关于 美光 的消息
英伟达为RTX 50系列显卡添加供应商:美光开始供应GDDR7
英伟达在今年1月初的CES 2025上,发布了基于Blackwell架构的GeForce RTX 50系列GPU,包括了台式机和笔记本电脑使用的游戏显卡,首次采用了GDDR7显存。虽然三星、SK海力士和美光都向英伟达提供了GDDR7样品进行测试,但是三星独占了初期的GDDR7供应,到了4月SK海力士才跟上。
英睿达T710 PCIe 5.0 SSD开卖:搭载美光G9 TLC NAND闪存,售价1699元起
今年的COMPUTEX 2025上,美光旗下专注于消费类存储产品的英睿达(Crucial)品牌推出了T710,这是其新款M.2 2280 PCIe 5.0 SSD,也是目前市场上速度最快的同类产品之一。相比于去年初的T705 PCIe 5.0 SSD,性能得到了全面的提升。目前新产品已登陆电商平台,并开始销售了,首批上市的是裸条。另外晒单送1000京豆,还有下单抽好礼活动,具体可咨询在线客服工作人员。
美光介绍更新后的美国投资计划,首座新建晶圆厂将于2027H2投产
上个月,美光(Micron)宣布扩大在美国的投资规模,在原计划基础上再增加300亿美元,达到约2000亿美元,用于尖端DRAM制造(1500亿美元)和研发(500亿美元),同时会创造9万个直接和间接工作岗位。去年美光还与美国商务部达成的协议,后者将根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供61.65亿美元的直接拨款,目标是未来十年内在美国制造旗下40%的DRAM产品。
美光介绍1γ DRAM节点:利用EUV等技术,功耗降低20%,性能提升15%
本月初,美光(Micron)宣布正在交付全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X内存样品。这属于第六代10nm级别1γ(1-gamma)DRAM节点产品,是美光首款采用EUV光刻技术打造的移动解决方案,利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征,从而获得了业界领先的容量密度优势。美光还利用包括下一代高K金属栅极技术在内的CMOS技术,提升了晶体管性能,实现了更高的速率、更优化的设计和更小的特征尺寸,为1γ DRAM节点带来功耗降低和性能扩展的双重优势。
美光推出2600系列NVMe SSD:采用第九代QLC闪存,支持自适应写入技术
美光近日推出了美光2600系列NVMe SSD,这是一款专为OEM厂商设计的高性价比客户端SSD,采用了美光第九代QLC闪存,并支持美光独家的自适应写入技术(AWT),在兼容QLC经济性的同时,提供了PCIe 4.0 SSD的性能。
美光将HBM拓展到四个主要GPU/ASIC客户,目标年末市场份额提升至24%
美光刚刚公布了2025财年第三财季财报(截至2025年5月29日),季度营收为93.01亿美元,环比和同比增长分别达到了15.5%和36.6%,同时下个季度的预期同样乐观,主要动力来自于HBM的增长及传统领域部分产品涨价的带动,预计营收在107亿美元至110亿美元之间。
美光公布2025财年第三财季财报:营收同比大幅增长36.6%
美光公布了2025财年第三财季财报(截至2025年5月29日),季度营收为93.01亿美元,超出市场88.5亿美元的预期,也高于美光之前88亿美元的预期,相比于上个季度的80.5亿美元环比增长了15.5%,比起上一财年同期的68.1亿美元,同比大幅度增长了36.6%;净利润为18.85亿美元,上个季度净利润为15.83亿美元,上一财年同期净利润为3.32亿美元;毛利率为37.7%;每股摊薄收益为1.68美元;运营现金流为46.1亿美元,上个季度为39.4亿美元,上一财年同期为24.8亿美元。
美光已通知客户DDR4进入EOL阶段:预计未来6至9个月内供应逐步递减
今年4月就有报道称,美光已经开始减少DDR4的产量,通知客户不再供应服务器DDR4内存模块。传闻SK海力士也有类似的打算,减少DDR4产能输出,将其生产份额降至20%。另外三星也打算这么做,已告知客户多款DDR4和LPDDR4产品即将停产。三大原厂的这种转变,反映了更广泛的行业趋势。
美光宣布扩大在美国的投资规模:增至约2000亿美元,用于尖端DRAM制造和研发
美光(Micron)宣布,将扩大在美国的投资规模,在原计划基础上再增加300亿美元,达到约2000亿美元,用于尖端DRAM制造和研发。这次追加的部分主要用在爱达荷州博伊西建造第二座尖端DRAM工厂,以及扩建位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂。
美光千亿美元大型晶圆厂项目再次推迟,已延期到2025年末
去年12月,美光宣布与美国商务部已根据《芯片法案》为其商业半导体制造项目提供61.65亿美元的直接拨款达成了协议。这部分资金将用于奖励美光在2022年10月宣布的计划,包括向纽约克莱工厂投资约1000亿美元,以及向爱达荷州投资250亿美元。另外美光还计划2030年之前投入约500亿美元,专注于开发更先进的存储半导体技术。
美光向主要客户交付HBM4:12层堆叠,36GB容量,支持下一代AI平台
美光宣布,已经向多个主要客户交付容量为36GB的12层堆叠HBM4样品,这一里程碑时刻扩大了美光在人工智能(AI)应用内存性能和能效方面的领导地位,为开发下一代AI平台的客户和合作伙伴提供无缝集成。美光表示,高性能内存在支持数据中心AI训练和推理工作负载不断增长的需求方面发挥着关键作用,比起以往变得更加重要。
美光质疑法庭判决,以国家安全为由拒绝长江存储访问技术文档
2023年11月,长江存储(YMTC)在美国加州北部地区的地方法院向美光提起诉讼,指控对方侵犯其8项专利与3D NAND闪存的专利。随后指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁Roslyn Layton散布虚假信息,试图破坏长江存储的市场声誉和商业关系。去年长江存储再次对美光提起诉讼,指控对方侵犯其11项专利。根据先前法庭的裁决,长江存储可以访问美光73页机密3D NAND技术文档。
美光推出全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X,将用于明年的旗舰智能手机
美光(Micron)宣布,正在交付全球首款基于1γ工艺的LPDDR5X内存样品。这属于第六代10nm级别1γ(1-gamma)DRAM节点产品,速率达到了10.7Gbps,同时节省20%的电量,旨在加速旗舰智能手机上包括人工智能(AI)应用在内的执行数据密集型工作负载,带来更快、更流畅的移动体验和更长的电池续航时间。
美光12层HBM3E出货量飙升,到8月或超过8层堆叠产品
去年9月,美光宣布推出12层堆叠的HBM3E,拥有36GB容量,面向用于人工智能(AI)和高性能计算(HPC)工作负载。到了今年2月,美光开始批量生产12层堆叠HBM3E,首先供应给英伟达。虽然美光的HBM3E比起SK海力士来得要晚一些,但是上市销售的推进速度非常快。
谷歌放弃三星HBM3E,改用美光提供的解决方案
从2023年10月开始,三星就一直在为旗下的HBM3E通过英伟达的质量验证而努力,但是一年多里,无论是8层堆叠还是12层堆叠的产品在芯片性能方面都未能满足要求,甚至影响到了财务表现。为此三星修改了HBM3E的设计,传闻5月底至6月初将获得英伟达的认证。近期三星还打算逐步淘汰HBM2E,将资源转向HBM3E和HBM4。