根据三星和英伟达的联合声明，三星将向“AI Megafactory”供应最新的DRAM产品，包括HBM3E、HBM4、GDDR7和SOCAMM2，另外还会提供代工服务。三星强调，正在就HBM4的供应与英伟达展开密切磋商，如此高调的做法在三星身上是很罕见的。

三星的HBM4结合了4nm基础裸片，并搭配1cnm DRAM芯片，数据传输速率突破了11Gbps，远远超过了JEDEC制定的8Gbps行业标准及客户预期。对于三星来说，HBM4是其在HBM领域赶超竞争对手SK海力士及重夺DRAM市场领导地位的关键，需要以最快的速度抢占先机。

不过有业内人士表示，三星面临的最大挑战仍然是良品率问题。传闻三星目前HBM4样品的良品率大概在50%，这个数字来自于产量有限的晶圆测试，在全面量产之前，三星需要确保良品率达到70%以上。

据Wccftech报道，英伟达已经订购了三星的12层堆叠HBM3E，将用于搭载Blackwell Ultra GB300的机架级解决方案。对于三星来说，进入英伟达的HBM3E合作伙伴名单至关重要，必须通过打入主流HBM领域才能重新获得在DRAM市场的主导地位。传闻三星还计划购入5万颗英伟达的AI芯片，但是具体交易细节尚未披露。

虽然三星暂时可以松一口气，但是还没有到完全扭转局势的地步，毕竟下一代HBM4即将到来，而主要竞争对手SK海力士已经占据了先发优势，预计供应初始阶段仍然能保持其最大供应商的位置。

三星也有自己的优势，早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。另外三星拥有自己的逻辑芯片生产线，并不需要像SK海力士和美光那样选择台积电代工，定价方面会更具竞争力。

据TECHPOWERUP报道，AMD将选择三星成为HBM4主要供应商，用于下一代Instinct MI450系列计算卡。双方的合作并不令人感到意外，因为目前AMD Instinct MI350X和MI355X等产品，都有使用三星的12层堆叠HBM3E芯片。

OpenAI在上周与三星和SK海力士达成初步协议，为其庞大的星际之门（Stargate）数据中心项目供应内存，之后又选择与AMD联手。传闻OpenAI对DRAM晶圆的需求可能飙升至90万片，这一数字预计占全球DRAM总产量接近40%。三星除了供应HBM产品，还需要提供包括GDDR和LPDDR在内的DRAM芯片，另外还有搭载大容量SSD，意味着还需要不少NAND闪存芯片。

有业内人士透露，英伟达-SK海力士联盟与AMD-三星阵营之间将展开一场激烈的新竞争，同时SK海力士与三星在技术和定价方面的竞争将加剧。AMD与OpenAI合作的连锁反应远远超出了相关公司的范围，AMD正在与其他公司联手，以开放标准Ultra Accelerator Link （UALink）挑战英伟达专属的NVLink技术。随着OpenAI的加入，UALink生态系统可能会迅速扩张。

据TomsHardware报道，美光确认HBM4的基础裸片（Base Die）仍然采用内部CMOS工艺，直到HBM4E才转向台积电（TSMC）代工。美光的目标是在2027年推出HBM4E，同时提供行业标准型和客户定制型两种解决方案，后者能带来更高的毛利率。

要知道竞争对手三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，这主要是出于成本方面的考虑。不过外界担心，晚一代产品才转换到台积电，有可能让美光失去竞争优势。

另外美光也确认了有客户对HBM4提出了更高的速度要求，从JEDEC规范的8Gb/s提高到10Gb/s，而美光已经向客户提供了速度达到11Gb/s的样品。美光的这番发言也回应了之前的市场传言，即英伟达向HBM4供应商提出了新的要求。

据TrendForce报道，经过了一年半的努力，三星去年2月开发的12层堆叠HBM3E终于通过了英伟达的质量测试，缩小了与SK海力士之间的差距。有业内人士称，这一成就反映了三星对现有HBM3E产品的性能提升，以及英伟达推动供应商多元化的努力。

不过也有消息称，三星只是完成了第二轮内部晶圆验收测试（WAT），整个工作还没有完成，尚未获得英伟达的正式批准。三星今年解决了HBM3E的发热问题，主要得益于去年5月开始的更新设计工作，基于1αnm（第四代10nm级别）工艺打造的DRAM芯片。

本月早些时候，SK海力士宣布已率先完成HBM4的开发工作，并在全球首次构建了量产体系。三星则是在今年第二季度生产出HBM4样品，通过了英伟达初步的质量测试，现在还要等待最后的验证步骤。

近期传出英伟达要求供应商尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，以便更好地应对AMD明年的Instinct MI450计算卡及“Helios”AI机架系统带来的威胁。得益于4nm工艺制造基础裸片，加上以1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，优于SK海力士的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺，三星的HBM4可以更好地满足英伟达的要求。

据TrendForce报道，考虑到Instinct MI450及“Helios”带来的威胁，英伟达最近向Vera Rubin零部件供应商提出新的要求，希望尽快将HBM4的速度从8Gb/s提高到10Gb/s，相应的带宽也将从2TB/s提升至2.56TB/s。暂时还不清楚英伟达的要求是否可以得到满足，预计SK海力士仍然会在HBM4供应初始量产阶段保持其最大供应商的位置，三星和美光的供应比重将视后续产品送样的表现而定。

作为下一代AI服务器的核心组件，HBM4的的规格一直是厂商关注的重点。基础裸片是影响HBM速度的关键因素，三星早在2024年就决定将基础裸片的制造工艺升级到4nm，目标今年末量产，预计最高速度可达到10Gb/s，高于竞争对手SK海力士和美光提供的JEDEC标准产品。从英伟达新的要求来看，三星或许在HBM4早期占有优势。

尽管英伟达提出了更高的标准，但是是否能落实还要考虑到多种因素，比如供应量是否能满足、这种提升是否会大幅推高功耗或者成本等。如果得不偿失，那么英伟达就会放弃该计划，或者针对不同平台和类型的产品再去细分，针对不同零部件等级区分不同供应商。另外还可能分阶段进行，毕竟选择的策略会影响初期Vera Rubin平台的量产速度。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。其采用了较前一代产品翻倍的2048条数据传输通道，将带宽扩大一倍，同时能效也提升40%以上，从而实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。同时SK海力士还实现了高达10Gbps以上的运行速度，大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps。

SK海力士沿用了在HBM3E获得认可的MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量。该工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。此外，SK海力士还采用了成熟的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺来制造HBM4所需要的DRAM芯片，最大程度地降低了量产过程中的风险。

SK海力士预计，将新产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还能显著降低数据中心电力成本。SK海力士表示，HBM4的开发完成将成为业界新的里程碑，再次彰显了自身在面向AI的存储器技术领域的领导地位，并公告了竞争优势。

据Wccftech报道，三星现在正准备与SK海力士及美光进行“价格战”，计划向英伟达提供极具竞争力的HBM4定价。为此三星希望尽快提升生产能力，并采购更多ASML的光刻设备。更为重要的是，三星愿意放弃利润率，以确保能够进入英伟达下一代Rubin产品的合作伙伴名单。

三星之所以这么有信心，这主要来自于其拥有自己独立的逻辑和存储器半导体生产线。因为从HBM4时代开始，厂商开始将基础裸片（Base Die）的生产从传统的DRAM工艺转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。

SK海力士很早就确定在HBM4上选择台积电进行合作，可是先进制程节点的高成本可能让其HBM产品的定价高于三星。美光出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，到HBM4E才转换到台积电，不过这么做有可能让自身的产品性能受到影响。

三星董事长李在镕最近与英伟达首席执行官黄仁勋会面，双方有可能谈到了未来在HBM和其他领域的合作计划。

据TrendForce报道，随着英伟达自研HBM基础裸片的到来，加上HBM定制设计会带来更大的差异化，大家对DRAM厂商在基础裸片上的动向变得更为关心。过去基础裸片都是使用DRAM工艺制造，因此DRAM厂商都是自己完成设计和生产。不过DRAM工艺在速度、信号完整性和能效上都落后于代工厂的技术，随着新一代HBM的性能要求变得更高，促使DRAN厂商进行转换。

三星和SK海力士都计划在HBM4时代开始，将基础裸片的生产转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。其中SK海力士最为积极，很早就宣布与台积电合作，双方共同开发HBM产品。相比之下，美光的态度更为谨慎，出于成本方面的考虑，HBM4仍然采用DRAM工艺生产基础裸片，打算推迟到HBM4E才转换到台积电负责生产，不过这么做有可能让其失去竞争优势。

将基础裸片转换到代工厂将对HBM产品带来成本压力，特别是不得不依赖台积电的SK海力士和美光，先进制程节点的高成本可能让其HBM产品的定价高于三星。三星本身就有代工厂，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势。有业内人士透露，台积电生产的基础裸片约占SK海力士HBM4总生产成本的20%。

HBM4计划用于英伟达下一代Rubin架构GPU构建的AI加速器，SK海力士早在今年3月便交付了样品，6月完成了首批出货，计划10月开始量产。如果三星可以按计划完成验证，那么可以最大程度地缩小与SK海力士之间在HBM4上面的差距。

除了在HBM4努力外，三星还在HBM3E上提供了非常具有吸引力的报价，传闻向英伟达提供了比SK海力士低20%至30%的报价。英伟达选择在与SK海力士最终确定定价协议前，首先对三星的HBM3E和HBM4进行质量测试。考虑到过去几年三星在DRAM市场的份额流失速度之快，让三星不得不通过激进定价策略来提升市场竞争力。

有点令人感到意外的是，美光成为三大原厂中首个2026年HBM产能售罄的存储器制造商。其实美光在6月已经向英伟达出货了HBM4，是仅次于SK海力士达到HBM4样品阶段的厂商。

英伟达将用于Rubin架构GPU，而AMD则用于Instinct MI400系列AI加速器，这也是AMD首次以机架规模的形式提供AI产品。过去厂商通常会选用现成的HBM，以满足三星、美光和SK海力士等供应商实施的标准化定价模式。不过随着订购数量的增加，AMD和英伟达有了更大的话语权，可以要求加入特定的功能。由于HBM对基模修改是开放的，为此AMD和英伟达都准备按照自身的需要进行修改。

这种做法可以降低延迟并提高性能，而AI推理过程中，延迟是一个重要的因素，拥有“更智能”的HBM可以带来可观的收益。

据Wccftech报道，随着HBM3E的推出，三星的情况有所改善，但是仍然在设法进入英伟达的主流供应链。与此同时，三星也提前开始在HBM4布局，希望通过新产品扭转不利的局面。最新报告指出，三星正在与AMD及英伟达合作，计划本月底将提供12层堆叠的HBM4样品。

目前市场对三星在HBM4上的进展更加乐观，很重要的一个原因是三星在1cnm DRAM技术上取得巨大进步，而且在生产测试中实现了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。三星关心的并不是比竞争对手尽早地供应HBM4，而是推出一款能实现稳定供应的产品，从而被AMD和英伟达的产品所采用。

除了SK海力士和三星外，美光也虎视眈眈，准备了自己的HBM4。由于这次供应链上激烈的竞争，预计HBM价格可能会下降。根据SK海力士和三星的公布计划，两者的HBM4将在未来几个季度内进入量产阶段。

据Wccftech报道，近日在Intel AI Summit 2025上，英特尔表示正在与SK海力士合作，开发Jaguar Shores。其采用了Intel 18A工艺制造，包括RibbonFET和背面供电技术等，提高能效和晶体管密度，另外还将采用SK海力士的HBM4。

英特尔还准备了对应的机架级解决方案，Jaguar Shores将与Granite Rapids或下一代Diamond Rapids至强服务器处理器搭配，其中还会使用SK海力士的MRDIMM Gen2解决方案，每个内存模块的容量高达128GB。这些产品将在2026年推出，与英伟达Rubin以及AMD Instinct MI400系列构建的平台竞争。

与此同时，英特尔还在计划推出新的锐炫产品，旨在扩展边缘AI领域，预计会在2025年第四季度到来。英特尔没有分享任何细节，有可能采用新的Battlemage芯片，也就是传说中的BMG-G31。按照之前的说法，锐炫B770将搭载这款新的芯片。

据TrendForce报道，三星在最近的1cnm DRAM生产测试中实现了50%至70%的良品率，相比于去年末不到30%的水平，有了大幅的提升。随着近期1cnm DRAM良品率的提高，三星打算逐渐拉升1cnm DRAM的产量。考虑到DRAM作为HBM的核心组件，1cnm DRAM的进展也与三星的HBM4量产计划紧密相连，传闻三星最快在今年末开始量产HBM4。由于验证仍处于非常早期的阶段，良品率情况需要持续监控，在这段时间里三星不能掉以轻心。

HBM4属于第六代HBM产品，为12层垂直堆叠，三星打算选择4nm工艺用于大规模生产HBM4的基础裸片，并搭配1cnm DRAM芯片。平泽P4工厂的首条1cnm DRAM生产线已经在建设当中，目标月产能为30000片晶圆。如果扩建顺利，额外的投资可将产能提升至每月40000片晶圆。三星还将在平泽P3工厂建设1cnm DRAM生产线，很可能专门用于HBM4相关的DRAM芯片。

此外，三星还在考虑最早在今年末，将华城部分1znm DRAM生产线也转换成1cnm DRAM。

美光的HBM4属于第六代HBM产品，采用了1ß (1-beta) DRAM工艺制造，为2048-bit接口，每个堆栈的带宽超过了2.0 TB/s，性能比上一代产品提高了60%以上，同时还内置自检（MBIST）功能。扩展的接口带来了更快速的通信，从而加速了大型语言模型和思维链推理系统的推理性能。

与美光的上一代HBM3E产品相比，这次HBM4的功率效率提高了20%以上，这种改进能以最低的功耗提供最大的数据吞吐量，从而最大限度地提高数据中心的效率。随着生成式AI用例不断增加，HBM4成为了一个重要的推动者，将促进医疗、金融和交通等不同领域的创新。

按照之前美光公布的路线图，打算在2026年至2027年之间，推出容量在36GB至48GB、12/16层垂直堆叠的HBM4产品。到了2028年还会有HBM4E，频率将进一步提升，容量将增加至48GB到64GB，速度也会有进一步的提升。