E X P

关于 3nm 的消息

Exynos 2500能效或超第四代骁龙8,是三星首款采用第二代3nm工艺的SoC

此前有报道称,三星大概率在Galaxy S25系列上维持双平台的策略,分别提供第四代骁龙8和Exynos 2500版本,不过暂时还不清楚定位最高的Galaxy S25 Ultra是否仅配备第四代骁龙8。传闻三星正在对Exynos 2500进行测试,有着不错的性能表现,CPU和GPU都能轻松战胜高通第三代骁龙8。

苹果A19 Pro将错过2nm制程节点,或采用增强型3nm工艺

去年苹果发布了多款3nm芯片,带动了台积电(TSMC)3nm产能的拉升,巨大收益很快便反映到台积电的季度财报上。为了进一步提高计算和图形性能,苹果已开始了下一代芯片的研发工作。此前有报道称,将成为台积电2nm工艺的首批客户,后者将会为iPhone、Mac、iPad和其他设备生产2nm芯片,预计2025年下半年量产,不少人猜测iPhone 17系列将首发搭载2nm芯片。

2024年3nm工艺将占台积电收入20%以上,英特尔和AMD都会下单

今年1月,台积电(TSMC)公布了2023年第四季度业绩,显示3nm制程节点的产量大幅度攀升,收入占比已从上一个季度的6%提高至15%。毫无疑问,这都来自于苹果这一个客户,生产A17 Pro和M3系列等多款芯片。

传三星3nm GAA工艺良品率已提升两倍,但仍然不如台积电

三星在2022年6月末宣布,其位于韩国的华城工厂开始生产3nm芯片,采用全新GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。不过在量产以后,三星的3nm GAA工艺的良品率一直都不是那么理想。

三星仍需解决3nm工艺良品率问题,目前在50%附近徘徊

近年来,良品率一直是三星晶圆代工业务所要面对的最大问题。特别是在3nm制程节点上,三星率先引入了全新的下一代GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术,与以往使用的FinFET晶体管技术有着较大的区别,也使得良品率问题进一步放大。

三星决定为第二代3nm工艺改名:“SF3”将重新命名为“SF2”?

此前三星公布了到2027年的制程技术路线图,列出了2022年6月量产SF3E(3nm GAA,3GAE)以后的半导体工艺发展计划,其中包括了SF3(3GAP)、SF3P(3GAP+)、SF4P、SF4X、SF2、SF3P、SF2P和SF1.4等。按照原计划,今年三星将带来第二代3nm工艺技术,也就是SF3,使用“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,传闻已经在试产。

AMD下一代“Sound Wave”APU首次出现:或基于Zen 6架构,采用3nm工艺制造

Gamma0burst是一个专门从事数据挖掘的网站,特别关注主要半导体公司工作人员的Linkedln个人资料。在最新的更新中,分享了AMD未来APU的计划,显示了多个不同的代号,其中有尚未发布或公开的型号。

传未来Ryzen处理器为Zen 6+RDNA 5组合,AMD或以2/3nm工艺制造不同模块

去年曾有AMD工程师泄露了Zen 6架构的消息,称Zen 6架构内核的内部代号为“Morpheus” ,将采用2nm工艺制造。如果选择与台积电(TSMC)继续合作,以其半导体工艺进度,意味着基于Zen 6架构的处理器最快可能会在2025年末至2026年初到来。

AMD或选择3nm制造“Zen 5c”CCD,工艺比“Zen 5”CCD更先进

在2023年第四季度的财报电话会议上,AMD首席执行官苏姿丰博士确认了准备在2024年下半年推出新一代Zen 5架构,产品涵盖了桌面平台的Granite Ridge、移动平台的Strix Point、以及面向服务器平台的Turin。早些时候有消息称,全新的Zen 5系列架构包括了Zen 5、Zen 5 V-Cache和Zen 5c三种设计,将有4nm和3nm版本。

台积电计划将3nm月产能提高至10万片晶圆,在日本追加建造第二座工厂

上个月台积电(TSMC)公布了2023年第四季度业绩,显示3nm制程节点的产量大幅度攀升,收入占比已从上一个季度的6%提高至15%。毫无疑问,这都来自于苹果这一个客户,生产A17 Pro和M3系列等多款芯片。

传闻天玑9400移动平台将采用台积电3nm工艺,性能提升巨大

此前已有不少传闻称天玑9400移动平台和第四代骁龙8移动平台将成为首批采用3nm制程节点的安卓阵容旗舰SoC。近日博主数码闲聊站曝料,联发科打算利用台积电的第二代3nm工艺来制造下一代旗舰SoC,而且博文中说到这款SoC的性能超强。

三星正在试产第二代3nm工艺,SF3预计今年晚些时候全面投产

三星在2022年6月量产了SF3E(3nm GAA),引入全新的GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。今年三星计划带来名为SF3(3GAP)的第二代3nm工艺技术,将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管(MBCFET)”,在原有的SF3E基础上做进一步的优化,之后还会有性能增强型的SF3P(3GAP+),更适合制造高性能芯片。

联发科CEO暗示天玑9400进展顺利,正在与台积电密切合作3nm芯片

今年联发科(MediaTek)带来了天玑9300(Density 9300),跳出了传统架构设计思维,开创性地设计了“全大核”CPU架构,4+4的二丛架构包括了四个超大核(Cortex-X4@3.25 GHz)和四个大核(Cortex-A720@2.0 GHz)。传闻明年的天玑9400会坚持同样的设计,并采用台积电第二代3nm工艺(N3E)。

三星考虑为2nm订单提供折扣,3nm GAA良品率仍然不稳定

三星和台积电(TSMC)都计划在2025年量产2nm工艺,而三星希望能抢先一步实现量产,以速度压倒对方,从而在新一代制程节点上获得竞争优势。尽管三星和英特尔最近都非常努力,采取了各种积极的措施,使得2nm代工的竞争加剧,但种种迹象表明,台积电仍将获得最多的订单,而且优势是巨大的。

三星未能获得3nm骁龙芯片订单,高通双代工厂策略推迟至2025年

此前有报道称,高通出于对台积电(TSMC)3nm产能有限的考虑,未来骁龙8平台或采用双代工厂策略,分别采用台积电和三星的3nm工艺。高通原打算在2024年开始执行该计划,第四代骁龙8一方面采用台积电N3E工艺,另一方面供应Galaxy系列智能手机的版本采用三星3GAP(SF3)工艺。

加载更多
热门文章
1英特尔宣布完成业界首台High-NA EUV光刻机组装工作,目前正在进行校准步骤
22024Q1中国显示器市场报告出炉:AOC排名第一,整体均价下行
3安耐美PlatiGemini 1200W电源评测:全球首款ATX 3.1&12VO双模电源
4机构预计华为Pura 70系列年内出货量超千万,力助其重夺中国市场榜首位置
5影驰发布白色半高RTX 4060显卡:双槽+三风扇设计,尾部横置供电接口
6华硕推出TUF破冰手二代240水冷:分离式水泵,售价119.99美元
7台积电表示由于电价、劳动力和材料成本较高,将对海外工厂制造的芯片收取溢价
8雷蛇推出新款拉伸手柄骑仕Ultra,可支持iPad mini、售价1499元
9ASML称High-NA EUV光刻机已印刷首批图案,并向新客户交付第二台同类设备