目前，OCZ方面并没有透露该新内存的价格。

　　消息来源：[tcmagazine]

　　Jance LU还表示，将会有更多内存厂商在3月份转向DDR3内存，DDR3内存将很快成为市场主流。在第三季度，DDR3内存的需求量增大将推动价格上涨，平均价格有望提升3美元左右，不过在第四季度则有可能会出现生产过剩的现象，从而导致DDR3内存价格下滑。

　　另外，Jance Lu还预测NAND闪存芯片的价格在第三季度将出现升幅，而64Gb闪存芯片将成为2010年的主流。

消息来源：[Digitimes]

　　该芯片的功耗比50nm级别内存芯片要低30%，一款4GB 30nm内存条用于笔记本时每小时仅消耗3W，仅为笔记本总功耗的3%。

　　30nm级别工艺对提高量产效率也大有帮助，据介绍，30nm级别工艺DDR3芯片产能比40nm级别要高60%，同时也是50nm-60nm级别工艺的两倍。

　　南亚科技副总裁兼发言人白培霖日前表示，下个月内存颗粒的合约价格将持续上涨，而且由于DRAM产能扩充幅度不能满足PC更新需求，所以2010年很可能会面临短缺状况。

　　自今年八月份以来，主流DDR2颗粒的合约价格一直在上升，在10月初更是首次超过了DDR3的价格。据估计，这一上涨趋势还将持续下去。

　　白培霖预计，到2010年第一季度各大OEM厂商都将把DDR3内存应用到50%的PC和服务器当中。虽然微软本身持谨慎态度，但是Windows 7无疑将推动新一轮的PC升级。在Windows 7的促进下，DRAM产业有望在明年实现好转，甚至有可能恢复到1995年的巅峰状态。但是，由于产能扩张非常有限，内存芯片将在明年出现供不应求的状况。

　　他表示，“PC市场比我们预计的要乐观，但是我们仍需谨慎，因为市场需求正处于一个敏感时期。”

　　目前尔必达（Elpida）、海力士（Hynix）、美光（Micron）和三星（Samsung）都在加大DDR3芯片的产量。据悉，海力士和三星两家内存厂商共同主导着DDR3内存市场，分别掌握45%的市场份额。

　　在卖场中，1GB DDR2的报价在10月8日一天之内就上涨了5%，1GB DDR2 800MHz内存的评价售价为2.24美元；而DDR3内存价格上升趋势有所放缓，这主要是各大主要DRAM厂商增加DDR3颗粒产量的成果。日本尔必达（Elpida）9月份亦已把DDR3内存颗粒产量提升至7.5万，而在8月份仅有2~3万；韩系DRAM大厂三星也宣布会加大DDR3内存产量，相信DDR3内存价格很快就会有所回落。

图表来自：Digitimes

　　根据Digitimes从市场调研机构收集的相关资讯可知，目前1Gb DDR2芯片的价格是1.6美元，而1Gb DDR3芯片为1.9美元，虽然还有0.3美元的差距，但在未来几个月内这两条价格曲线将会逐渐拉近距离，很快将会产生交叉点。

　　在8月初，由于DDR3芯片出现产量不足的情况，故价格有所上升，致使PC销售厂商更多地选择廉价的DDR2内存，致使DDR2价格也有同步上升。不过估计DDR3价格将在今年第四季度有所回落接近DDR2并出现交叉点。随着需求的不断增大及各内存厂商逐渐转型DDR3，明年DDR3将成为主流。

　　OCZ共发布了6款DDR3双通道内存组，包括三款白金版（Platinum）和黄金版（Gold），频率分为1333MHz、1600MHz、1866MHz三种，容量均为4GB（2*2GB），标准工作电压为1.65V，时序由7-7-7-20到10-10-10-27不等，各款内存组的具体参数如下：

　　OCZ DDR3 PC3-15000 Platinum Low Voltage (2x2GB) 9-9-9-27 @ 1.65V 　　OCZ DDR3 PC3-15000 Gold Low Voltage (2x2GB) 10-10-10-27 @ 1.65V 　　OCZ DDR3 PC3-12800 Platinum Low Voltage (2x2GB) 7-7-7-24 @ 1.65V 　　OCZ DDR3 PC3-12800 Gold Low Voltage (2x2GB) 8-8-8-24 @ 1.65V 　　OCZ DDR3 PC3-10666 Platinum Low Voltage (2x2GB) 7-7-7-20 @ 1.65V 　　OCZ DDR3 PC3-10666 Gold Low Voltage (2x2GB) 9-9-9-20@ 1.65V

　　相信随着Lynnfield处理器及更多P55主板的上市，将会有更多不同品牌的DDR3双通道内存套装进入市场。

　　Corsair XMS3系列针对P55平台新增加了8GB（2x4GB）和4GB（2x2GB）内存套装了，频率在DDR3-1333至1600MHz不等，时序为8-8-8-24或9-9-9-24，具体见下面列表，所有内存均通过JEDEC标准认证。

　　•CMX8GX3M4A1600C9 - 2x 4GB, DDR3-1600, 9-9-9-24　　•CMX8GX3M4A1333C9 - 2x 4GB, DDR3-1333, 9-9-9-24　　•CMX4GX3M2A1600C8 - 2x 2GB, DDR3-1600, 8-8-8-24　　•CMX4GX3M2A1600C9 - 2x 2GB, DDR3-1600, 9-9-9-24

图片来自Hexus 

　　据悉，G.Skill还在为即将发布的Intel Lynnfield平台准备两款更为高端的双通道DDR3内存套装，频率将高达2000MHz（CL9）和2200MHz（CL8）。

　　G.Skill系列内存采用最新的散热技术，并提供终身质保，售价暂时未知。

　　XPG Plus DDR3-2200+ v2.0内存的运行速度超过2200MHz，时序为CL8-8-8-24，工作电压为1.65V，分为1GBx2和2GBx2版本。

　　该内存采用先进的Thermal Conductive Technology（热传导技术），并在PCB内加入铜来提高内存的工作效率，并有效散热。

　　威刚单根4GB DDR3内存即将上市发售，并具备了终身质保，但售价以及内存的具体参数则暂未透露。

　　三星2Gb的DDR3内存颗粒将用于制作16GB、8GB、4GB的服务器内存，以及单根最大容量4GB的工作站、桌面PC或笔记本内存。

　　据市场调研公司iSuppli的调查，2Gb DDR3在2010年将成为主流规格的内存，而到2012年其占有率将达到82%。

　　据悉，近日不断有用户反映：海盗船及其它不同品牌的内存条均出现了问题，而这些问题内存采用的均为尔必达的Hyper颗粒。

　　海盗船官方实验室通过测试发现，采用尔必达Hyper颗粒的内存条的确存在问题，不过问题出现概率其实是很低的。基于对客户的负责，海盗船还是宣布停止销售采用Hyper颗粒的Dominator GT系列内存条，而已经购买了该系列内存的用户则可继续享受售后服务。

　　涉及的问题内存具体型号如下：　　TW3X4G1600C6GTF（1600MHz 6-6-6-18）　　TR3X6G1866C7GTF（1866MHz 7-8-7-20）　　TR3X6G2000C8GTF（2000MHz 8-8-8-24）　　TR3X3G2000C7GTF（2000MHz 7-8-7-20）　　TR3X6G2000C7GTF（2000MHz 7-8-7-20）

　　至于现货市场，DDR3 1Gb芯片将稳定在1.5~1.7美元的价格范围内，相比DDR2 1Gb芯片5月份的价格高出50%左右。

　　据DRAMeXchange的分析，预测DDR3内存的占有率将会在年底飙升至30%，并且亦会有更多内存厂商把产生重点向DDR3转移。在工艺方面，至少会有70%的DDR3芯片采用50nm以内的工艺，向50nm工艺转型的主要为韩系厂商；而日系厂商则以65nm工艺为主流；台系Nanya和Inotera等厂商虽然目前采用70nm工艺，但在下半年将转入Micron的68nm及50nm技术，与韩日厂商进行竞争，而Powerchip和Rexchip亦将获得量产能力。