• 2024年HBM产值占比将达到DRAM产业约20.1%,相比2023年8.4%大幅增长

    吕嘉俭 发布于2024-03-18 19:22 / 关键字: DRAM, HBM

    近年来高带宽内存(HBM)的需求急剧上升,尤其是人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显,HBM产品的销量节节攀升。虽然去年存储半导体行情疲软,但是HBM3这类高附加值产品需求激增,填补了存储器厂商其他产品的损失。此前有报道称,随着英伟达和AMD等公司大量生产AI GPU,市场需求飙升了500%,而且价格创下了历史新高。

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  • 经过长时间与库存及需求的纠缠,三星DRAM业务时隔5个季度实现盈利

    吕嘉俭 发布于2024-03-07 10:34 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM

    作为全球最大的芯片制造商之一,过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷,让三星损失惨重,连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争,DRAM业务陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑,最终三星不得不通过减产等手段,将管理重点放在了盈利能力上,但是进展一直不太顺利。

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  • DRAM产业2023Q4营收增近30%,合约价也有近20%涨幅

    吕嘉俭 发布于2024-03-05 14:30 / 关键字: DRAM

    TrendForce发布了新的调查报告,显示受惠于企业备货市场回暖,以及三大原厂控制产能效益显现,2023年第四季度DRAM产业的营收约为174.6亿美元,环比增长了29.6%。2024年第一季度原厂目标仍是改善盈利,具有强烈的涨价意图,使得2023年第四季度DRAM合约价也有近20%涨幅,不过出货位元则面临传统淡季而略微衰退。

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  • 三星研究将MUF应用到服务器DRAM,改善封装工艺并提高生产效率

    吕嘉俭 发布于2024-03-04 14:08 / 关键字: DRAM

    据The Elec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MR MUF工艺测试,结果显示与现有的TC NCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。

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  • 内存价格涨势或确定,预计至少持续半年

    吕嘉俭 发布于2024-02-23 14:22 / 关键字: DRAM

    此前TrendForce的市场研究显示,2024年DRAM合约价预计维持增长,其中2024年第一季度DRAM合约价季涨幅约13~18%,第二季度合约价季涨幅减则是3~8%,第三季度合约价季涨幅8~13%,第四季度合约价季涨幅约8~13%。至少从市场研究调查机构的角度来看,今年内存涨价似乎已不可避免。

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  • 2024年DRAM和NAND闪存季度合约价预测:全年均维持上涨趋势

    吕嘉俭 发布于2024-01-20 12:32 / 关键字: DRAM, NAND

    据TrendForce最新的市场研究显示,DRAM产品合约价自2021年第四季度开始下跌,已经连续下跌八个季度,不过从2023年第四季度开始将会起涨。 NAND闪存方面,合约价自2022年第三季度开始下跌,已经连续下跌四个季度,至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下,DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

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  • 手机品牌备货带动移动DRAM和eMMC/UFS涨价,预计2024Q1涨幅达18~23%

    吕嘉俭 发布于2023-12-20 10:56 / 关键字: DRAM

    据TrendForce最新的统计数据,预计2024第一季度年移动DRAM及NAND闪存(eMMC/UFS)均会出现涨价,且涨幅将达到18~23%。不排除因寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况,有可能会进一步拉升涨幅。

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  • DRAM产业2023Q3营收增约18%,预计下季度合约价格上涨约13%至18%

    吕嘉俭 发布于2023-12-05 09:12 / 关键字: DRAM

    TrendForce发布了新的调查报告,显示今年第三季度DRAM产业的营收约为134.8亿美元,环比增长了18%。下半年市场需求逐步回暖,加上人工智能(AI)话题热度持续和买方重启备货,使得各原厂的营收都有所增长。

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  • SK海力士在服务器DRAM市场击败三星,占据了近一半的市场份额

    吕嘉俭 发布于2023-12-01 16:36 / 关键字: SK海力士, SK hynix, DRAM, 三星, Samsung

    很长时间里,三星一直是DRAM市场的领导者,不过最新的统计数据显示,SK海力士在2023年第三季度的服务器DRAM这一细分市场坐上了头把交椅,很大程度得益于其最新标准的DDR5服务器内存在市场竞争中处于优势地位。

    据Business Korea报道,SK海力士在2023年第三季度占据了49.6%的服务器DRAM市场份额,销售额达到了18.5亿美元,稳稳地高居榜首;三星排名第二,市场份额为35.2%,销售额为13.13亿美元,与SK海力士之间已经拉开了差距;美光排在了第三,市场份额为15%,销售额为5.6亿美元。服务器内存产品是一种高附加值的半导体,对企业云端服务和数据中心至关重要,约占整个DRAM市场35%至40%的销售额。

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  • 全行业减产初见成效?DRAM和NAND闪存芯片价格正在上涨

    吕嘉俭 发布于2023-11-30 10:10 / 关键字: DRAM, NAND

    过去一年里,各大DRAM和NAND闪存芯片制造商都选择了减产,人为限制产能输出,从而遏制价格下跌,弥补亏损缺口。经过了多个月的努力,似乎已初见成效,目前DRAM和NAND闪存芯片价格正在上涨,或许会结束长时间供过于求的局面。

    据DigiTimes报道,自今年7月底8月初到达谷底后,DRAM和NAND闪存芯片价格过去几个月里一直在上涨,这也让三星、S海力士和美光这样的存储器大厂处于更安全的位置。在此期间,除了减产措施以外,材料短缺也影响了价格的变动。

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  • SK海力士准备2.5D扇出封装:为下一代HBM和DRAM做准备

    吕嘉俭 发布于2023-11-29 14:41 / 关键字: HBM, SK海力士, SK hynix, DRAM

    借助人工智能(AI)的东风,SK海力士成为了现阶段HBM类产品的市场领导者,占据了最大的市场份额,也是英伟达数据中心GPU主要的显存供应商。目前SK海力士正在开发下一代HBM4,同时计划将相关配套技术扩展到DRAM领域,以更好地利用手上的技术资源。

    据Business Korea报道,SK海力士准备2.5D扇出封装,为下一代HBM和DRAM做准备,确保其技术保持领先的位置。SK海力士希望通过这种封装方式,降低封装的成本,而且能跳过硅通孔(TSV)工艺,同时增加I/O接口的数量。有业界人士认为,这种封装技术很适用于GDDR这类图形DRAM产品。

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  • 中韩NAND闪存技术差距收窄:已缩短至两年左右

    吕嘉俭 发布于2023-11-21 14:07 / 关键字: NAND, DRAM

    近年来,存储器半导体市场的局势逐渐发生了变化,韩国两大存储器巨头三星和SK海力士正面临来自中国厂商的激烈竞争,感受到了更大的竞争压力,技术差距也在不断缩小。

    据Business Korea报道,有业内人士透露,随着中国加大了对存储器半导体行业的投入,经过了多年的发展,目前与世界领先企业的NAND闪存技术差距已缩短到两年左右,不过DRAM仍保持原有的距离,技术差距大概在五年。主要原因是,NAND闪存技术的壁垒相对低一些,使得追赶的速度更快,而且还在不断加速,因此差距缩小得更为明显。

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  • DRAM合约价转为上涨:2023Q4季度涨幅预计3~8%

    吕嘉俭 发布于2023-10-13 16:31 / 关键字: DRAM

    TrendForce发布了新的调查报告,表示自2024年第四季度起,DRAM和NAND闪存均价开始全面上涨。其中DRAM预计按季度上涨3~8%,涨势是否能够延续还要看供应商是否坚持减产策略,以及市场的回暖程度,重点在于通用型服务器领域。

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  • 美光推出1β工艺DRAM:7200MT/s的16Gb DDR5内存

    吕嘉俭 发布于2023-10-11 12:34 / 关键字: 美光, micron, DRAM

    美光宣布,推出使用最新的1β(1-beta)工艺节点批量生产的16Gb DDR5内存,速率达到了7200MT/s。美光表示,新款DRAM芯片采用了high-k CMOS器件技术,相比上一代产品,性能提升了50%,每瓦性能提高了33%,现已交付给所有数据中心和PC客户。

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  • 三星推出12nm级32Gb DDR5 DRAM:业界首款及最高容量同类产品,年底量产

    吕嘉俭 发布于2023-09-01 11:18 / 关键字: 三星, Samsung, DRAM

    三星宣布,推出业界首款及最高容量的12nm级32Gb DDR5 DRAM。这是继三星今年5月开始量产12nm级16Gb DDR5 DRAM以后,扩大了其12nm级DRAM产品线,在相同封装尺寸下提供了翻倍的容量。三星称,此举巩固了其在下一代DRAM技术方面的领导地位,标志着大容量存储器的新篇章。

    三星电子DRAM产品与技术执行副总裁SangJoon Hwan表示:“凭借12nm级32Gb DDR5 DRAM,我们获得了一种新的解决方案,可以实现高达1TB的DRAM模块,使我们能够满足人工智能(AI)和大数据时代对高容量DRAM日益增长的需求。我们将继续通过差异化工艺和设计技术开发DRAM解决方案,突破内存技术的界限。”

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