美光5月底才发布了2018财年Q2季度财报，营收大涨58%、净利大涨270%，今天发布了截至2018年5月31日的Q3财报，当季营收77.97亿美元，上季度为73.5亿美元，去年同期55.66亿美元，同比大涨40%，环比也增长了6%。

美光Q3季度的毛利率达到60.6%，相比上季度的58.1%继续增加，去年同期则是46.9%，这使得美光当季的云盈利达到了39.5亿美元，是去年同期的两倍，而净利润也达到了38.23亿美元，上季度是33.1亿美元，去年同期是16.47亿美元，同比大涨132%，环比也增长了15%。

“得益于强劲的执行力和持续的长期需求趋势，美光公司在第三财季的财务业绩中取得了创纪录的业绩。美光公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示“我们增强了我们的竞争优势，并在几乎所有高价值产品领域增加了收入，美光创造了SSD、移动AND和汽车解决方案以及云计算/企业级、图形DRAM内存收入的新纪录。“

这次出事的内存芯片主要是高端的服务器芯片，Digitimes援引业界消息称三星、SK Hynix的18nm DRAM芯片遇到了技术问题，美国及中国的供应商已经要求韩国内存供应商暂停出货，直到他们解决了18nm DRAM芯片的良率问题。消息人士称这个过程可能需要1-2个月甚至更长时间才能提高产量。

由于18nm良率不稳，服务器DRAM芯片的供应已经非常紧张，用于数据中心的高端服务器内存会更加紧张。此外，由于服务器DRAM芯片供应的不稳定性增加，DRAM芯片Q3季度降价的速度可能比预期更快。（PS：原文说的就是降价，按理说供应不稳的后果不是涨价吗？）

不过出事的三星、SK Hynix内存主要是针对高端服务器市场的，这个问题对笔记本、PC及其他消费级产品的内存来说影响不大，消息人士认为这次曝出的问题不会对整体的DRAM芯片供应产生重大影响。

来自IC经销商的消息称，由于18nm DRAM芯片不稳定，包括阿里巴巴、腾讯、华为、联想在内的中国公司已经开始争抢20nm芯片订单。

DRAM芯片的划代工艺跟处理器不同，目前内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm不明，但是美光之前表态EUV工艺不是DRAM芯片必需的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

ASML提到的EUV光刻工艺路线图

但是美光不用不代表其他厂商不用，三星不仅在处理器芯片上押注EUV工艺，在DRAM芯片上也即将切入EUG工艺。韩国媒体报道称，三星准备在下一代内存工艺上使用EUV光刻，预计2020年的1Ynm DRAM芯片上就改用EUV光刻取代现有的DUV光刻工艺。

使用EUV光刻工艺可以制造更精细的晶体管，减少对多重曝光方案的使用，降低成本，不过EUV工艺目前的问题在于ASML的EUV光刻机还不能达到大规模量产的水平。

根据ASML最新报告，Q1季度该公司共有20台EUV光刻机订单，其中台积电8台，三星6台，英特尔3台，Globalfoundries公司1台，中国中芯国际也有一台订单，不过交付日期还没定。

内存跟CPU等芯片虽然都是集成电路，生产制造过程有相似之处，不过工艺并不相同，CPU逻辑工艺今年进入到了7nm节点，但内存主流的还是20nm、18nm工艺，其中18nm就属于1X nm节点（16-19nm之间），后面的1Y nm则是14-16nm之间，1Z大概是12到14nm。再之后，美光提出的是1α及1β工艺，具体对应xx nm就不明了。

三星是第一家量产18nm工艺，也就是第一个进入1X nm节点的，遥遥领先其他公司，美光现在也开始向1X nm工艺转进，下一代的1Y nm工艺已经进入客户验证阶段了，今年下半年问世，1Z nm工艺节点在处于工艺优化阶段，1α及1β工艺则是在不同研发阶段。

美光CEO Sanjay Mehrotra日前在参加伯恩斯坦年度战略决策会上回答了有关的工艺问题，在EUV光刻工艺上，他认为EUV光刻机在DRAM芯片制造上不是必须的，直到1α及1β工艺上都也不会用到它。

ASML早前分享过内存进入EUV工艺的进度表

在内存工艺上，美光认为1α及1β工艺上依然都不需要EUV光刻工艺，不过早前ASML两年前提到过内存在进入1Y nm节点时就需要考虑EUV工艺了，实际上并没有，包括三星在内的三大DRAM巨头都没有很快进入EUV节点的打算。

与长江存储的国资背景不同，合肥长鑫主要是合肥市政府、投资基金主推的项目，而且专注DRAM内存领域。与紫光的高调相比，合肥长鑫的DRAM项目一直很低调，低调到连官方网站都没有，但从媒体报道中又时常看到长鑫DRAM的进展，比如去年该公司进口了47.9亿元的设备，外贸额位列安徽省第二位。

去年10月份兆易创新宣布斥资180亿元进军DRAM市场，与合肥市产业投资控股有限公司合作，目标是研发19nm工艺的DRAM内存，预计在2018年12月31日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于10%，而这个项目就是跟合肥长鑫合作的，原来传闻的前日本尔必达社长坂本幸雄投资的香港兆基公司已经出局。

来自安徽商报的消息，位于合肥空港经济示范区的长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目的300台研发设备已全部到位，运营及研发团队全部入驻厂房办公区，今年下半年将投片试生产。据了解，长鑫今年有望造出第一颗“合肥造”的19纳米级12寸DRAM工艺的存储器，说的应该就是与兆易创新合作的那个19nm工艺内存芯片了。

目前三星、美光、SK Hynix早已经完成了20nm工艺DRAM芯片的研发，三星主力制程更是达到了新一代的18nm，不过长鑫的19nm内存芯片还不算落后，毕竟三大DRAM之后也只有台系的华亚科完成了20nm级内存工艺研发，而华亚科现在已经被美光全资收购。

合肥长鑫的DRAM项目投资超过72亿美元（495亿人民币），项目建设三期工程，目前建设的是一期工程12英寸晶圆厂，建成后月产能为12.5万片晶圆，安徽商报表示这个产能将占到全球DRAM内存产能的8%。

目前SK Hynix在无锡的DRAM晶圆厂月产能也就是10-12万片晶圆，这么看的话合肥长鑫这个DRAM产能真不低了，8%的全球产能足够影响很大市场份额了，别忘了当年无锡DRAM工厂大火导致全球DRAM市场大涨价呢。

目前唯一的问题就是国产19nm DRAM芯片的良率还是很低的，研发目标是不低于10%，这个水平是不可能量产的，要解决良率问题可能还要几年时间。

今年Q1季度往往是电子产品的淡季，正常情况下厂商的营收、价格都会比去年Q4季度要低才对，但是内存市场这两年一直在突破记录。根据集邦网旗下的DRAMeXchnage的统计，今年Q1季度全球内存市场总营收达到了230.76亿美元，环比上涨5.4%，创下了历史新高。

Q1季度的涨价中，图形DRAM（也就是GDDR5及GDDR5X这些）涨幅达到了15%，主要是基数较低以及挖矿市场的高需求，而其他应用市场的内存芯片涨幅在3-6%不等。

至于Q2季度的内存价格，大部分PC OEM厂商已经完成了采购合同谈判，今年4月份PC电脑内存模组的平均价格达到了34美元，与Q1季度的价格相比，涨幅在3%左右。DRAMeXchange预测PC内存产品在Q2季度还会继续保持涨势。

再来看看不同厂商的表现。

三星依然是全球第一大内存芯片厂商，Q1季度营收103.6亿美元，环比上涨2.9%，市场份额为44.9%，比去年同期的46%有所下降。

SK Hynix今年Q1季度营收64.32亿美元，环比增长2.2%，市场份额27.9%。

美光当季营收52.13亿美元，环比上涨14.3%，市场份额22.6%。

台湾的南亚科技位列第四，营收6.42亿美元，环比上涨15.1%，涨幅是最高的，份额2.8%。

华邦科技（winband）营收1.75亿美元，环比上涨1.2%,市场份额0.8%。

力晶科技（powerchip）营收1.11亿美元，环比增长8.2%，市场份额0.5%。

尽管Q1季度的涨幅有所下降，不过各大厂商的盈利能力因为售价的上涨还是在继续提升，三年的运营利润从64%提升到69%，SK Hynix从59%增长到61%，美光也有58%的运营利润率，比去年Q4的53%同样大幅增长。

考虑到Q2季度价格还会上涨，三大厂商的运营利润率还会进一步提升，但是他们的超高利润意味着买家超高的成本，已经超过了能接受的限额，所以原文预测涨价可能会开始缓和。

至于技术方面，三星18nm工艺内存芯片的产能在50-60%之间，已经成为绝对主力，位于平泽市的DRAM工厂则瞄准了下一代的16nm工艺。SK Hynix则在努力提升18nm工艺芯片的良率，总体而言转换到1X nm工艺的难度很大，SK Hynix正在加大现有工艺产品的产能提升，在中国无锡建设了第二座晶圆厂，预计今年底完工，明年上半年量产。

美光公司目前正在全力推进17nm工艺生产，收购来的台湾华亚科预计Q2季度从20nm转向17nm工艺，今年下半年开始加大17nm产能输出。

南亚公司目前的主力还是20nm工艺，营收大涨15%就得益于20nm工艺的供应量增长、成本降低，运营利润也增长5个百分点到44.3%，未来还会继续优化20nm工艺芯片组合。

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这个集体诉讼涉及到的公司有：美光科技、美光半导体、三星电子、三星半导体、SK海力士、SK海力士美国，Hagens Berman曾在2006年赢得类似的DRAM价格诉讼，三星和海力士为此认罪并支付超过3亿美元的罚金。而现在这起集体诉讼不会向公众收取任何费用，合理的律师费用将在法院宣判结果或达成和解后由法院授予。

诉讼资料其中之一，于律师事务所网站上公开

10nm的DRAM相比现有的主流产品也具有更高的可靠性：可在-40°C至125°C中工作，符合Automotive Grade 1标准，这个数据足以通过世界上汽车厂家的热循环测试，为汽车应用的可靠性增添一份保障。三星能为汽车厂家提供12Gb、16Gb、24Gb及32Gb的10nm LPDDR4X DRAM产品，不仅如此，在扩展10nm产品线的同时，三星还计划加强与汽车厂商的技术解决方案伙伴关系，包括辅助驾驶系统（ADAS）、自动驾驶系统、资讯娱乐系统及车载网络方案等。目前手机上主流的LPDDR4X DRAM好像是三星18nm、海力士21nm、美光20nm的LPDDR4X DRAM，有望之后的手机旗舰也能搭上10nm工艺DRAM的班车。

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三星这个名为P2 Project的新fab选址于韩国本土西海岸地区的平泽市，靠近三星原有的fab。新fab还没有具体公布是生产DRAM还是NAND，但据称规模要比去年开工的fab更大，所以很可能两种芯片都会生产，目前三星已经为新fab开始进行基建工程。

韩媒ETNews表示三星计划为这个新fab投资30万亿韩元（约合27.8亿美元），但不清楚这是总投资额还是初期投资额，这个数字其实是此前三星计划在平泽市建造fab的投资总额，去年三星便开建了一个用于生产64叠层V-NAND的fab，由于这次新fab仍处建造的初始阶段，所以最终造价还无法确认。

新fab据ETNews报道是将在2019年上半年末完成设施建设，其后在年中开始装配生产设备，而Reuters则表示这个P2 fab将在2020年投产，按照这样时间表，三星需要在今年下半年完成相关设备的制造和交付。

只是即使新fab可以在两年后投产，但仍需要再花费多数年才能全面生产，因为按三星的公布，目前他们现有的fab都要到2020年才能全面投产，另外考虑到三星这个新fab是为未来十年准备的，所以很可能会用到最新进的设备，如用于生产小于10nm工艺DRAM颗粒的EUV。过年后，是否准备购买一波新装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信9501417），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

据DRAMeXchange的报道，近年来中国受国内需求和出口的需要一直都是存储类芯片的最大市场，所以三星必须尊重和回应中国的意见，在韩国政府的支持下三星电子正式与发改委签署谅解备忘录，双方将在半导体行业加深合作，三星会扩大在中国的投资，预计签署谅解备忘录之后会对全球存储芯片市场有以下两方面的影响：

1.DRAM芯片依然供货紧张，但是价格增长会放缓。首先相对DRAM生产商来说，移动DRAM的利润已经低于其他产品，受第一季度智能手机需求低迷以及来自发改委的干预，预计价格涨幅有限，未来供应商可能会将现有的移动DRAM的产能转移到其他毛利率较高的产品，这样其他内存类产品的价格涨幅会比较少。

2.DRAM厂商可能会进一步提升产能。在中国政府的干预下，再加上DRAM市场一直供不应求，所以DRAM厂商可能会更加积极的扩展自己的产能，这样价格会更为稳定，而且还可以让厂商维持自己的利润。

至于NAND闪存市场，其实在各个厂商完成对3D闪存的产能转移后供应情况会比去年好得多，这点其实不用发改委出手价格也会降下去的。临近过年了，估计很多人想买新一波装备啦，想要各类硬件推荐的请找小超哥（微信1111888），也可以让小超哥拉你进去超能群与其他网友一起聊哦~

不过这一状况将会有所好赚，Digitimes收到了业内人士的消息，闪存厂商对3D NAND闪存的产能转移将要完成，3D NAND的供应会明显改善，在2018年第一季度闪存供不应求的现象会有所缓解，届时SSD的价格将会有所下降，然而后续会怎么样发展还是会受手机市场的销售状况影响。

此外他们还提到了DRAM市场上的情况，由于近段时间内存价格的疯涨，DRAM供应商都在合理的扩展产能力，它们力求DRAM市场的需求与盈利达到一个比较好的平衡，使内存价格稳定下来。

所以现在SSD的价格已经比较稳定了，明年第一季度价格应该会有所下降，而内存嘛，短时间价格可能还会有所增长，以后应该会转向稳定，至于价格什么时候会降回去就真不清楚了。

本次合作相比的预算达到人民币180亿元，兆易创新出资80%，另外的20%由合肥市产业投资控股集团承担，同时研发成品将优先提供给兆易创新。此次还印证了此前另一个重要资讯：兆易创新将和合肥睿力12英寸圆晶厂进行资源整合，将来会和紫光集团投资的长江存储科技和福建晋华集成电路有限公司在DRAM存储领域展开直接竞争。今年年初合肥睿力集团就宣布投资72亿美元兴建12英寸圆晶厂，期望产量能达到每月12.5万片，睿力预计在2018年第一季度启动设备安装计划。

兆易创新成立于2005年，是全球五大NOR闪存供应商之一，另外四家是Cypress，美光，Micronix和华邦电子，值得一提的是兆易创新也有生产38nm和24nm的MLC/SLC NAND产品，因此兆易创新现在已经涉足DRAM，NOR和NAND三大方向。另外兆易创新和合肥睿力阵营很有可能引起新一轮NAND市场竞争，长江存储科技主要是以3D NAND为主要研发目标（将来还会进军DRAM领域），两者已经有交集，这两个阵营会不会获得更多集团的投资仍有待观察。

兆易创新和合肥睿力计划在2018年年底前完成19nm工艺技术的研发和试产，期望良率10%，和UMC晋华的生产计划差不多，所以谁能抢先量产DRAM，谁就能夺得国内DRAM市场的头把交椅。

南亚科技CEO李培瑛表示，南亚将带着8Gb DDR4芯片回归服务器市场，其中重要的一个因素就是服务器市场的需求远高于智能手机市场。南亚透漏，现在他们已经让20nm制造工艺的成本低于30nm，截止到2017年年底，南亚的20nm芯片圆晶月产量可达10000片，30nm工艺的圆晶月产量30000片，其他制程的圆晶28000片。

在南亚1x nm工艺发展的问题上，南亚表示并不会急于开发新的工艺节点，至少南亚认为在2019年上半年20nm工艺仍未会被淘汰。李培瑛还预计2018年DRAM供应量增长率保守估计在21%到23%之间，而需求量也会增加至22%到24%。

南亚近年来已经转型为一个“利基市场”的DRAM供应商，在数据中心和云计算领域均有涉足，并决定在2018年回归服务器市场。今年前3季度南亚的净利润为183.4亿新台币，较去年同期上涨402.9%，EPS则达到6.67新台币。截止至2017年9月30日，南亚每股达到了39.46新台币，并且有约240亿的现金存储。