在SK Hynix之前，三星今年5月份也宣布了大规模半导体投资，将投资15.6万亿韩元（143亿美元）在韩国平泽市新建一座晶圆厂，建成之后将成为三星最大的晶圆厂。虽然三星没公布该工厂具体生产什么产品，但三星提到了移动及服务器市场，猜测也是跟DRAM内存相关。

现在SK Hynix的投资规模比三星还大，46万亿韩元大约是382亿美元，投资规模是三星的两倍还多，其中的15万亿韩元将投向最近落成的利川市M14晶圆厂，用于扩增内存芯片产能。剩下的31万亿将用于新建两座晶圆厂，一座位于利川市，一座位于清州市，不过新建的这两座工厂具体生产什么产品还没公布。

过了几年好日子之后，内存产业现在也因竞争激烈而不断降低价格，如今的内存产品价格快要降回前两年4GB单条199元的水平了，即便是最新的DDR4内存价格也开始亲民了。移动市场的内存市场还算过得去，但移动市场现在也逐渐饱和，增长速度没有之前那么快了。

在这样的环境下，三星、SK Hynix还要大手笔扩建内存厂，市场担心DRAM产能继续扩大会导致DRAM过剩风险更大，DRAM产品价格也会进一步下跌。

据台媒CTIMES News报道，三星将降低30%的普通DRAM颗粒产量，以腾出生产线用于生产手机用的LPDDR内存颗粒，预计在8月到9月，普通内存的价格将会提高。

传闻苹果的新一代iPhone将搭载2GB LPDDR4内存，这意味着苹果需要采购比去年更多的内存颗粒，而现有的供应商海力士和镁光无法满足其需求量，苹果还需要从三星采购。而三星决定提高LPDDR的产量，很有可能是已经和苹果达成合作。

PC市场连年的不景气，DRAM颗粒早已供大于求，而内存价格连续几个月下跌，导致多家内存制造商的利润下滑。而作为行业老大的三星，此举似乎也是在“救市”。

PC大环境不好，笔记本自然也要受影响，集邦科技旗下的DRAMeXchange认为2015年笔记本市场出货量将下降5%，总出货量为1.68亿台。导致出货量下降的主要原因是全球经济环境不太好，另外微软的Win10免费升级措施也会产生一定影响。

不过更坑的还不是这个，微软在OEM市场上针对Win10系统采用了新的授权费机制，首次综合考虑屏幕大小、内存容量、HDD/SSD硬盘等因素来计算Win10授权费，另外平板、笔记本及台机的收费策略也是不同的。

这就产生了一个不好的后果——厂商为了合理规避授权费，再加上4GB内存与2GB内存价差高达20美元，所以笔记本厂商会选择在低价笔记本上使用2GB而非4GB内存，然后再跟渠道商选择升级的方式来弥补内存容量过低的问题。

这种选择也影响了内存厂商，原本2GB单条的内存都要淘汰了，但现在Win10授权费及厂商的要求下，内存厂商又开始重新生产2GB内存，目前三星、SK Hynix都可以提供2GB内存，美光的也在测试阶段，后续会供货。

就是在这样的副作用下，DRAMeXchange认为2015年的笔记本内存容量将下降3-5%，平均容量将从4.6GB降低到4.4GB，这对价格不断降低的内存市场来说真是雪上加霜了。

集成电路是国内发展的重点，去年国内还成立了1200亿元的集成电路产业投资基金（简称大基金），紫光作为国有大型集团公司，对这些政策变化肯定是知道的，所以之前他们不惜巨资收购了展讯以及瑞迪科公司，后来Intel也出资15亿美元投资了获得了20%的紫光展瑞公司的股权。

展讯、瑞迪科看起来只是紫光收购整合业务的一个开始，现在他们的新目标是美光公司，后者是国际知名的存储芯片公司，内存、闪存及SSD之类的产品很多人都用过。不过美光这段时间表现不好，股价在一年内跌了差不多一半，目前价格约为17美元，而紫光公司给出的收购价是每股21美元，溢价20%左右，总额高达230亿美元，折合人民币1428亿元。

作为国有大型公司，紫光的收购脚步显然是跟国内的政策相关的。之前紫光收购的是处理器厂商，现在除了微处理器设计，国内集成电路的另一个重点就是存储芯片了。武汉已经准备上国内的DRAM内存晶圆厂了，而且整个计划耗资将达到240亿美元，现在紫光又在考虑收购美光了，虽然二者不一定有直接联系，但从整个战略上来说，紫光的收购对提升国内内存、闪存产业的技术及管理都是很有效的。

对紫光来说，收购美光绝对不差钱，230亿美元的报价如果不能让股东动心，紫光显然还会加钱，但关键的问题还是在于美国政府的审批，恐怕奥巴马是不会乐见中国公司侵蚀美国高科技产业的核心的。

集邦科技旗下的调研公司DRAMeXchange今天公布了2014年全球内存厂商的营收与排名，这里说的内存实际上是内存模组，也就是最终的内存产品，不包含内存颗粒厂商。根据他们的报告，2014年全球内存厂商总营收达到了88.13亿美元，比2013年的73.05亿美元增长了20.65%，而在全球PC销售走弱的情况下内存市场营收还能保持如此大规模的增长，主要得益于PC内存的价格稳定以及合约内存价格的上涨。

来看看内存厂商去年到底有多滋润吧——内存市场目前是寡头垄断，供需得到有效控制，而且智能手机、平板等产品需求居高不下，所以2014年DRAM内存产品的价格一直很稳定，4Gb DDR3颗粒的合约价维持在3.65美元左右，比2013年的3.1美元增长了18%。现货价格也维持在高水位下，全年均价约为4美元，比2013年的3.43美元增长17%。

再看下各家厂商的情况，龙头老大还是金士顿公司，2014年营收52亿美元，相比2013年的35.9亿美元大涨45%，全年市场份额达到了59%，比2013年的49.2%份额提升了10个百分点，地位无可动摇。此外，金士顿不光在PC内存市场坐稳，负责eMCP产品的子公司KSI（Kingston Solutions Inc）也开始在智能手机市场斩获订单，进入了国内手机供应链市场。

排名第二的是Ramaxel记忆科技，2013年排名第三，去年营收6.75亿美元，同比增长12.88%。

威刚科技从第二下滑到了第三，2014年营收5.25亿美元，同比下滑16.96%。

美光（消费级内存业务部分）排名第四，名次未变，2014年营收4.85亿美元，增长了6.2%。

创见、MA Labs分列第五、第六位，名次也没有变化，不过营收基本也没什么增长。

金泰克从之前的第八升到第七，营收2.12亿美元，增长了4.95%。再之后分别是宇瞻、海盗船及Team Group十铨科技。

2014年内存市场大者恒大的趋势没变，不说金士顿了，前五位的厂商营收占据全球的82%，前十名则囊括了总营收的92%，留给其他厂商的机会并不多。

与移动处理器市场不同，DRAM芯片的技术及工厂主要集中在了美光、三星、SK Hynix这几家手中，日系DRAM基本上灭了，还有的就是台湾的一些DRAM厂商了，比如茂德、南亚等。现在国内也把注意力放在DRAM上了，现在已经确定本土的DRAM工厂将落户武汉市，由武汉新芯公司负责建厂事宜，而负责运营的是中芯国际SMIC的首席运营官赵海军。

中芯国际官网上找到的赵海军履历

翻看赵海军的简历，他现在在SMIC中芯国际担任执行副总及首席运营官，在半导体领域已经有21年经验。此前在台湾茂德公司担任副总，而台湾茂德（ProMos）科技就是老牌的DRAM颗粒厂商之一，现在去负责国内的DRAM工厂也很正常的。

去年国内宣布了1200亿元的国家集成电路产业计划，紫光大手笔收购展讯和瑞迪科就有大基金的参与，现在国内的这个DRAM晶圆厂显然也脱不开大基金的背景。我们目前对武汉这个DRAM工厂的技术规格还不了解，今年主流的DRAM工艺将会全面转向20nm工艺，现在也是DDR3向DDR4内存转变的过渡年。

目前DRAM芯片主要是美光、三星、SK Hynix这三家主导，不论是PC用的DDR内存还是智能手机、平板用的LPDDR内存，国内基本上都是依赖进口的，现在国内建DRAM晶圆厂恐怕也是出于这个考虑。

有了大基金的支持，现在制约国内DRAM发展的主要是技术和人才，国内公司早已开始大肆从台湾挖角半导体人才，给的待遇远远超过台湾公司，赵海军也是挖来的。不过技术上我们面临的限制还很多，这个短时间内恐怕不容易突破。

三星这两年获得更高的NAND及DRAM份额主要是靠技术推动，他们去年就率先量产了V-NAND技术的3D闪存，三星之外的其他公司要到今年才开始生产。SK Hynix表示他们去年成功开发了24层堆栈的3D闪存，今年也准备大规模量产3D闪存了，首次量产的则是36层堆栈的3D闪存，今年底还会准备48层堆栈的3D闪存量产工作。

三星量产的V-NAND闪存是32层堆栈的，不过今年下半年也准备量产48层堆栈的，Intel/美光系公布的3D NAND闪存也是32层堆栈的，更多堆栈的也在研究之中了。东芝、闪迪也在日本四日市新建Fab 2工厂，预计2016年才会大规模量产3D闪存。

除了3D闪存，SK Hynix也会继续加强传统的平面闪存，很快会推出16nm TLC闪存，并在Q2季度将TLC闪存产能提升到10%的比例，今年底达到40%的比例。此外，Q3季度他们还会推出16nm TLC闪存的SSD，并会把TLC SSD的比例提升到20-30%。

内存方面，三星的20nm工艺已经大规模量产了，SK Hynix还需要不断提升产品。位于韩国京畿道省利川市的M14 DRAM晶圆厂已进入最终阶段，半导体设备已经备货了，预计从年底开始运营。一旦开始正式生产，其产能将达到每月1.5万片晶圆。

不过SK Hynix在技术上还有点落后，他们预计要到明年6月份才能提供后10nm工艺的DRAM样品，而三星已经准备量产后10nm工艺DRAM内存了。

集邦科技旗下的DRAMeXchange日前发表2013年全球内存厂商营收排名，该年度厂商总体营收73.05亿美元，相比2012年的54.74亿美元大涨了33.44%。至于原因大家都懂得，这一年多来全球内存供应吃紧，时不时还来个火灾什么的，导致内存价格居高不下，厂商们赚得不亦乐乎。

具体到厂商，金士顿全年营收35.9亿美元，相比2012年的27.3亿美元增长了31.65%，占据了49.2%的份额，虽然比2012年的49.87%有所下降，不过整体份额实在太强大了，没有厂商能撼动金士顿的地位。

第二名是威刚科技，营收6.32亿美元，相比2012年的2.92亿美元翻倍还多，排名升至第二，市场份额也从5.33%提升到了8.66%。

2012年排名第3的公司是SmartModular（世迈科技），但是今年前十名中已经不见他们的踪影，这变化也太快了点。今年的第3名是Ramaxel（记忆科技），其排名下降一位，但是营收也达到了5.98亿美元，相比去年大涨了36.84%。

美光从第5升到第4，4.85亿美元营收相比去年也大涨了67.24%。第5到第10分别是创见、MA Labs、海盗船、金泰克、宇瞻、十铨。

2013年全球内存厂商近一步集中，前十名厂商营收占据了88.66%的总份额，其他厂商的份额正在缩小。

已经说不清DRAM到底是从什么时候开始涨价的了，但是去年SK Hynix（SK海力士）无锡工厂的大火是一大诱因。以512MB DDR3-1600（4Gb DDR3-1600）颗粒价格为例，无锡工厂起火前价格大约是3.14美元，火灾之后其价格短时间内升到了4.27美元，之后就是不间断的涨涨降降，4月份时这款DRAM颗粒的价格最低达到了3.66美元，但是Hynix无锡工厂4月份又出问题了，虽然没有再烧一次，但是DRAM颗粒价格就这么一直上涨，7月7日集邦科技Dramexchange上的512MB DDR3-1600颗粒价格最高达到了4.40美元，平均也有4.345美元之多，相比4月份上涨了20%左右。

DRAM涨价原因也不单单是工厂的缘故，目前DRAM产业90%的产能都集中在美光、三星及SK Hynix三家公司中，更悲剧的是他们对DRAM并不太热衷，因为NAND闪存的短缺，美光已经把一家DRAM工厂转产NAND闪存了。

寡头垄断再加上供应短缺，DRAM价格不涨都不行了。虽然整个PC行业走势疲软，但至少内存厂商赚大了。

据《经济日报》报道，该消息表示SK海力士无锡厂区有两台曝光机台设定参数出现问题，对OEM客户的供应可能会减半。虽然这则消息仍未获得公司证实，但这已经对DRAM现货价造成影响。集邦科技昨日晚间报价显示，涨幅最明显的是DDR3 2Gb颗粒，现货价上涨最多7.11%。与此同时，受到五一假期影响，大陆DRAM需求激增，致使前天出现了2%的涨幅，因此算下来一天涨幅超过了9%。

好消息是，DDR3 4Gb影响并没有前者那么大，昨晚最后一盘上涨1.48%，均价3.762美元，单面4GB、双面8GB内存的最终售价涨幅应该会在10块钱以内。

新闻来源：元器件交易网

2013年全球半导体市场总营收3150亿美元中，前25大厂商增长了6.9%，其他厂商增长只有0.9%。在这些厂商中，内存芯片厂商营收增长了23.5%，远高于其他行业。盖特纳分析师表示，存储芯片、特别是内存（DRAM）推动了厂商的营收增长。

这是他们值得夸耀的成绩吗？也许是，也许不是，内存产业营收高速增长并不完全是需求所致，而是因为供应短缺以及所之而来的价格上涨，这两年买内存的PC用户应该深有体会。厂商靠这种方式获得高速增长短时间内有利，但是长期下去伤害的是整个行业。

全球前10大半导体厂商排名

再来看下具体的排名，Intel依然是全球半导体行业的老大，2013年营收485.9亿美元，但是增长下降了1%。三星电子位列第二，营收306.36亿美元，营收增长7%。近来大红大紫的高通位居第三，营收172.11亿美元，增长30.6%。

不过高通并不是增长最快的，SK Hynix及美光分别增长了40.8%、72.3%，他们也分别是全球第二、第一大DRAM芯片商。虽然他们还有NAND闪存等其他存储芯片，但是同为NAND供应商的东芝增长只有6.3%，这两位的超高速增长的功臣显然不是NAND业务。

必须要提的是，去年9月份SK Hynix的无锡工厂遭受大火，而这座工厂的DRAM产能占据全球的10%左右，而美光同期减少PC DRAM供应量，导致当月底DRAM供应价格上涨了42%。虽然火灾损失巨大，但是SK Hynix全年营收依然增长了40%以上，DRAM涨价带来的影响可见一斑。

Digitimes援引业界消息称，无锡工厂去年9月份遭遇大火，但在11月份已经恢复生产，产能回到原来的水平。但即便如此，2014年PC市场的DRAM内存供应依然吃紧。产能恢复的无锡工厂遭遇了良率问题，消息指出已经有一些PC厂商因为质量问题而拒绝了部分出货。

SK Hynix是全球最主要的PC内存芯片供应商之一，而无锡工厂几乎占据了SK Hynix每月26万晶圆产能的一半，约占全球产能的10%，地位非常重要。他们出现供应紧张将反应在内存合约价格上，价格会继续上涨，指望内存降价的希望会更加渺茫了。

内存市场贡献最大，实质是供需趋向平衡

　　Gartner研究副总裁Andrew Norwood表示，今年年初半导体市场因去年库存过剩而较为疲软，在第二、三季度营收迅速增长，而第四季度又恢复缓和，这是因为以DRAM为首的增长点的供应减少，供需趋向平衡。

　　实际上，由于PC生产下降了9%，高端智能手机市场已经饱和，而增长逐渐倾向于低价的入门、中端智能手机，今年整体市场需求增长依然面临着许多阻力。除了DRAM市场以外，其它半导体市场的增长只有区区的0.4%。

　　Gartner预测，Intel在数据中心和内嵌式产品上的强势仍不足以弥补其重要的PC市场上的颓势，而智能手机和平板处理器却依然无法交出成绩，因此今年的营收将会下滑2.2%，但他们依然会连续22年蝉联半导体市场的头位。

　　至于内存市场方面，Norwood表示，前两年DRAM内存市场收入下滑，在今年（实际是2012年年底）终于迎来强势反弹，此后DRAM产能减小，导致DRAM价格大幅上涨，最高时达到该年平均水平的2倍。

　　在此获得较大收益的是SK海力士和美光。前者增幅达43.2%，如果早前展DRAM产能50%的无锡DRAM晶圆代工厂没有发生火灾，相信其表现会更好。至于美光得益于年中收购尔必达，在低功耗DRAM方面获得了补强，增长达到70.8%。此外，尔必达全年营收也将算到美光账下，因此美光有望超越SK海力士成为全球半导体市场占有率第四名。　

联发科高通快速增长，三星和日企不达预期　

　　此外，Gartner有一个“相对产业表现指数”（RIP），可衡量一家公司自身实际增长幅度与行业整体增长幅度之间的差异，反应该公司是扩张现有市场份额还是转向新兴领域。

　　其中RIP排行榜中名列榜首的是联发科和高通，他们的营收增幅分别比市场平均水平高出35%与28%。有意思的是，联发科主打中国及其它新兴市场的中、低端手机业务，而高通则相反，主要通过一级OEM及高端细分市场占据份额。

　　三星、索尼、罗姆电子、瑞萨电子的实际表现比预期低处10%以上，其中后面三家日本企业主要是受日元贬值拖累，因为他们主要客户以国内买家为主，定价均基于日元作为计算单位，换算成美元后，其营收额受到一定影响。

　　至于三星方面，Gartner表示可能是由于没有把苹果处理器的代工收入计算在内，但他们的商用DRAM和Exynos处理器表现比较消极，自家手机业务甚至对后者失去了信心并转投高通方案。

　　按照目前MRAM的发展进程，想要大规模投入使用MRAM，预计还得等到2018年，不过现在已经陆续有厂商推出MRAM产品，例如在本月中旬，美国Everspin技术公司就推出了ST-MRAM芯片，这种芯片存储速度是普通MLC芯片的500倍，已经达到了DRAM芯片的水平。

　　Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固态硬盘，该系列固态硬盘就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM芯片作为固态硬盘高速缓存。这种高速缓存采用WBGA封装设计，单颗容量为64Mb（8MB），最高频率为1600MHz，最高带宽为3.2GB/s，纳秒级延迟，从性能来说已经不输给DRAM芯片，而且由于断电不丢失数据，因此产品无需为缓存电路配置大容量电容或者是高级掉电保护技术。

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