• 台积电正式推出20nm工艺以及CoWoS设计参考流程

    Blade 发布于2012-10-09 16:13 / 关键字: 台积电, 20nm, CoWoS, 设计参考流程

      今天台积电正式推出支持20nm制程工艺以及CoWoS技术的芯片设计参考流程,这也意味着其开放创新平台架构已经完成相关工艺和技术支持的准备。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论

  • Tegra 5使用20nm工艺,代工厂不再是TSMC

    bolvar 发布于2012-09-22 09:28 / 关键字: NVIDIA, Tegra 5, 20nm, TSMC

      NVIDIA的Tegra 3是发布最早的四核ARM处理器,目前已经成功打入智能手机、Google平板以及W微软RT平板市场,不过它使用的工艺还是TSMC 40nm,相对来说已经有些落后了,明年下一代Tegra 4将使用28nm工艺,再下一代的Tegra 5将使用20nm。

    NVIDIA需要更新Tegra处理器工艺了

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(7)

  • 待机功耗低70%,SK海力士推出DDR3L-RS内存芯片

    Blade 发布于2012-09-17 14:35 / 关键字: SK海力士, 20nm, DDR3L-RS, DRAM

      日前SK海力士对外宣称,其DDR3L-RS内存芯片已经完成开发。这种内存芯片基于DDR3L标准打造,采用了20nm制程工艺,其中“RS”的后缀代表“Reduced Standby”,意味着功耗比普通DDR3L更低。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(1)

  • 受制于芯片代工厂,Maxwell显卡能准时登场吗?

    Blade 发布于2012-08-28 15:58 / 关键字: NVIDIA, 麦克斯韦, Maxwell, 20nm

      目前我们都非常关注NVIDIA的开普勒系列显卡,特别是传闻即将登场的GK106核心,因为这是首颗面向主流市场的图形核心,它的发布意味着开普勒显卡产品线的完善(其实还得算上尚未确定是否存在的GK110)。不过我们今天要说的不是开普勒显卡,而是距离我们还有一段距离的、开普勒产品的接班人麦克斯韦(Maxwell)显卡。

    来源:VR-zone

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(15)

  • 升级20nm工艺闪存,OCZ Agility 3低调更新

    bolvar 发布于2012-08-22 09:28 / 关键字: OCZ, Agility 3, 20nm, AGT3-25SAT3-120G.20

      虽然Agility 4系列已经发布,而且也有了性能测试,但是OCZ似乎并不打算让使用自家主控的A4完全取代现有的Agility 3系列,后者将低调升级为20nm工艺NAND闪存,要在低端市场继续存在一段时间了。

      在OCZ的一份官方PDF中介绍了20nm闪存的A3性能,新型号名为AGT3-25SAT3-120G.20,现有产品则是AGT3-25SAT3-120G,主控依然是SF-2281,但是闪存从IMFT的25nm MLC换为20nm MLC,当然还是要保持同样的异步(Asynchronous)特色。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论

  • 全线升级20nm闪存,Intel年内推出335与525系列SSD

    Strike 发布于2012-07-31 10:17 / 关键字: 20nm, 335, 525, SSD

      很早之前就有Intel准备在年底发布采用20nm NAND的SSD的消息,现在VR-Zone那里放出了最新的消息,Intel会在今年第三季推出335系列SSD,而第四季会推出525系列。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(1)

  • ARM将携手台积电引入20nm级别工艺和FinFET技术

    Blade 发布于2012-07-24 15:40 / 关键字: 台积电, ARM, 20nm, FinFET

      日前ARM与台积电宣布,他们将共同合作开发20nm工艺级别的处理器,并为64位ARM处理器引入FinFET技术。此次合作的内容将在前者的ARMv8架构产品中得以体现,最终产品将用于进攻注重节能的移动领域以及企业级市场。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(1)

  • 台积电计划明年试产20nm工艺,2015年引入FinFET技术

    Blade 发布于2012-07-23 17:47 / 关键字: 台积电, 20nm, 工艺

      虽然28nm工艺的产能依然处于供不应求阶段,不过台积电已经把目光瞄准了下一代的20nm工艺,并计划在明年开始小规模投产。当然这还谈不上是量产,只是一种实验性生产,或者说是风险性试产而已,只有到了2014年才是20nm正式登场的良好时机。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论

  • 19nm对决20nm,下一代SSD性能实测

    bolvar 发布于2012-06-09 13:46 / 关键字: NAND, 20nm, 19nm, SF-2281

      主流的NAND闪存工艺是25nm,东芝则为24nm,下一代工艺就是ONFI阵营的20nm以及东芝Toggle DDR阵营的19nm了,ComputeX展会上东芝正式发布了19nm工艺的SSD新品,而IMFT的20nm工艺SSD也有展出,之前我们也做过一个20nm工艺SSD的全球首测。   Tweaktown现场测试了这两款SSD,包括东芝19nm工艺和IMFT 20nm工艺的,使用的主控都是SF-2281,他们是发了两篇新闻的,这里整合到一起,但是还是两页来显示。

      测试系统由LSI提供,Tt强调与他们日常测试的优化机器配置不同,而且开了C-State节能,性能有可能偏低一些。

      详细阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(3)

  • 新工艺的阵痛,20nm闪存120GB SSD全球首测

    thesea 发布于2012-06-01 16:53 / 关键字: 20nm, NAND Flash, SuperSSpeed

      在《十四款120/128GB SSD横向评测》一文中,我们已提到,NAND Flash工艺的进步会让SSD的成本越来越低,这样更容易普及和平民化。

      目前NAND Flash四大阵营中,英特尔和镁光的主流工艺为25nm,三星为27nm,海力士为26nm,而东芝为24nm,基本是同一级别产品。英特尔和镁光在34nm/25nm这两代上都领先一步,东芝后来居上,24nm至少在数字上要比25nm小,芯片密度更高。

      详细阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(15)

  • 成本与性能齐降,20nm闪存SSD性能抢先曝光

    thesea 发布于2012-05-18 13:09 / 关键字: SuperSSpeed, NAND, 20nm

      虽说Intel 20nm NAND闪存到Q3才开始量产,但是目前仍有小量的20nm NAND闪存试产出来,像在Intel NAND上极有资源优势的SuperSSpeed,已经拿到了20nm的NAND闪存,并搭配SF2281主控开始生产新一代制程的SSD了。

    Intel NAND各制程下的Die比较

      详细阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(9)

  • 为抢苹果订单而做准备,台积电计划提前投产20nm工艺

    Blade 发布于2012-05-03 10:19 / 关键字: 台积电, 苹果, 订单, 20nm

      目前苹果的A5X处理器依然使用45nm工艺打造,由三星进行代工,不过有消息称其下一代CPU将使用28nm甚至是20nm工艺打造,因此台积电正在计划提前投产其20nm工艺,希望藉此获得苹果下一代平板机/智能手机处理器的代工资格。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(2)

  • 25nm SSD命不久矣,Intel 20nm新品年底就绪

    bolvar 发布于2012-04-11 11:28 / 关键字: Intel, 20nm, SSD, 330 Serices

      目前SSD所用的NAND闪存工艺还是25nm,从去年二三月份发布的镁光C400、Intel 320系列等主流SSD算起才不过1年的时间,Intel最近又悄悄发布了320 SSD的替代品330系列,不过工艺进步的步伐是挡不住的,330系列很可能活不了多久,因为Intel年底就会升级20nm NAND工艺,新一波升级即将开始。 25nm NAMD的SSD很快就会被20nm工艺产品取代

      说是到年底,实际上从第四季度的10-11月开始,Intel的20nm SSD就会量产,现有的320、520以及刚刚发布的330系列都会被新品取代。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(1)

  • NVIDIA到底多恨TSMC,PPT告诉你发生了什么事

    bolvar 发布于2012-03-27 17:48 / 关键字: NVIDIA, TSMC, 20nm

      商场如战场,私下里恨不得把竞争对手都灭掉,但是表面功夫还要做好,称呼也都是斯斯文文的“友商”如何如何,如果是合作伙伴的话那就更亲切了,即便有矛盾也很少公开抱怨,尖锐的批评或者指责就更少了。   NVIDIA已经不止一次抱怨过TSMC 28nm工艺问题,认为后者的工艺进展不畅导致NVIDIA的GPU发布一再延期,看起来这些抱怨相当轻微,但是实际上NVIDIA对TSMC绝对是“怨之深也、恨之切也”,私下的抱怨相当强烈,顺带着也批判了TSMC未来的20nm工艺,认为它不值一文(essentially worthless),他们也不会花钱用在这代工艺上(there's no money in 20nm),Extremetech近日刊文详细分析了其中的缘由。

      这些内容是NVIDIA在去年11月份举行的ITPC会议(International Trade Partner Conference)上发布的,应该是没有公开的,因为激烈批评合作伙伴是业内的禁忌,此类情况非常少见,因此XtremeTech网站表示看到这些内容很震惊,也不知他们是从哪里搞到来源的。

      详细阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论(15)

  • 采用HKMG技术打造,美光表示20nm工艺闪存寿命有保证

    Blade 发布于2011-12-23 14:05 / 关键字: 美光, 英特尔, IMFT, 闪存, 20nm

      由于工艺从34nm进步到25nm后,NAND闪存芯片的写入寿命有所下降,因此在美光和英特尔开始使用20nm工艺打造新产品的时候,业界普遍担心新工艺会再一次让闪存芯片寿命下降。不过美光则明确表示,20nm制程工艺应用了HKMG技术,对应产品的寿命与25nm工艺产品处于同一水平。

      展开阅读 

    分享
    | 收藏 | 评论

  1 2 3 4 5 6 7