代V-NAND闪存了,850 Pro及850 Evo硬盘也上市了。东芝/闪迪系也在跟进,在日本扩建Fab 2工厂准备3D闪存生产,Intel/美光系去年底也公开了他们的3D NAND闪存,现在也准备量产了。日前美光宣布投资40亿美元扩建新加坡的Fab 10晶圆厂,明年底开始量产第二代3D NAND闪存。

    美光斥资40亿美元升级Fab 10X晶圆厂生产3D NAND闪存

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