目前三星的研究员Jaegeuk Kim已经放出了16个关于F2FS文件系统的补丁，并为Linux内核树贡献了接近13000行新代码。有业内人士认为，这个文件系统对采用闪存芯片存储数据的移动设备来说是一个福音，不过尚未有任何厂商包括三星有表示会在自己的新产品上采用该文件系统。

　　实际上，F2FS并不是首个针对闪存芯片进行优化的文件系统，微软推行的exFAT文件系统也是其中之一，不过目前多数移动设备仍然使用传统的文件系统，而不是针对闪存优化的文件系统，毕竟这些传统文件系统具备兼容性优势，新兴文件系统想要全面推广，也必须在这方面多下功夫才行。

　　除此之外，三星亦开始量产128GB的NAND闪存模组，同样使用30nm级别工艺并通过多芯片封装而成，主要针对的仍然是智能手机与平板电脑领域。纵观目前整个移动设备领域，特别是智能手机与平板电脑领域，只有部分旗舰级产品会提供64GB的内置存储空间，能配置更高容量的产品基本不存在。三星这次量产128GB NAND闪存模组则为未来的新旗舰打下了“超大容量”的基础。

　　另外我们不妨如此猜测，既然三星已经量产30nm级别2GB LPDDR3内存模组和128GB NAND闪存模组，那么预计在MWC 2013大会上露面的Galaxy S IV手机，是不是该配置2GB内存和128GB的存储容量呢？这种可能性还是蛮大的。

SK Hynix的DDR4内存

　　SK Hynix现场还展示了服务器市场所用的DDR4内存，看起来已经基本完成了。上面一条是16GB registered内存，下面一条是8GB ECC内存，二者都运行在2400MHz频率。现场还有8GB SODIMM内存，时序是97-93-93，很吓人吧，这是SA网站卖萌而已，实际上内存时序未知，但是根据DDR4的潜力来看，时序不会比DDR3更高。

　　如果觉得上面的内存容量还是太小，SK Hynix还有64GB LRDIMM双列直插式以及32GB VLP DIMM半高式内存，专为1U服务器设计。

1x级NAND闪存

　　现场还有1x级NAND晶圆，虽然SK Hynix并没有说明x代表的是何种工艺，不过很可能就是19nm工艺的，与IMFT公司的20nm工艺相对应，后者将在今年底量产，SK Hynix的19nm工艺NAND应该也为期不远。

　　东芝这么做主要是屈从于市场竞争压力。因为东芝、三星及SK Hynix减产的同时，美光并没有跟进降低产能或者提价，反而借此机会扩大市场份额，一些SSD公司甚至在现有产品之外紧急改用美光闪存生产新的SSD产品，比如OCZ Vertex 4 512GB M型号。（巧合的是，我们昨天也买了两块V4 512GB型号，发现里面的闪存颗粒确实变了，从原来的IMFT换成了美光的颗粒，测试还在进行中）

　　如今东芝或许是发现减产并没有得到想要的结果，反而丢失了不少市场份额，这才决定降价以吸引客户，从美光手中夺回自己丢失的市场份额。由此一来，那么市场上的SSD价格还会大幅降价。

　　SSD厂商表示：“我们刚从xx处得到消息，价格战今天就要开始。我们的SSD产品也会降价25%左右。”

　　这一消息还未得到证实，不过在充分开放的市场上也不无可能，韩日厂商想用减产的方式维持价格，不过却被别的厂商抓住机会，现在东芝准备用降价的方式弥补之前的失误了。有竞争总是好事，如今128GB SSD普遍在800元内了，256GB也有可别型号降低1000-1200元附近，如果真有价格战的话，那么128GB售500元、256GB售价千元的日子就不远了。

　　该系列SSD为7mm厚，最大读取速度510MB/s，写入470MB/s，随机4K读取性能为50000 IOPS，写入为38000 IOPS，支持TRIM指令，待机功耗0.26W，负载功耗0.82W，可靠性为120万小时，三年质保。

　　官方同时开放网络销售，120GB版售价为100美元（635元人民币），240GB版本则为200美元，折合人民币1270元，算起来还是很便宜的。

　　有来自DigiTimes的消息称，尽管目前很多产品都要用到NAND闪存，例如USB闪存盘、各式储存卡、固态硬盘以及智能手机、平板电脑等等，但是NAND闪存的库存压力还是非常严重，大量的芯片无法消化。因此为了让市场的供求关系重返平衡，三星和SK海力士决定跟随东芝走上减产的道路。

　　从目前情况来看，虽然没有明确消息，不过美光很可能是下一个宣布减产的NAND芯片制造商，毕竟他们面临的市场是一致的。而这些厂商减产后，NAND闪存及对应产品的降价可能会暂时停止。至于何时才会恢复原有产能，目前暂无明确消息指出，不过我们认为，那个时候也该是20nm/19nm工艺产品正式登场了。

　　据称，三星Pro Class 1500存储芯片是目前首款支持JEDEC e-MMC v4.5标准的产品，其采用了Toggle DDR 2.0接口和20nm级别工艺打造，其连续读写性能和随机读写性能在同类产品中都处于领先地位。

　　目前三星已经开始量产Pro Class 1500存储芯片，不过具体的出货时间未定，考虑到其采用了20nm工艺制作，主要针对智能手机和平板电脑，想要体验这款芯片的能力恐怕得等到新一代的手机或平板诞生了。

　　然而加拿大公司MOSAID科技在近日宣布，他们已经成功生产出世界首款整合十六个存储核心的NAND芯片，单芯片容量达512Gb(即64GB)。与传统的MCP封装产品不同，这款芯片采用了MOSAID科技独有的HLNAND MCP封装技术，通过两个HyperLink NAND接口连接十六个容量为32Gb（即4GB）的存储核心，并让它们工作在1.8V的电压下。

　　HyperLink NAND接口采用单字节宽度设计，可提供333MB/s的带宽，当两个接口以同步的方式运行时，即可提供最高667MB/s的数据带宽。这款芯片的诞生对推广大容量SSD来说是一个不错的开始，只是目前MOSAID科技尚未公布这款NAND芯片的生产计划，相信在短期内我们仍然看不到相关产品。

　　消息称，由于现在固态硬盘、超薄型笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备的兴起，容量为32Gb到128Gb（4GB到16GB）的NAND闪存在需求量上不断增加，这让目前多家NAND闪存芯片厂商之间的竞争变得更加剧烈。

　　在三星宣布计划于中国内地设立12英寸晶圆工厂之后，这让众多的NAND闪存厂商的生产中心都放到了中国上。除了将无锡的工厂转为生产NAND闪存外，海力士还打算扩大工厂的生产规模，甚至可能设立一个新的12英寸晶圆生产工厂。

　　据统计，目前海力士在NAND闪存市场上的份额已经远远落在的三星和东芝的后面，仅以微弱的差距击败美光科技。不过后者已经和英特尔达成协议，往后英特尔将采用美光的NAND闪存芯片打造自己的固态硬盘产品，海力士在NAND闪存上的道路并不平坦。

　　据协议称，英特尔首先会接收美光约3亿美元的股份购买资金，剩余资金则寄存于美光手中，并根据美光的供货量进行抵扣。当然除了股份和产品交易外，美光和英特尔也会展开一系列的合作，将新兴存储技术推广到双方的产品当中。

　　消息还称，这笔交易将在今年上半年完成。有业内人士认为，两者早在NAND闪存领域就展开了一系列的合作，这次交易完成之后双方的关系将更加紧密，这有利于美光和英特尔在NAND闪存领域保持领先。

　　据台湾媒体DigiTimes的报道称，长期以来SanDisk的存储产品一直占据了市场40%的江山，这次金士顿降低产品售价，必然会对SanDisk的销量带来较大的冲击。为了保持自己的优势，下调价格是SanDisk应对金士顿调价措施的最直接手段。

　　实际上，自NAND闪存工艺从30nm级别进步至20nm级别甚至是19nm的时候，NAND闪存产品的售价就开始有所下降了，按照目前的市场报价，8GB容量的TLC NAND闪存芯片已经下降至5美元，而32GB和16GB的MLC NAND则接近35美元及16美元。相信随着技术的进步和时间的推移，NAND闪存价格全部降至1美元1GB以下并不是什么难事。

　　由于春节假期的原因，台湾多个DRAM设备和NAND设备厂商都因为工人放假、市场不活跃致使产品出货量降低。以威刚科技为例，其在今年1月份的营收为新台币21.1亿元，折合约7140万美元，比去年同期下降了23.8%；创见虽然未公布相关的数据，但有市场观察人士称其在1月份的销量有20%到30%的下降；而NAND闪存控制器厂商ALCOR的1月营收亦有30%的下滑，很可能是全年最低的营收水平。

　　不过这些厂商并未就此现象担心，他们都认为，假期后市场已经复苏，他们的产品销量会在2月份恢复正常水平。不过厂商之间的竞争，很可能会给消费者带来售价优惠的产品，例如金士顿即将对旗下NAND产品进行售价下调。