SK Hynix拒绝紫光巨额投资的一大原因就是害怕中国公司一旦获得了NAND技术就会用低价击垮其他竞争对手，甚至摧毁整个市场，这方面已经有LCD液晶及LED两个先例了。不过话说回来，紫光背后代表的是中国庞大的市场，SK Hynix不可能不动心，而且现在NAND市场基本上被四大家族垄断，SK Hynix在最新的NAND市场上排名只是第五，落后于三星、东芝、闪迪及美光，如果与中国公司达成合作，借助中国低廉的生产成本，SK Hynix可以更好地与对手竞争。

韩国时报援引欧美投行分析师的话称SK Hynix虽然拒绝了紫光的投资协议，但还是很想跟紫光合作的，有意签署专利授权协议，让紫光为SK Hynix代工NAND闪存等产品，这样可以降低成本，扩大SK Hynix的市场占用率。

此外，韩国政府一样存在着技术转移限制，虽然不如美帝那般苛刻，不过韩国也始终提防着中国公司，企图保持自己的技术制高点优势，这也让SK Hynix、紫光成立合资公司的难度加大，只不过中国公司在半导体领域崛起是大势所趋，正如中国研制C919大飞机一样，但在自己开发的过程中，波音、空客也同样没有放弃中国市场。

根据Q3季度的销售额排名，SK Hynix目前是全球第五大NAND闪存供应商，仅次于三星、东芝、闪迪及美光，他们在今年的全球20大半导体公司排行榜中也位列第四。目前SK Hynix的主力产品是DRAM内存及NAND闪存，不论地位还是技术都有独特之处，算起来是个很不错的入股目标，毕竟韩国的审查不向美帝那么苛刻。

台湾中时电子报援引大陆媒体的报道称，从华亚科离职、现任紫光全球执行副总的高启全从中搭桥引线，紫光与SK Hynix公司CEO朴星昱本月初举行了会谈，商讨双方的合作协议，可能的方式是紫光公司投资入股SK Hynix公司，获得15-20%股份，然后SK Hynix要在中国建设晶圆厂，紫光获得一部分产能。

目前SK Hynix公司市值207亿美元，紫光要是收购20%股份，将为SK Hynix公司带来53.8亿美元的现金，足以建设一座新工厂。而对紫光来说，这次合作以及之前间接收购的闪迪公司，紫光可以在瞬间成为全球第三大NAND公司。

不过最终的合作并未成行，SK Hynix已经公开表态拒绝了紫光的建议，但没有给出拒绝的原因。巴伦周刊网站援引伯恩斯坦分析师Mark Newman的话称“通过研究中国公司在其他产业（智能手机、太阳能、LCD屏幕等）的表现，你会发现一旦中国进入某个市场，他们就不会停止前进，直到用价格统治整个市场，而经济系统也会因此被毁灭，SK Hynix公司显然也是害怕这样的情况。”

这个分析师说的在理，中国公司的“可怕”之处确实是这样，现在中国公司虽然技术和人才上差一点，但是不差钱，不论是LCD还是太阳能，这些产业确实都被或者正在被中国公司占领，因为中国公司的价格更低，直接颠覆了这个行业。但另一方面，低价的中国产品也确实影响了整个行业，一味的低价是错误，不足以推动行业良性发展。

事情没有那么简单，现在新出货的V300固态硬盘不仅更新了固件，同时也更换了NAND闪存的供应商。实际上考虑到成本因素，金士顿在一开始给V300固态硬盘配置的就是自行切割、自行封装、自定型号的NAND闪存，如果金士顿自己不说，普通玩家即使直接拆解SSD，也无法得知NAND闪存是哪一家供应的。这在固态硬盘领域其实是很常见的事情，但是操作不当的话很可能会砸了自己的招牌。

按照AnandTech的咨询结果显示，原本V300使用的是东芝19nm Toggle 2.0 NAND闪存，而新版V300使用的是美光20nm的异步NAND闪存，这两种闪存在接口速度上有着很大的区别，前者的接口速度可达200MB/s，而后者只有区区50MB/s左右。尽管关于一些技术上的细节还无法确定，但是两种闪存的接口速度相差那么大，肯定会对SSD的性能产生很大影响。

AnandTech做了测试，以AS-SSD不可压缩数据的测试结果为例，新版V300连续读写速度只有170MB/s和85MB/s，4K随机读写只有15MB/s和65MB/s，相比之下，采用东芝闪存的旧版V300却可以跑出475MB/s和150MB/s的连续读写速度，4K随机读写也有20MB/s和110MB/s的成绩，新版V300的性能只有旧版的一半。

让玩家最不爽的是，金士顿并没有公开表示新版V300更换了NAND闪存，仅仅是在面对媒体质疑时表示他们是希望藉此降低V300的物料成本，绝对不是故意降低产品性能的，同时他们也在寻求新的NAND闪存供应商。不过这个答复显然不能让人满意，实际上这个问题与闪存供应商无关，如果金士顿为了降低V300的成本，执意选择性能较差的NAND闪存，那么哪一家供应商都不能让V300恢复原本性能。

另外金士顿还透露，他们曾经想过把新版V300命名为V305，以方便玩家区别产品，但最后他们还是放弃了这个想法。我们认为金士顿的这个做法其实是不妥的，新版V300和旧版V300存在着巨大的性能差距，作为专业的存储设备厂商，金士顿自己应该心中有数。原本闪存供应闪或者是闪存类型等信息就没有公布，更换了低性能的闪存却还保留原来的型号，玩家买到的产品自然与心中期待的会有很大的差距，这绝对不利于自家品牌的名声，要知道V300本来就没有性能优势，更换低性能闪存后就连性价比也没有了。

　　涨价带来的影响也不会很大，Digitimes表示目前PC需求走弱，显卡涨价在短期内并不让消费者或者零售商感觉不安。（全国人民喜迎显卡售价上涨？）

　　除了显卡和内存价格上涨以外，预计6月份主板的平均售价也会上涨，这主要是因为Haswell平台发布所致，消息来源相信他们预期的下半年PC升级趋势会遭遇麻烦的消息已然成真。

　　闪存类产品涨价是事实，不过显存涨价10%，厂商也不能以此为理由给显卡涨价10-15%，难道显存成本=显卡成本了？Digitimes援引的消息来源还表示对市场影响不大，只是使用DDR3做显存的显卡大都很低端，对价格非常敏感，如此大幅的涨价真的没有问题吗？怎么想都不科学啊。

　　据统计显示，2013财年第二季度的总营收之所以未达到预期目标，主要原因是用在Agility系列以及Vertex系列固态硬盘上的NAND闪存芯片供货不足，导致产品出货量不高而引起的。

　　OCZ表示，从订单来看，他们的SSD产品在订购数量上已经超出了预期，但是由于NAND芯片供货不足，他们无法完全满足这些订单的需求。实际上，由于早前NAND芯片的出货价较低，加上市场中库存较多，已经有多家厂商决定削减相关产品的出货量，让NAND芯片市场供求重新获得平衡。因此自8月份起NAND闪存就迎来了一次全行业短缺的问题，虽然这个问题目前已经得到缓解，但是并未真正得到解决。

　　最后OCZ还补充称，NAND芯片短缺的问题很快就会得到解决，毕竟这不是因为上游厂商产能不足所导致的，而是单纯的市场调节。他们也会加紧引入新制程的NAND芯片，并尽快解决目前产品供不应求的问题。

　　东芝称，目前NAND闪存在市场上已经处于严重的供过于求状态，因此产品价格一直在下跌，因此他们在6月起就开始减少相应生产线的开工率，希望通过下调产量的方式减少市场上的NAND闪存库存，让供求趋向平衡。

　　实际上，NAND闪存的需求量在总体上来说是不断增加的，特别是平板电脑、智能手机以及各种闪存式存储装置的发展对NAND闪存起到了很大的带动作用。只是NAND闪存的总产能依然远高于市场需求量，供过于求的现象依然存在，为此东芝才决定下调NAND闪存的产量，以恢复供求平衡。

　　不过这对消费者来说并不是一件好事，毕竟随着闪存库存的减少，对应产品的价格是有可能回升的。因此，不仅是东芝，其它NAND闪存厂商也要密切关注市场动态并及时调整生产，以确保市场不会陷入混乱状态。

　　美光目前还不能将NAND闪存外包给华亚半导体（Inotera Memories）生产，由于美光目前与英特尔订下相关协议，美光NAND Flash技术若要技转给其他代工厂，必须先获得英特尔的许可。

　　据悉，对于闪存业务策略上，美光最关心的不是成为世界第一，而是希望以最低成本抢占市场。

　　目前华亚半导体尚未对美光欲外包生产闪存事件发表任何评论。

　　消息来源：[Digitimes]

　　三星希望在2010年下半年批量生产使用35nm技术的内存产品，至于NAND闪存，三星预计在2011年对其进行20nm工艺技术的升级。

　　2010年三星电子的内在和逻辑业务的开支总额将达到100亿美元，其扩大存储芯片容量的计划也在如期进行。

　　预计三星将会在2011年迎来第16条生产线以制造内存、NAND闪存和下一代存储产品，新的生产线估计每月可生产20万12英寸晶圆。现在三星的15条生产线，都着重于内存芯片的生产。

消息来源：[digitimes]