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美光正扩增1znm DDR4 DRAM的生产线,主要生产用于PC上的16Gb颗粒

目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺,其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺,该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点,三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存,美光随后在八月份宣布他们的1znm制程也开始量产了,并且是用于16Gb颗粒的生产,现在美光正在积极扩大其1znm DDR4 DRAM生产线。

SK海力士宣布采用1Znm制程工艺的16Gb DDR4颗粒:推动单面16GB内存普及

SK海力士于今天宣布推出使用1Znm制程工艺的16Gb DDR4内存颗粒,明年开始量产。SK海力士的1Znm制程已经是他们在10nm工艺节点中的第三代工艺技术了。

三星A-die内存开始出货,采用1z nm工艺,单面32GB成为可能

三星的B-die内存可以说是现在超频内存中的极品,大多数高频内存用的都是它,芝奇前段时间才推出的DDR4-4300 CL19核DDR4-4000 CL16皇家戟套装用的就是它,然而三星在今年春季就宣布将逐步停产B-die内存,它将会被工艺更先进存储密度更大的A-die和M-die所取代。

三星首发1znm的8Gb DDR4 DRAM:生产效率提升20%,下半年量产

全球DRAM内存市场主要由三星、SK Hynix及美光三家统治,他们的产能占了全球市场份额95%以上,其中三星一家就能占据全球45%以上的份额,是绝对的王者。在技术上,不久前三星首发了12GB LPDDR4X内存,使用的是二代10nm级工艺也就是1ynm工艺制造,现在它基于第三代10nm级工艺也就是1znm工艺制造的DDR4 DRAM内存也来了。

美光正扩增1znm DDR4 DRAM的生产线,主要生产用于PC上的16Gb颗粒

目前DRAM内存的制程处在10nm级工艺,其中第三代10nm级工艺被业界称为1znm工艺,该工艺节点是当前DRAM内存在量产方面的最新节点,三星最早去年三月份首发了1znm工艺的8Gb DDR4 DRAM内存,美光随后在八月份宣布他们的1znm制程也开始量产了,并且是用于16Gb颗粒的生产,现在美光正在积极扩大其1znm DDR4 DRAM生产线。

SK海力士宣布采用1Znm制程工艺的16Gb DDR4颗粒:推动单面16GB内存普及

SK海力士于今天宣布推出使用1Znm制程工艺的16Gb DDR4内存颗粒,明年开始量产。SK海力士的1Znm制程已经是他们在10nm工艺节点中的第三代工艺技术了。

DRAM厂商正在评估采用EUV技术,主要是为了降低单位生产成本

半导体元件的制造,制程越小越困难,所面临的物理限制越来越高,现在能量产的工艺节点已经来到7nm,往后制程的升级越来越困难,所以催生出了EUV光刻技术,比如在同样是7nm制程的情况下,可将晶体管密度提升,同频率下功耗降低,不过EUV光刻技术还有一个优点就是有助于降低单位生产成本。现在,DRAM厂商在面对DRAM价格不断下跌的困境下,已经在考虑导入EUV技术用于制造DRAM,主要目的是为了降低成本。

三星首发1znm的8Gb DDR4 DRAM:生产效率提升20%,下半年量产

全球DRAM内存市场主要由三星、SK Hynix及美光三家统治,他们的产能占了全球市场份额95%以上,其中三星一家就能占据全球45%以上的份额,是绝对的王者。在技术上,不久前三星首发了12GB LPDDR4X内存,使用的是二代10nm级工艺也就是1ynm工艺制造,现在它基于第三代10nm级工艺也就是1znm工艺制造的DDR4 DRAM内存也来了。

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