据The Elec报道，SK海力士已经将首批设备于10月已经安装到M15X，比最初12月开始安装的计划提早了两个月。为了满足人工智能市场对存储器的巨大需求，SK海力士加快了HBM生产线的扩张计划。

据了解，SK海力士已经在M15X投入了超过20万亿韩元（约合人民币996亿元）的资金，厂区毗邻M15。SK海力士计划以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，每月产能为3.5万片晶圆，预计进一步提升至5.5万至6万片晶圆。当M15X全面投入运营时，可以将SK海力士的HBM产能提高20%至30%，预计将进一步提升营收。

去年12月，为了加快了M15X的扩建，SK海力士决定将部分DRAM业务的员工从总部转移到清州园区，为M15X的现场运营做准备，并开始订购设备。由于HBM相比传统DRAMN需要消耗更多晶圆，为此M15X拥有比现有晶圆厂更大的洁净室。

财报显示，2025财年第三季度的收入为24.4489万亿韩元（约合170.77亿美元/人民币1212.67亿元），同比增长39%，环比增长10%；营业利润为11.3834万亿韩元（约合79.51亿美元/人民币564.62亿元），同比增长62%，环比增长24%；净利润为12.5975万亿韩元（约合87.99亿美元/人民币624.84亿元），同比增加119%，环比增长80%；营业利润率为47%，净利润率为52%。

截至2025财年第三季度末，SK海力士的现金及现金等价物达到了27.9万亿韩元，环比增加了10.9万亿韩元。相比之下，债务仅为24.1万亿韩元，SK海力士由此成功实现了3.8万亿韩元规模的净现金头寸。

SK海力士计划加速转换至已实现稳定量产的最先进1cnm（第六代10nm级别）工艺，由此具备服务器、移动端、图形处理等“全系（Full-line up）”DRAM产品阵容。在NAND闪存业务领域，SK海力士计划扩大供应基于321层堆叠的TLC、QLC产品，迅速响应客户的要求。  

此外，SK海力士已经与主要客户就明年的HBM供应达成协议。其中今年9月开发完成并构建量产体系的HBM4，已为满足客户所有性能要求及实现业界最高速度做好准备，计划从第四季度开始供应，明年扩大销售。   为了应对超出预期的客户需求，SK海力士将提早开放M15X无尘室并开始引进生产设备，确保尽早投入运行，加速推进先进工艺转换。 

根据X021判断，应该属于第二代3Gb DDR5“A-Die”颗粒，替换掉当前使用的3Gb DDR5“M-Die”颗粒。同时按照SK海力士的命名惯例，像EB、GB和HB这样的字母对应JEDEC标准的速率分别为4800、5600和6400 MT/s，结合英特尔下一代处理器（Panther Lake和Arrow Lake Refresh）对内存速率的支持，这次的KB可能指向7200 MT/s。

这次泄露的内存产品采用了8层PCB设计，这可能会影响到高速率下内存的稳定性。传闻SK海力士已经生产出早期的样品芯片，不过想在8层PCB上保持8000 MT/s以上的速度仍然是一个挑战。为了充分发挥新颗粒的性能，内存制造商需要采用10层或者12层PCB设计才行。

三星在DDR4时代占据了主导地位，高端内存模块几乎都选择其B-Die颗粒。到了DDR5时代，SK海力士一跃成为业界的焦点，尤其是其A-Die和M-Die颗粒。过去一段时间里，SK海力士能够在DRAM市场全面压过三星，除了占据大部分HBM份额外，DDR5产品也立下了汗马功劳，为数据中心和高端PC提供的DDR5内存模块受到了广泛欢迎。

据TrendForce报道，近日SK海力士在M15X工厂启动了一条试验生产线，以1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺生产DRAM芯片，以满足市场不断增长的HBM需求。SK海力士打算11月之前搬入设备，并在今年第四季度举行设施落成仪式，初始产能目标是每月10,000片晶圆。

虽然竞争对手三星打算采用1cnm（第六代10nm级别）工艺制造DRAM芯片，用于下一代HBM4，但是SK海力士和美光都坚持使用1β (b) nm工艺。不过作为目前最大的HBM供应商，SK海力士首先要解决的是产能问题，以应对手上海量的订单。

前一段时间，SK海力士宣布已成功完成面向AI的超高性能存储器新产品HBM4的开发，并在全球首次构建了量产体系。英伟达下一代Vera Rubin产品线将采用HBM4，随着M15X工厂投产，SK海力士拥有更大的产能来应对下一轮增长。

另一方面，三大原厂之一的美光似乎遇到了一些麻烦，不仅要努力满足英伟达对HBM4提出的更高速度规格要求，而且在SOCAMM上也达不到要求，预计从英伟达处只能获得最少的订单分配。

HBM4属于第六代HBM产品，英伟达将是SK海力士的首个客户，用于明年的Rubin架构数据中心GPU上。其采用了较前一代产品翻倍的2048条数据传输通道，将带宽扩大一倍，同时能效也提升40%以上，从而实现了全球最高水平的数据处理速度和能效。同时SK海力士还实现了高达10Gbps以上的运行速度，大幅超越JEDEC标准规定的8Gbps。

SK海力士沿用了在HBM3E获得认可的MR-MUF工艺，从而在现有12层堆叠上达到了最大36GB容量。该工艺不但能控制芯片的翘曲现象，还有效提升了散热性能，由此最大程度地提高了产品的稳定性。此外，SK海力士还采用了成熟的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺来制造HBM4所需要的DRAM芯片，最大程度地降低了量产过程中的风险。

SK海力士预计，将新产品引入客户系统后，AI服务性能最高可提升69%，不仅能从根本上解决数据瓶颈问题，还能显著降低数据中心电力成本。SK海力士表示，HBM4的开发完成将成为业界新的里程碑，再次彰显了自身在面向AI的存储器技术领域的领导地位，并公告了竞争优势。

SK海力士表示：“此次产品搭载于全球手机制造商的最新款智能手机，再次彰显了公司在全球市场中的技术优势。该产品将为智能手机提供更强大的端侧AI功能支持，为用户带来全新的使用体验。”

ZUFS（Zoned UFS）是将分区存储（Zoned Storage）技术应用于UFS的扩展规格，可将不同用途和特性的数据进行分区（Zone）存储。SK海力士通过与客户的密切合作，于今年6月成功完成了该产品的客户验证。在此基础上，7月正式进入量产阶段，并开始向客户供应。

相较传统UFS，ZUFS 4.1大幅改善长期使用所导致的读取性能下降现象，应用程序运行时间缩短45%，并针对端侧AI功能和大数据处理进行优化。另外在数据存储方式上，传统UFS采用新数据覆盖旧数据的存储方式，而ZUFS 4.1则采用顺序写入方式，从而使得AI应用程序的运行时间缩短了47%。凭借这些性能优势，ZUFS 4.1被誉为专为端侧AI和大数据处理等移动终端设备优化的解决方案。

此外，比起去年5月的ZUFS 4.0，这次的ZUFS 4.1错误处理能力上进行了显著增强。通过更精确地检测错误，并将所需处理方案清晰传达至中央处理器，预计系统的可靠性和恢复能力将得到大幅提升。

英特尔在2020年10月19日，以90亿美元的价格向SK海力士出售了其NAND闪存以及存储业务。其中包括英特尔的固态硬盘业务、NAND配件和晶圆业务，以及在英特尔在大连的NAND闪存芯片制造厂，但英特尔仍将保留傲腾业务。该笔交易分为两个阶段：2021年12月29日，SK海力士向英特尔支付70亿美元，购入包括大连工厂在内的NAND闪存业务；2025年支付剩余的款项，购买剩下的资产，包括NAND闪存的制造和设计、研发团队和大连工厂的队伍。

SK海力士在完成第一阶段交易后，已经将英特尔相关的NAND闪存以及存储业务转移到名为Solidigm的新公司运营。Solidigm属于SK海力士的子公司，总部设在美国加利福利亚州的圣何塞。

为了提升产品性能和生产效率，微细制程技术的优化显得尤为重要。电路图案制作越精密，每块晶圆上可生产的芯片数量就越多，同时也能有效提高能效与性能。2021年SK海力士在第四代10nm级（1a）DRAM中首次引入EUV光刻技术，将EUV应用扩展至先进DRAM制造领域。为了满足未来半导体市场对超微细化和高集成度的需求，SK海力士决定引进超越现有EUV的下一代技术设备。

这次的High-NA EUV光刻机，型号为TWINSCAN EXE:5200B，属于首款量产型High-NA EUV设备。与现有的EUV设备（NA 0.33）相比，其光学性能（NA 0.55）提升了40%，这一改进使其能够制作出精密度高达1.7倍的电路图案，并将集成度提升2.9倍。

通过引进High-NA EUV设备，SK海力士将简化现有的EUV工艺，并加快下一代半导体存储器的研发进程，从而确保在产品性能和成本方面的竞争力。此举有望巩固自身在高附加值存储器市场中的地位，并进一步夯实技术领导力。

据TrendForce报道，考虑到DDR4强劲需求及价格坚挺，曾经计划2025年末至2026年初逐步停产的三星和SK海力士改变了想法，决定将DDR4的生产延续到2026年。其中SK海力士已经正式通知了客户，其位于无锡的工厂将提高DDR4的产量。

三大原厂中，仅剩下美光坚持最初的计划。美光执行副总裁兼首席商务官Sumit Sadana在6月接受媒体采访时确认，美光已经向客户发送了通知，告知旗下DDR4和LPDDR4将进入EOL（End of Life）阶段。美光的出货不会持续太久，预计未来2到3个月内结束。

有分析师表示，DDR4与DDR5之间价格倒挂的情况不会持续太久，以前DDR2和DDR3迭代的时候也出现过类似的情况，持续的时间大概四个月。由于三星的市场占比较大，被认为是DDR4价格上涨的主要受益者。SK海力士认为DDR4最近的价格飙升是“供应担忧推动的短期需求激增”，随着产量提升也将受益。

目前最新的旗舰手机多采用PoP（Package on Package）结构，即将DRAM垂直堆叠在移动处理器上面。这么做虽然能够高效利用有限空间并提升数据处理速度，但也导致移动处理器产生的热量积聚在DRAM内部，从而影响整机性能。

为此SK海力士在传统EMC中使用的二氧化硅（Silica）基础上，混合了氧化铝（Alumina），从而开发出名为“High-K EMC”的新材料。与传统材料相比，新材料的热导率是其3.5倍，而且将热量垂直传导路径的热阻降低了47%。散热性能的提升有助于改善智能手机整机性能，同时通过降低功耗，可延长电池续航时间并提高产品寿命。

SK海力士相关负责人表示，未来将继续以材料技术创新为基础，牢固确立在新一代移动DRAM市场中的技术领导地位。

为了最大限度地提高此次产品的成本竞争力，SK海力士将其容量相比现有产品翻倍，达到了2Tb。一般来说，NAND闪存容量越大，单元中储存的信息越多，并且存储器管理越复杂，导致数据处理速度就越慢。为此SK海力士通过将NAND闪存内部可独立运行的平面（Plane）架构从四平面扩展为六平面，从而提升了并行处理能力，缓解了因大容量导致的性能下降问题。

SK海力士计划首先用在PC SSD上，然后逐步扩展到面向数据中心的eSSD和面向智能手机的UFS产品。此外，SK海力士也将基于堆叠32个NAND芯片的独有封装技术，实现比现有高出一倍的集成度，正式进入面向AI服务器的超高容量eSSD市场。

早在去年11月，SK海力士就量产了当时全球最高的321层1Tb TLC NAND闪存，并于2025年上半年开始供应。到了今年5月，SK海力士又将其应用到UFS 4.1产品上，可选512GB和1TB两种容量，计划明年第一季度开始批量发货。

据TrendForce报道，最近SK海力士发布了一份《2025年半年度报告》，强调了自身与AI芯片巨头之间密切合作的关系，2025年上半年从“单一主要客户”处获得了10.89万亿韩元（约合78.34亿美元/人民币563亿元）的收入。要知道相同时间段内，SK海力士的收入为39.87万亿韩元（约合286.82亿美元/人民币2061.28亿元），也就是说仅英伟达一个客户，就贡献了约27%的营收。

虽然SK海力士没有透露这位大客户的名字，但是已经有业内人士确认正是英伟达。过去SK海力士和英伟达的关系并没有那么密切，根据SK海力士以往的报告，2023年没有一家客户能单独贡献超过10%的营收，到2024年，英伟达的占比就升至16%，对应的金额为10.9万亿韩元。

凭借过去两年HBM产品强劲的出货表现，SK海力士趁机抢占了相当大的DRAM市场份额，甚至超越三星成为新的DRAM霸主。

据TomsHardware报道，SK海力士称HBM的需求“稳固且强劲”，预计到2030年，HBM市场的总规模将达到约980亿美元，其中定制HBM市场的价值就有数百亿美元。可以说，SK海力士未来的命运与AI基础设施支出密切相关。

定制HBM设计将成为HBM市场一个关键的差异化因素，虽然AMD和英伟达都已决定在明年的下一代AI加速器中首次采用定制HBM设计，针对性能或者能效进行调整，但是SK海力士希望不仅仅是GPU巨头，而是有更多的客户不再使用通用产品，而是选择定制HBM。SK海力士将在HBM4上首次提供定制HBM服务，结合封装技术的进步，让买家很难切换供应商，从而改变了这个曾经由价格竞争主导的领域，由技术支撑起利润率。

HBM市场日益增长的需求和高利润率也吸引了三星和美光的关注，两者都在加大投资，并扩张产能。为了提升竞争力，提供更多差异化的产品，SK海力士还选择与闪迪合作，共同制定高带宽闪存（HBF）规范，为下一代AI推理提供突破性的内存容量和性能。

据Wccftech报道，随着三星加快1cnm DRAM的开发和量产工作，SK海力士似乎更加认真地对待竞争对手。SK海力士很可能成为首个将1cnm DRAM技术提升至6层EUV的存储器厂商，从而为市场设定新的标准，并增强自身在消费端和HBM的竞争力。更为重要的一点是，这次升级还将推进SK海力士下一代DRAM技术的开发，为未来加入High-NA EUV设计奠定基础。

相比于DUV，EUV的应用针对于更为复杂的电路，在采用先进制程的逻辑芯片上已经得到了广泛的应用，不过在DRAM技术上仍处于初级阶段。现在的DRAM技术采用的是EUV与DUV层结合的混合方案，而SK海力士则计划将1cnm DRAM完全切换到6层EUV，这使其能够打造出良品率更高、性能更强、利润更高的产品。

目前1cnm DRAM技术还没有用于任何传统的消费端内存解决方案，SK海力士还在探索其他的选择，EUV作为新一代DRAM技术的组成部分，将会长期使用，预计在下一代内存上会有更多的应用。

财报显示，2025财年第二季度的收入为22.232万亿韩元（约合162.73亿美元/人民币1164.96亿元），同比增长35%，环比增长26%；营业利润为9.2129万亿韩元（约合67.4亿美元/人民币482.76亿元），同比增长68%，环比增长24%；净利润为6.9962万亿韩元（约合51.21亿美元/人民币366.6亿元），同比增加70%，环比减少14%；营业利润率为41%，净利润率为31%。

SK海力士表示，旗下DRAM和NAND闪存产品的出货量均超出预期，由此创下了历史最高业绩。其中DRAM业务领域，全面扩大了12层HBM3E产品的销售，NAND闪存各应用领域的销售都在增加。凭借面向AI的存储器领域业界最高水平的竞争力和以盈利为导向的经营活动，延续了良好业绩趋势。此外，客户在第二季度提高存储器订单的同时，还提高了成品产量，维持了稳定的库存水平。

SK海力士预计，下半年客户的新产品上市在即，存储器需求将持续增长趋势。同时计划在年内开始供应搭载LPDDR的服务器模组，开始供应24Gb（3GB）模块的GDDR7产品，并扩大基于QLC的高容量企业级固态硬盘（eSSD，enterprise SSD）的销售，构建基于321层NAND闪存的产品组合，从而进一步提升市场竞争力。