据台湾DigiTimes的消息称，金士顿正式计划下调旗下NAND闪存产品如固态硬盘、闪存盘和储存卡的售价，最大幅度可达15% ，以刺激市场增长。随后金士顿表示，此次产品售价调整的主要是由NAND闪存芯片制程的进步而带来的。

金士顿HyperX系列固态硬盘

　　构成SSD的主要IC有主控芯片和NAND闪存，估计有不少人认为单纯看主控就可以知道SSD的性能，其实这是错误的，就像OCZ现在的产品线那样，用的都是SandForce SF-2281主控，但是通过不同的闪存与固件搭配划分出Vertex 3 MAX IOPS、Vertex 3、Agility 3与Solid 3等不同层次的产品，相互之间性能差异比较大，可见SSD所用的固件与闪存种类都是对其性能有相当大影响的。

　　今天我们就来说说这个NAND闪存，目前闪存制造厂主要分为三星与东芝联合的ToggleDDR阵营和英特尔与美光为首的ONFI阵营，他们各有各的接口，产品之间的规格也不相同， 主流的SandForce SF-2000系列主控和Marvell 88SS9174主控都提供了对ONFI和ToggleDDR标准闪存的支持，下面就来介绍一下这两个标准。

　　在今年4月份，有英特尔和美光联手打造的闪存厂商IMFT（Intel Micron Flash Technologies）正式宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片。其首款产品是64Gb MLC NAND闪存芯片，芯片面积为118mm²，尺寸比同容量的25nm制程产品减少约三分之一但性能与寿命方面则基本保持一致。

　　日前，三星电子正式宣布，全球首款采用Toggle DDR 2.0高速接口的MLC NAND闪存芯片将正式投产。

　　不久前，东芝宣布推出24nm工艺的NAND闪存芯片。而半个月后的今天，东芝再次宣布，正式推出19nm工艺的NAND闪存芯片，单芯片容量达8GB，是目前密度最高的8GB NAND闪存芯片。

24nm工艺已成过去?

　　日前，英特尔（Intel）与美光（Micron）公司共同宣布推出20nm制程的NAND闪存芯片，重新夺回了NAND闪存制作工艺的王座。

　　据称，目前双方已经成功研制20nm制程的8GB NAND MLC闪存芯片，芯片面积为118mm²，尺寸可比同容量的25nm制程产品减少约三分之一，性能与寿命方面则基本保持一致。

　　虽然各个日本企业在地震中都有所损失，但仍然不能终止他们前进的脚步。日前，东芝正式发布了基于24nm制程技术的SmartNAND系列产品，进一步扩大了其NAND闪存的产品线。

　　近日，Open NAND Flash Interface（ONFI）组织公布了新编准规范ONFI 3.0，其通过使用非易失性DDR2（NV-DDR2）接口，使NAND闪存接口在保持向下兼容的同时，传输速率提升至400MB/s。

　　新的ONFI 3.0标准制定了详细的新NAND闪存接口与基础架构定义，不但接口速度得到有效提升，让NAND闪存控制器在拥有同样性能的同时需要的的通道数减少至原来的一半，可大大节省产品成本，减少产品体积。

　　尔必达与飞索半导体最近宣布，他们已经制造出了世界第一个charge-trapping 4Gb SLC NAND闪存，这种NAND闪存基于飞索半导体的Mirror charge-trapping技术，与尔必达公司的广岛工厂制造。两家拥有先进技术的公司合作使世界上第一款charge-trapping NAND闪存诞生了。

　　相比于floating-gate NAND闪存，charge-trapping NAND闪存的可扩展性更加强，内部结构更简单。其性能更加优秀，读写速度更加快。

　　据来内人士透露，由于目前NAND闪存芯片的库存充足，芯片供应厂商表示愿意降低部分NAND闪存的价格，32Gb的NAND闪存价格最近已降至4.3美元水平。

　　现在欧美地区的闪存卡和USB驱动器的销售仍然低迷，虽然已经进入学生回校上课的时段，但依然不见它们的销量呈上升迹象，这意味着第三季度闪存产品的销量将非常之低。

　　一年前Intel和镁光合资公司IM Flash Technologies宣布34nm TLC NAND闪存芯片研发成功，现在随着新工艺研制成功，该公司宣布开始试产25nm工艺TLC NAND闪存芯片。　　TLC NAND闪存又叫3bps NAND闪存，每个存储单元能存储3bit的数据。新的TLC NAND芯片容量为64Gb，即一颗芯片存储空间就达8GB，这是目前最小存储密度最大的NAND芯片，相信采用该芯片的话U盘、SD卡和MP4、手机这类消费电子产品的存储空间会大大提升。

　　其核心面积为131mm2，相比25nm MLC NAND闪存，相同容量的TLC NAND闪存尺寸缩小20%，有更好的成本优势，Intel相信该芯片会有很强的市场竞争力。

　　随着智能手机、平板电脑还有固态硬盘的兴起，业界对NAND闪存的需求量大增。日前，有消息报道，三星（Samsung)将与东芝（Toshiba）通力合作，开发新一代高速NAND闪存，并计划在2011年投入量产。　　这款NAND使用Toggle DDR 2.0规格内存，传输速度可达400Mbps；另外，公司方面希望20纳米级别的NAND闪存都可支持Toggle DDR 2.0规格。

　　更多消息，可参阅东芝官方网站。

　　尔必达（Elpida）和Spansion公司宣布，它们已经开始联合开发NAND工艺技术和产品，现有的合作关系将扩大到包括晶圆代工服务的闪存协议。

　　台湾创见集团（Transcend）的董事长束崇万（Peter Su）在近日发表言论：“当前DRAM的价格普片偏高，如果DRAM的单位价格能够降低到2美元以内，就可以很好地帮助刺激终端产品市场的需求”。

　　此外，束崇万还表示：“对于目前的NAND闪存价格而言，无论是芯片销售商、模组生产商还是最终的消费者都尚在可接受的范围之内”。

English Version Click Here . 　　虽然SLC闪存芯片可使SSD传输速度更快、可靠性更佳，但却存在容量偏小和成本高昂的问题，所以目前市场中的SSD产品绝大部分还是采用MLC闪存芯片。

　　日前，Fusion-io宣布研发出了一种兼备二者优点的新型存储芯片——SMLC（single mode level cell）。据称SMLC的读写性能、可靠性均可媲美SLC芯片，但成本却和MCL的差不多。