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瞄向15nm/3D闪存,东芝、闪迪扩建Fab 5、新建Fab 2晶圆厂
bolvar 发布于2014-09-11 12:36 / 关键字: 东芝, 闪迪, 15nm NAND, 3D闪存
今年下半年NAND闪存制程将向15/16nm迈进,东芝、闪迪今年4月份已经在Fab 5工厂试产15nm闪存。随着需求的增大,15nm晶圆厂产能也要增加,东芝、闪迪宣布为期一年的Fab 5二期工厂今年9月份就会竣工。为了布局未来的3D闪存,双方现在日本四日市新建Fab 2晶圆厂,预计2016年投产3D闪存。
东芝、闪迪在日本四日市已经有Fab 5 一期工厂,始建于2010年,完成于2011年,这也是东芝系NAND产能的主力。去年8月份东芝、闪迪开始建设二期工程,今年9月份会完工。
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三星宣布32层堆栈的TLC V-NAND闪存,850 Evo真的不远了
bolvar 发布于2014-08-06 10:11 / 关键字: 三星, V-NAND, TLC, 3D闪存, 850 evo
三星之前发布的850 Pro固态硬盘,首次使用了3D堆栈的V-NAND闪存,还是MLC规格的,但是三星欲说还休地透露了会存在TLC规格的V-NAND闪存。在刚刚开幕的PCM国际闪存会议上,三星正式宣布了3bit V-NAND闪存,也就是TLC V-NAND闪存,也是32层堆叠,这意味着840 Evo的继任者850 Evo真的不远了。
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