• 三星准备推出第9代280层V-NAND闪存,将在ISSCC 2024做展示

    吕嘉俭 发布于2024-01-30 11:43 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    ISSCC 2024(IEEE 国际固态电路会议)将于2月18日至22日在美国旧金山举行,此前大会已确认,三星将介绍其最新的GDDR7内存技术,速率达到了37Gb/s,为16Gb模块。

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  • 三星确认明年带来第9代V-NAND技术:沿用双堆栈架构,将超过300层

    吕嘉俭 发布于2023-10-19 09:38 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    作为全球最大的NAND闪存供应商,三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日,三星分享了最新的V-NAND技术开发情况,重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构,拥有业界最高的层数。

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  • 三星西安工厂计划升级设备,为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备

    吕嘉俭 发布于2023-10-16 12:18 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    近日,存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免,不需要特别的许可批准,即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂,另外在苏州还有封装设施。

    据Business Korea报道,三星已经决定对西安工厂进行升级,并开始大规模扩张,首先将过渡到200层的NAND工艺。为了应对过渡计划,目前三星已采购了一批新的设备,预计今年年底就能交付。同时三星计划明年陆续引进新的生产设备,为生产采用第8代V-NAND技术的236层闪存产品做好准备。

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  • 三星明年开始生产第9代V-NAND闪存:继续采用双堆栈架构,超过300层

    吕嘉俭 发布于2023-08-18 09:08 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道,三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品,将超过300层,继续沿用双堆栈架构。

    所谓双堆栈架构,即在300mm晶圆上先生产一个3D NAND闪存堆栈,然后在原有基础上再构建另一个堆栈。超过300层的第9代V-NAND技术将提高300mm晶圆生产的存储密度,使得制造商能够生产更低成本的固态硬盘,或者让相同存储密度及性能的固态硬盘变得更便宜。

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  • 三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存:业界最高位密度,I/O速率达2.4Gbps

    吕嘉俭 发布于2022-11-07 15:18 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    三星宣布,已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品,为1Tb(128GB)TLC 3D NAND闪存芯片,达到了236层,相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称,新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度,可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

    第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口,I/O速率达到了2.4 Gbps,比上一代产品提高了1.2倍,这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示,第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石,不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。

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  • 三星或在今年内推出236层3D NAND闪存,以保证市场领先地位

    吕嘉俭 发布于2022-08-17 18:01 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    这个月初,SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存,已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品,并计划在2023年上半年正式投入量产。

    据Business Korea报道,三星已经完成了采用第八代V-NAND技术产品的开发,将采用236层3D NAND闪存芯片,预计会在今年内实现批量生产。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,将负责开发更先进的NAND闪存产品。

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  • 三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备,未来将超过1000层

    吕嘉俭 发布于2021-06-09 14:49 / 关键字: 三星, Samsung, V-NAND

    三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器,称为V-NAND,并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始,逐渐积累了丰富的经验,近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示,未来V-NAND的层数可能会超过1000层。

    据TomsHardware报道,三星计划开始生产采用第七代V-NAND技术的消费类固态硬盘,具有176层。三星表示,这是业界最小的NAND存储单元。这款新闪存将拥有2000 MT/s的数据传输速率,让三星可以构建PCI-E 4.0和PCI-E 5.0接口的超高速固态硬盘。这些存储设备将使用全新的主控芯片,会针对多任务、大工作量的负载进行优化。下一步三星会推出基于176层V-NAND闪存的数据中心级别固态硬盘,会有更强的性能和容量。

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  • 三星正在开发160层堆叠3D闪存,采用双堆栈技术

    Strike 发布于2020-04-20 10:23 / 关键字: 三星, 3D闪存, V-NAND

    长江存储近日宣布了他们的128层堆叠3D闪存研发成功,并且准备在年底投产,但三星近日在股东大会上宣布他们已经在开发第七代V-NAND闪存,堆叠层数多达160层。

    图片来源:三星官网

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  • 三星推出采用第六代100+层V-NAND的SSD产品,下半年提供512Gb级别的颗粒

    倪嘉声 发布于2019-08-06 12:30 / 关键字: 三星, TLC, V-NAND

    今天上午,三星官方宣布他们已经开始生产整合了公司最新第六代256Gb 3bit NAND颗粒的250GB SATA SSD。不过用上最新颗粒的SSD目前只向OEM渠道出货,消费级市场还要过一段时间才能用上。

    Samsung-V6-SSD_2_900图片来自于三星官方

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  • 三星将推32TB的TLC闪存硬盘,QLC硬盘今年内问世

    孟宪瑞 发布于2018-07-24 17:04 / 关键字: 三星, V-NAND, 闪存, QLC, TLC

    最近一段时间来美光、英特尔、东芝、西数先后宣布了QLC闪存出样以及96层堆栈3D闪存上市的消息,作为全球第一大NAND供应商的三星在这方面倒是很低调,但是三星的行动一点也不慢,前几天宣布量产第五代V-NAND闪存,今年将推出32TB容量的TLC闪存硬盘,1Tb核心容量的QLC闪存硬盘今年内也会问世。

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  • 三星量产第五代V-NAND闪存:90层堆栈,QLC闪存在路上

    孟宪瑞 发布于2018-07-10 13:16 / 关键字: 三星, V-NAND, Toggle DDR 4.0, 3D闪存, QLC闪存

    2018年各大NAND厂商都已经大规模量产了64层堆栈的3D NAND闪存,以TLC闪存为主,下一代闪存的堆栈层数要继续提升50%达到96层级别。三星今天宣布量产第五代V-NAND闪存,业界首发Toggle DDR 4.0接口,速率达到了1.4Gbps,堆栈层数超过90层。此外,三星还准备推出1Tb核心容量以及QLC结构的V-NAND闪存。

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  • 三星970 EVO 500GB M.2 SSD评测:一个甜点级的SSD

    Strike 发布于2018-05-02 19:10 / 关键字: 970EVO, 三星970, V-NAND, 三星SSD

    早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到早在去年10月份三星的PM981出现在淘宝上面的时候我们就预见到这货未来肯定和970 EVO跑不了关系,结果4月份的发布会上,三星拿出来的970 EVO根本就是PM981的翻版,主控、缓存、闪存都是一样的,采用Phoenix主控加三星64层堆叠V-NAND TLC闪存,而970 PRO则是换了MLC闪存的版本,性能自然更好。

    今天要带来的是三星970 EVO 500GB的评测

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  • 64层V-NAND试水作,三星推出T5系列移动固态硬盘

    Strike 发布于2017-08-16 11:36 / 关键字: 三星T5, T5, 移动固态硬盘T5, V-NAND

    三星在2015年推出了旗下第一款移动固态硬盘T1,去年推出了T3,与T1相比,T3的最大容量翻了一倍,从1TB变成了2TB,接口也换成了USB 3.1 Gen1 Type-C接口,而今年三星则推出了移动固态硬盘T5,最大的变化就是接口升级到了USB 3.1 Gen2 Type-C,释放了性能的上限,而且也用上了三星最新的64层堆叠V-NAND闪存

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  • 三星加速量产64层V-NAND闪存:提速50%,节能30%

    bolvar 发布于2017-06-15 13:37 / 关键字: 三星, NAND, V-NAND, 闪存, 64层

    从去年下半年开始的NAND闪存缺货、涨价已经持续一整年了,今晚的超能分享会也会关注NAND闪存发展及降价问题,大家别错过。2017年也是3D NAND闪存超越2D NAND成为主流的关键,堆栈层数也从去年的32层、48层提升到了64层、72层。三星是最早量产64层堆栈3D NAND闪存的,现在官方又宣布64层256Gbi容量的V-NAND闪存正在加速量产,性能比前代48层V-NAND提升50%,能耗也降低了30%,生产率也提升了30%。

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  • 三星年底量产64层堆栈3D闪存,西安也是主产地

    bolvar 发布于2016-10-10 11:31 / 关键字: 三星, V-NAND, 3D闪存, 64层

    在前几天发布的初期财报数据中,三星Q3季度虽然面临营收下滑5%的困境,但盈利同比增长6%,这次移动部门是没啥指望了,让三星大赚特赚的是半导体,不断涨价的内存、闪存就是大功臣。今年智能手机内存、闪存容量不断增加,导致市场供应吃紧进而涨价,三星也瞅准了机会在年底量产第四代V-NAND闪存,64层堆栈,届时韩国的华城、中国的西安工厂都将是主产地。

    中国西安的三星工厂也将是未来64层堆栈3D闪存的主产地

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