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不过在CPU配置上，Realme Book只提供了i5-1135G7，不过与更高一点的i7-1165G7，只是最大主频上有所差距，同样是对于大多数人都够用的4核8线程规格，还有就是核显是80个EU的，但玩玩网游问题不大，只要散热系统足够的话。而作为另一大卖点的14英寸3:2比例2160*1440屏幕，这在同价位是非常少见的，对于浏览网页和看文档确实有更好的观感，当然这个比例对于看视频和玩游戏的体验就怪一点了。

目前realme Book首发价只要4299元（16GB内存+512GB存储），目测这应该是最便宜的英特尔EVO平台笔记本之一了，对于非重度游戏玩家，主要拿来办公上网课的话，还是挺推荐这部新势力笔记本。

购买链接：京东商城/realme官网

新的ThinkPad X13将搭载Intel第十一代酷睿博锐处理器或者AMD锐龙5000系列移动处理器，配备16:10的屏幕，新的Intel平台的ThinkPad X13已通过Evo认证，并带有Wi-Fi 6e连接，英特尔和AMD版本都提供可选的5G 6 GHz以下或2x2 MIMO CAT 12 4G蜂窝支持。作为Evo认证的平台，新款ThinkPad X13的英特尔版本还具有2个Thunderbolt 4端口。

联想还在安全方面进行了一些更改，旧款的两种ThinkPad X13都在触摸板旁边安置指纹传感器，新款联想选择集成到电源按钮上。触摸板方面，新款的ThinkPad X13的触摸板将宽115毫米。

其他方面，内存将最大提供至32GB LPDDR4x内存，频率4266MHz，硬盘最大提供至2TB SSD，支持65W的快充。联想将从2021年5月开始提供全新的ThinkPad X13系列，英特尔Tiger Lake处理器的型号起价1299美元，AMD锐龙5000版本的型号起价1139美元。

Yoga Slim 7i Pro OLED将搭载英特尔第11代Tiger Lake i7处理器，具有Iris Xe集成显卡，此外还将搭载英伟达MX450独显。存储方面，内存为16GB，硬盘位1TB的PCIE SSD。

该机搭载有Wi-Fi 6无线网卡，支持蓝牙5.0，具有2个USB Type-C形端口（支持Thunderbolt 4，PD 3.0，DP 1.4和USB 4.0），一个USB Type-A端口（USB 3.2 Gen 1）和一个组合音频插孔。机身尺寸为12.3 x 8.7 x 0.7英寸，重1.45公斤，搭载有61WHr的电池。

Yoga Slim 7i Pro OLED获得了英特尔Evo认证，意味着其具有超长续航、即时唤醒、快速充电等大大提升用户体验的功能。Yoga Slim 7i Pro OLED的价格和上市时间目前还未公布，对于国内用户来说Yoga Slim 7i Pro对应的国内型号为YOGA Pro14s，稍后应该也会推出OLED屏幕的版本，有兴趣的玩家可以持续关注一下。

LG Gram 2020款推出到现在已经差不多一年了，所以新的LG Gram 2021款也该面世了，据韩国LG的Gram系列页面显示，他们将于不久之后的12月16日展示新的LG Gram 2021款系列笔记本电脑。

LG Gram 2021款将升级到英特尔第十一代酷睿处理器，也就是Tiger Lake系列，LG Gram 2021款可能会出货14英寸、15英寸、16英寸和17英寸四款尺寸的型号，其中14英寸的其中一个型号为14Z90P、16英寸的其中一个型号为16Z90P，这两款型号的照片已经泄露，并且型号出现在了韩国的能源机构认证页面中，这两款型号是符合英特尔EVO平台认证的。

据了解，17英寸的机型应该有一款型号为17Z90P，但是目前并没有更多详细信息，此外，还有一款15英寸的机型型号为15Z95N，从之前泄露的照片来看，这款上面并没有EVO平台的认证，它很有可能仅是上一代的换芯版，除了采用新的英特尔第十一代酷睿处理器之外并没有其他的设计改变。

此外，虽然LG Gram 2021款是12月16日发布，但是等到可以购买应该会需要一段时间，国行的话应该会在明年的2月或者3月份。

三星的3D V-NAND堆叠技术，是让三星的850 EVO突破2TB容量的关键，而这次的750 EVO上并没有得到应用，转而使用平面结构的16nm TLC NAND，这也是首次三星采用16nm TLC产品，早前的840 EVO是19nm TLC。

这次三星的750 EVO容量也只有120GB和250GB两种规格，都是搭载256MB的缓存芯片，最高的顺序读写能力为540/520 MB/s。三星SSD都是跑分神器，能达到这样的成绩并不意外，但在QD1 4K随机写入就比850 EVO还是有所降低。

三星官网已经上架了750 EVO的相关资料，采用主控是三星的MGX，工作功耗有所降低。120GB的写入量为35TB，250GB则为70TB，售后服务也从850 EVO的5年质保变成了3年。

SATA SSD在2014年就基本达到了性能巅峰，现在竞争对象是更大容量和更高的性价比，所以才孕生出TLC SSD。东芝、三星、美光无一例外得投入到更低制程的TLC研发，相信今年SSD价格将会再创新低。

美国FRYS网店上已经开始接受三星850 Evo硬盘的预售，目前曝光的是1TB版，SATA III接口，2.5寸7毫米厚度，读取速度550MB/s，写入速度520MB/s，读取速度比840 Evo的540MB/s提高了10MB/s，写入速度则是一样的。

三星的850 Evo升级重点显然不是性能方面的，目前的840及840 Evo都是TLC闪存，而850 Evo虽然也是TLC闪存范畴，不过它跟850 Pro一样会使用三星的V-NAND工艺，初代、二代V-NAND工艺的叠加层数分别是24、32层，不需要太先进的工艺就能实现大容量，850 Pro使用的就是40nm工艺，好处则是写入寿命更高，所以三星850 Evo的写入寿命会是一个关键卖点。

不过850 Evo的价格也延续了三星的风格，目前1TB版的850 Evo预售价为499.99美元，折合人民币大约3057元，价格比429.99美元的840 Evo 1TB略高，但大大低于850 Pro的699.99美元，不过美国商场列出的价格通常是不含税的，所以3000元的价位到了国内恐怕要上升到4000+，而三星840 Evo 1TB国内行货的价格是3599元，850 Pro 1TB的价格是4999元，美光M500的价格是3299元，仅供参考。

三星在2013年月份推出了第一代V-NAND闪存，当时是24层堆栈，今年5月份推出了第二代V-NAND闪存，堆栈层数从24提高到32层。前不久发布的新一代850 Pro硬盘使用的就是第二代V-NAND闪存，不过这个还是MLC类型的，制程工艺为40nm，所以可以兼顾性能和可靠性，10年质保。

TLC闪存相比MLC闪存成本更低，三星显然也会极力推动TLC规格（忘了说了，三星官方不提TLC这个字眼，而是叫做3bit MLC，至于原因大家都懂）的V-NAND闪存量产，之前已经确认了，TLC V-NAND闪存也是第二代技术，32层堆栈，单颗核心容量128Gb，不过三星并没有透露TLC V-NAND闪存的工艺水平，如果维持MLC V-NAND的40nm工艺，那么850 Evo的P/E寿命还值得一战。

V-NAND与TLC两种技术都能提升NAND产能，现在双管齐下，三星官方表示与目前10nm级别的平面TLC闪存相比，TLC V-NAND闪存的晶圆常能高1倍。

三星现在已经量产TLC V-NAND闪存，不过850 Evo硬盘何时发布还是未知。

在IFA展会上大家关注的焦点都是数码产品，不过三星确实也展示了850 Evo硬盘，宣称这是世界首款3bit 3D V-NAND硬盘，当然三星的3bit闪存实际上就是我们常说的TLC闪存，他们就是觉得TLC名称已经被玩坏了。

三星在描述中提到850 Evo硬盘优化了性能，改善了PC的生产力，而通过3D V-NAND还提升了产品的耐用性，这是之前大家对TLC闪存最不放心的地方。

TLC闪存的性能与可靠性一直是争议的焦点，三星虽然没有公布具体的数据，但看起来850 Evo在这两点上相比目前的840 Evo会更好，他们的底气主要还是来自V-NAND这种技术。

我们都知道理论上MLC闪存性能和可靠性高于TLC闪存，3D V-NAND的MLC也要好于V-NAND的TLC，但3D V-NAND的TLC在性能及可靠性并不见得输给普通的MLC，因为V-NAND这种3D闪存与传统NAND有所不同，详情可以参考之前的V-NAND技术解析，通过多层堆叠，V-NAND闪存不仅容量提升了，而且不依赖更先进的制程，闪存的性能和可靠性提升了，目前三星的V-NAND技术已经发展到了第二代了。

在前不久三星的SSD全球会议上，Techreport得知三星有计划推出3bit V-NAND，只不过三星在透露消息方面一贯很小气，就是不肯说具体细节，不过TR表示在第二代V-NAND发布会上三星提到了今年底会推出容量密度更高的硬盘，或许指的就是这个TLC版的V-NAND闪存。具体命名也不确定，不过惯例可能会用850或者850 EVO这样的名字。

虽然TLC名声不是很好，但是TLC闪存对提高容量密度、降低成本大有裨益，而性能、可靠性上的问题可以通过其他方式弥补，比如三星的840 EVO就使用了SLC缓存的方式改善了写入速度，所以只要技术成熟，NAND厂商们还是会上TLC闪存的，三星起了头，美光很快也会跟进。

此外，V-NAND技术在某种程度上也能改善TLC闪存的缺点，立体多层堆叠的封装使得TLC闪存对制程的要求没有这么高了，还可以减少干扰，这也有助于改善写入性能。

总之，不管某些用户是否接受TLC闪存，三星力推的态度是改不了的，特别是有了V-NAND技术的辅助之后，TLC闪存的一些缺点更有了明显改善，三星迟早会推TLC版的V-NAND闪存，快的话今年底就能见到850 EVO这样的产品了。

可以预想，一旦TLC闪存的V-NAND硬盘上市，届时又免不了引起很多争议。TLC闪存理论上寿命会少很多，不过新技术的进度也不可阻挡，对TLC闪存唯一的质疑应该是：如果它的成本比MLC更低，为何市面上的TLC硬盘相对MLC硬盘并没有价格优势呢？三星解决了这个问题才更有利于TLC闪存为人广泛接受。

这款SSD名为三星845DC EVO，它的设计是基于原来的PM853T，三星845DC EVO与三星840 EVO一样，采用1x nm TLC闪存，有240、480、960GB三个容量，连续读取速度可以达到530MB/s，而随机读取可以达到87,000 IOPS，它的工作功耗约为4W左右，比一般的数据中心HDD低25%。

三星845DC EVO将会在6月底出货。

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还是那句话，装插件保平安。

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