根据etnews的报道，三星已经在第七代V-NAND闪存的开发中取得了重大进展，并且已经加快了开发进程，三星此前一直在用单堆栈技术来生产3D闪存，而第七代V-NAND将会改用双堆栈技术，以便制作更高层数的3D闪存，其实东芝与西数的BiCS 5闪存就是使用两层56层的堆栈合在一起组成一个112层堆栈的芯片的。

目前闪存增加容量的方式已经不像CPU和GPU那样依靠更精细的工艺来增大晶体管密度了，而是通过3D堆叠工艺来增加堆栈层数，堆栈数越多存储密度就越大，进入到2020年，各个闪存厂家都准备推100层以上的3D闪存，三星现在的第六代V-NAND就是100+层，具体堆叠层数没明说，东芝、西数的BiCS 5是112层的，而SK海力士最新的是128层，Intel和美光最新的也是128层，不过Intel已经在准备144层的3D闪存。

当然了不能光看层数来看3D闪存的存储密度，因为闪存内部除了存储层之外还有逻辑层，当中的占比厂家们肯定不会说。

集邦科技旗下的DRAMeXchange上周末发布了2019年NAND闪存市场研究报告，指出2018年NAND Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位容量成长过多导致过剩状况加剧。

根据他们的报告，去年韩国厂商开始带头削减资本支出，NAND闪存市场总体资本支出减少了10%，不过依然没有阻止供需失衡情况。2019年美国厂商也会削减资本支出，全年NAND闪存资本支出预计为220亿美元，比去年减少2%。

受此调整影响，虽然去年底各厂商就量产了92/96层堆栈的3D NAND闪存，不过到了2019年底这类闪存的产能占比也只有32%，超过50%的依然是64/72层堆栈的3D NAND闪存，预计今年的位容量增长只有38%，低于去年的45%增长。

在这样的情况下，今年的NAND闪存价格还会继续走跌，DRAMeXchange指出，由于原厂在各产品线的合约价报价跌幅皆明显高于预期，显示原厂正面临庞大的库存压力。因此，NAND Flash 2019年第一季市场均价季度跌幅度可能从原先估计的10%，一举提高至20%水平，第二季报价可能将续跌将近15%。下半年有旺季需求，跌幅可望略微收敛，但各季价格跌幅仍将维持在10%左右水平，还要看原厂是否能再进一步降低自身产出水位。

综上所述，DRAMeXchange认为，今年旺季若仍无足够需求动能支撑，NAND Flash市场均价跌幅则可能扩大至50%水平，近乎腰斩。

NAND闪存从2D进入3D时代之后，堆栈层数成了提高容量、降低成本的一个重要指标，三星、东芝、美光、SK Hynix、英特尔等公司已经先后量产了24/32层、64/72层及96层堆栈的3D NAND闪存，其中96层堆栈的3D闪存是今年推出的，2019年会是几家NAND大厂的量产主力，核心容量也提升到了1Tb-1.33Tb级别。

相比这些公司，主力搞3D闪存的长江存储今年生产的还是32层堆栈的，核心容量仅为64Gb，月产能大概是6000片晶圆/月，主要用于U盘芯片等低端产品。按照规划，长江存储2019年将会量产64层堆栈的3D闪存，Digitimes报道称长江存储CEO杨士宁表示2019年底开始生产64层堆栈的3D NAND闪存，公司的毛利率将从负的转向正的，量产之后产能可达10万片晶圆/月。

虽然64层堆栈层数明年还是会落后于三星等大厂，不过长江存储今年在FMS国际会议推出了3D Xtacking技术，只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

此外Xtacking技术可以充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势，实现了并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

长江存储对Xtacking技术也很自信，所以杨士宁表示他们的64层3D NAND闪存能够与现有的96层堆栈3D闪存相竞争。

在此之后，长江存储在2020年会跳过96层堆栈直接进入128层堆栈的3D NAND时代，那个时候三星等国际公司大概也是刚刚量产128层堆栈的3D闪存，至少技术层面上不会再落后太多了。

对于国内的存储芯片公司来说，即便技术差距缩短了，如何在这个市场中活下来依然是长期的难点，产能爬坡、良率等问题对没有多少经验的国内存储公司来说还需要很多时间才能解决，更别说制造出有竞争力、能赚钱的NAND芯片了。

根据SK Hynix之前公布的信息，所谓的4D NAND闪存其实也是3D NAND，它是把NAND闪存Cell单元的PUC（Peri Under Cell）电路从之前的位置挪到了底部，所以叫了4D NAND闪存，本质上其实还是3D NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。

SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。

至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。

韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。

根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而主要生产基地就是刚刚落成的M15工厂，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。

西数的闪存源自被收购的闪迪，后者是跟东芝共同投资生产NAND闪存的，9月底双方投资的四日市Fab 6工厂启用，总投资5000亿日元，折合约45亿美元，落成后主要生产新一代3D NAND闪存，堆栈层数可达96层。此前东芝、西数也宣布了96层3D NAND闪存的出样，现在西数首发了业界第一款96层堆栈的UFS 2.1闪存iNAND MC EU321。

西数官方公告中没有提到iNAND MC EU321是TLC闪存还是QLC闪存，考虑到最大容量才256GB以及QLC闪存的进度，iNAND MC EU321使用TLC类型的可能性还是最高的。

iNAND MC EU321容量涵盖32GB、64GB、128GB及256GB，UFS 2.1 HS-G3标准，封装尺寸为11.5x13x1.0mm。性能方面，连续读取可达800MB/s，连续写入550MB/s，随机写入52K IOPS，随机读取50K IOPS，写入性能号称比前代提升10%。

早在2015年8月份的时候，SK Hynix在当时全球最大的存储芯片工厂M14落成时宣布了46万亿韩元（当时约合382亿美元）的十年期投资计划，M14工厂位于韩国利川市，主要生产DRAM内存，投资15万亿韩元，而在忠清南道的清州市还会建设一座3D NAND工厂M15，利川市未来还会再建设M16工厂，主要生产DRAM芯片。

来自韩国媒体的报道称，清州市的M15工厂将在10月4日举行竣工典礼，总投资高达15万亿韩元，约合135亿美元。初期将生产现在的72层堆栈3D NAND，不过明年初就会转向96层堆栈的3D NAND闪存，后者是目前最新一代的3D NAND技术，与72层NAND闪存相比，在速度、容量及能效方面提升了30-40%。

随着全球NAND闪存的需求增长，主要的厂商都在加大对NAND闪存的投资。三星在中国西安投资70亿美元建设了第二座NAND工厂，预计明年底在西安开始生产48层到64层堆栈的NAND闪存。东芝最近在日本建立了类似的NAND工厂，YMTC长江存储完成了32层NAND闪存的开发，计划今年底开始生产。

对SK Hynix公司来说，M15工厂的建成也有助于他们减少对DRAM内存的依赖性，今年Q2季度该公司占据全球DRAM内存市场份额的29.6%，NAND闪存市场排名第四，份额为11.1%，去年DRAM内存占了公司利润额的90%。

在全球NAND闪存市场上，三星份额达到37%，东芝、西数分别在20%、15%左右，其次是美光、SK Hynix，英特尔是六家厂商中份额最少的，不足10%，这也导致英特尔的NAND闪存及SSD硬盘主打企业级市场，消费级SSD就是玩玩，影响力远不如三星、东芝、美光等，根源问题则是英特尔没有独立的NAND闪存产能。

2015年英特尔宣布将在中国大连的Fab 68工厂建设二期工程，主要生产非易失性存储器，也就是NAND闪存，项目总投资不超过55亿美元。如今经过三年的建设，Fab 68二期工厂正式投产，主要生产96层3D NAND闪存，这也意味着英特尔未来的3D NAND闪存产能将会大增。

英特尔公司2006年与大连市政府达成合作协议，2007年起在大连投资25亿美元建设12英寸晶圆厂，主要负责处理器封装测试，2010年大连工厂正式落成。

未来大连Fab 68工厂将成为英特尔最重要的NAND闪存生产基地，70%的3D NAND闪存将产自这里，不过在3D XPoint闪存上，英特尔正在把研发基地移师新墨西哥州奥兰珠市的工厂，预计会增加100多个工作岗位。

目前英特尔与美光的3D XPoint闪存主要是在美国犹他州的工厂生产，双方将继续通力合作完成第二代3D XPoint技术开发，最终将会在2019年上半年完成并开始推出市场。但之后两家就会分道扬镳，各自开发基于3D XPoint技术的第三代产品。

刁石京原本是国家工信部电子信息司司长，今年5月份转任紫光集团联席总裁，负责紫光集团旗下的芯片业务，除了长江存储等芯片制造业务之外，还有紫光展锐等半导体芯片设计等业务。上周末他在武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司表态称今年Q4季度紫光将量产32层堆栈的3D NAND闪存。

根据紫光公司之前的资料，长江存储的32层堆栈3D NAND闪存是该公司集合了1000多名员工、耗资10亿美元、历时2年研发成功的，这是国内存储芯片中水平最接近世界一流水平的了。但是从之前的公开资料来看，紫光的32层3D NAND闪存核心容量还是64Gb的，这跟目前256-512Gb核心容量的水平还有点距离，另外QLC闪存的核心容量已经走向1Tb以上了。

此外，刁石京还提到紫光目前正在研发64层堆栈的3D NAND闪存，预计明年量产。

对国内的存储芯片公司来说，技术积累还需要长期投入，前不久长江存储宣布了新型3D堆栈结构Xtacking，号称I/O接口速度达到了DDR4内存的水平，同时具有业界领先的存储密度，该技术将在今年8月7日的国际闪存会议FMS上公开。

我们也从长江存储方面了解到，这个Xtacking堆栈技术主要用于长江存储64层3D NAND闪存上面，不过具体的I/O接口速度做到多少将取决于市场需求。

与中芯国际的EUV光刻机不同，长江存储购买的ASML光刻机还是传统的193nm沉浸式光刻机，可生产14-20nm工艺的晶圆。由于闪存跟处理器工艺并不同，所以14-20nm工艺在目前的NAND闪存工艺中依然是很先进的，而且3D闪存更不依赖工艺微缩了，考验的是堆栈层数，几年前三星最早推出的3D NAND闪存还是34nm工艺的，反而是工艺越低，闪存的PE寿命、可靠性更高。

目前运抵武汉的光刻机只是第一步，长江存储未来还会购买更多的光刻机用于NAND闪存。

紫光旗下的长江存储前身是武汉新芯科技，2016年在武汉开工建设国内最大的NAND闪存生产基地，目前建设三期工程，总投资240亿美元，一期工程主要针对NAND闪存，月产能30万片晶圆，二期工程面向DRAM内存，三期工程则是为晶圆代工准备，建成之后总产能可达100万片晶圆/月。

长江存储的主体建筑工程在2017年9月提前竣工，后续开始生产设备安装，今年5月4日首批400万美元的精密仪器进场安装，现在的光刻机安装则是下一步。

国产NAND闪存预计在2018年下半年开始量产，不过长江存储目前研发的闪存才是32层堆栈64Gb核心，相比主流的64层堆栈256Gb-512Gb核心要落后两年以上，此前长江存储已经表态正在研发64层及以上堆栈的3D闪存，整个工程大规模量产要等到2019年初，所以明年真正生产的国产闪存可能会变成64层3D NAND闪存。

身在日本的PC Watch前往了本次会议的研讨会，自3D-NAND诞生以来它的堆叠层数就在不断的增长，三星造出来的第一代3D V-NAND只有24层，下一代就变成了32层，随后就变成48层，到了现在大多数厂商都是64层，而SK海力士则是72层，而下一代的3D-NAND堆叠层数将超过90层，再下一个阶段会超过120层，到了2021年会超过140层。

而闪存的Die Size也随着堆叠层数的增长而增长，在32层时代的时候是128Gbit，48层时256Gbit，64/72层是512Gbit，明年的96层闪存应该会达到768Gbit，128层应该会有1024Gbit的Die Size，达到144层时就不清楚会有多大了，肯定会大于等于1024Gbit。

在堆叠层数增加的时候，存储堆栈的高度也在增大，然而每层的厚度缺在缩小，以前的32/36层3D NAND的堆栈厚度为2.5μm，层厚度大约70nm，48层的闪存堆栈厚度为3.5μm，层厚度减少到62nm，现在的64/72层闪存堆栈厚度大约4.5μm，每层厚度减少到60nm，没升级一次堆栈厚度都会变成原来的1.8倍，而层厚度会变成0.86倍。

现在各家厂商都在3D NAND上加大力度研发，尽可能提升自己闪存的存储密度，此前东芝与西数就宣布计划在今年内大规模生产96层堆叠的BiCS4芯片，并会在年底前发货。

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今年5月10日上海展览中心举办了首届中国自主品牌博览会，这次展会得到了国家发展改革委联合中宣部、工业和信息化部、农业农村部、商务部、国家市场监管总局、国家知识产权局、上海市人民政府的支持，主题为 “中国品牌、世界共享”，紫光集团代表北京市品牌企业参展。

紫光集团下的紫光展锐展示了SC9850HK芯片，号称是全国第一家、世界第二家拥有自主嵌入式CPU关键技术的手机芯片平台，是中国手机CPU芯片设计领域的一项重大突破。这款芯片是中国首款拥有自主嵌入式CPU关键技术的LTE手机芯片，其中的核心CPU为独立自主设计，并在此基础上建立独立安全机制，有效保障信息安全。

不过引人关注的是紫光的国产NAND闪存的公开展出，根据官方资料介绍，国产32层3D NAND闪存是长江存储耗资10亿美元，1000人团队研发2年出来的具备国产自主知识产权的3D NAND芯片。

关于制造工艺，紫光没有明确提到工艺信息，但表示这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

目前国产32层3D NAND闪存已经研发成功，长江存储国家存储器基地项目芯片生产机台已进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

根据之前的报道，长江存储将在武汉投资建设三期工程，目前即将完工的是一期工程，投资240亿美元，主要生产NAND闪存，建成后产能将达30万片晶圆/月。

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三星2013年宣布在中国西安市投资70亿美元建设存储芯片工厂，2015年底工厂完工，主要生产NAND闪存，包括最新的3D NAND闪存，今年三星还会从32层堆栈转向更高的64层堆栈，西安工厂也会是主要产地之一，该工厂每月产能高达12万片晶圆，比三星目前在韩国本土的Line 16/17产线产能都要高得多。

即便如此，NAND闪存涨价、缺货的大环境下，西安的产能也满足不了市场需求了，韩国投资者报刊文称三星正在跟当地政府谈判扩产西安工厂，投资高达10万亿韩元，约合89.3亿美元。目前双方的谈判已经接近完成，预计会在9月份动工。

西安的新工厂预计在2019年完成，届时总产能将达到20万片晶圆/月。三星前不久宣布韩国平泽市的NAND晶圆厂将在上半年完工，预计会在6月份开始运转，产能也高达20万片晶圆/月，不过之前的消息显示今年内产能可能只有7-8万片晶圆/月，一两年之后才能全速运转。

值得注意的是，三星大举扩建NAND晶圆厂的同时，中国国产的NAND工厂也在快马加鞭，清华紫光旗下的长江存储科技在武汉的总投资高达240亿美元，一期工程就是针对NAND闪存而来的，长江存储早前表示将在2018年量产32层堆栈的3D NAND闪存，想要了解更多国产NAND闪存进展可以加小超哥（id：9501417）微信咨询。

但是三星今年就要过渡到64层堆栈了，到2018或者2019年时3D NADN闪存有可能堆栈到96层甚至更高，依然要领先国产NAND闪存一两代的技术水平。

不论如何，国产NAND闪存都要进行下去，这里面既有国家意志的作用，也有现实的考虑，中国智能手机、电脑等行业需要的NAND闪存几乎全部依赖国外厂商，别人的技术、产能都是领先的，追赶起来不易，但不去追赶就永远没机会了。