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关于 DRAM 的消息

2024年HBM产值占比将达到DRAM产业约20.1%,相比2023年8.4%大幅增长

近年来高带宽内存(HBM)的需求急剧上升,尤其是人工智能(AI)热潮的到来,让这一趋势愈加明显,HBM产品的销量节节攀升。虽然去年存储半导体行情疲软,但是HBM3这类高附加值产品需求激增,填补了存储器厂商其他产品的损失。此前有报道称,随着英伟达和AMD等公司大量生产AI GPU,市场需求飙升了500%,而且价格创下了历史新高。

经过长时间与库存及需求的纠缠,三星DRAM业务时隔5个季度实现盈利

作为全球最大的芯片制造商之一,过往半导体业务一直是三星摇钱树。不过去年全球存储芯片陷入了前所未有的低迷,让三星损失惨重,连续数个季度里一直在与库存及市场需求作斗争,DRAM业务陷入了连续亏损。由于库存负担过重、需求低迷、价格下滑,最终三星不得不通过减产等手段,将管理重点放在了盈利能力上,但是进展一直不太顺利。

DRAM产业2023Q4营收增近30%,合约价也有近20%涨幅

TrendForce发布了新的调查报告,显示受惠于企业备货市场回暖,以及三大原厂控制产能效益显现,2023年第四季度DRAM产业的营收约为174.6亿美元,环比增长了29.6%。2024年第一季度原厂目标仍是改善盈利,具有强烈的涨价意图,使得2023年第四季度DRAM合约价也有近20%涨幅,不过出货位元则面临传统淡季而略微衰退。

三星研究将MUF应用到服务器DRAM,改善封装工艺并提高生产效率

据The Elec报道,三星正在考虑在其下一代DRAM中使用应用模压填充(MUF)技术。三星最近对3D堆栈(3DS)内存进行了大规模的MR MUF工艺测试,结果显示与现有的TC NCF(热压非导电膜)相比,吞吐量有所提高,但物理特性却有所下降。

三星官宣业界首款36GB HBM3E 12H DRAM:12层堆叠,容量和带宽提升50%

去年10月,三星举办了“Samsung Memory Tech Day 2023”活动,展示了一系列引领超大规模人工智能(AI)时代的创新技术和产品,并宣布推出名为“Shinebolt”的新一代HBM3E DRAM,面向下一代人工智能应用,提高总拥有成本(TCO),并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

长鑫存储开始以18.5nm工艺生产DRAM芯片,初始产能每月10万片晶圆

去年末,长鑫存储(CXMT)正式推出了LPDDR5系列产品,其中包括了12Gb的LPDDR5颗粒,POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片,成为了国内首家自主研发并生产LPDDR5的厂家。在受到各种限制的情况下,长鑫存储并没有放慢技术研发的步伐,甚至还加快了速度。

2024年DRAM和NAND闪存季度合约价预测:全年均维持上涨趋势

据TrendForce最新的市场研究显示,DRAM产品合约价自2021年第四季度开始下跌,已经连续下跌八个季度,不过从2023年第四季度开始将会起涨。 NAND闪存方面,合约价自2022年第三季度开始下跌,已经连续下跌四个季度,至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下,DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。

三星正在开发新型LLW DRAM:高带宽、低延迟、低功耗的内存技术

随着人工智能(AI)相关软硬件激增,为了应对超大规模的市场,三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品,包括DDR5、HBM类产品、CXL内存模块等,为各种人工智能技术提供动力。

手机品牌备货带动移动DRAM和eMMC/UFS涨价,预计2024Q1涨幅达18~23%

据TrendForce最新的统计数据,预计2024第一季度年移动DRAM及NAND闪存(eMMC/UFS)均会出现涨价,且涨幅将达到18~23%。不排除因寡占市场格局或是品牌客户恐慌追价的情况,有可能会进一步拉升涨幅。

DRAM产业2023Q3营收增约18%,预计下季度合约价格上涨约13%至18%

TrendForce发布了新的调查报告,显示今年第三季度DRAM产业的营收约为134.8亿美元,环比增长了18%。下半年市场需求逐步回暖,加上人工智能(AI)话题热度持续和买方重启备货,使得各原厂的营收都有所增长。

SK海力士在服务器DRAM市场击败三星,占据了近一半的市场份额

很长时间里,三星一直是DRAM市场的领导者,不过最新的统计数据显示,SK海力士在2023年第三季度的服务器DRAM这一细分市场坐上了头把交椅,很大程度得益于其最新标准的DDR5服务器内存在市场竞争中处于优势地位。

全行业减产初见成效?DRAM和NAND闪存芯片价格正在上涨

过去一年里,各大DRAM和NAND闪存芯片制造商都选择了减产,人为限制产能输出,从而遏制价格下跌,弥补亏损缺口。经过了多个月的努力,似乎已初见成效,目前DRAM和NAND闪存芯片价格正在上涨,或许会结束长时间供过于求的局面。

SK海力士准备2.5D扇出封装:为下一代HBM和DRAM做准备

借助人工智能(AI)的东风,SK海力士成为了现阶段HBM类产品的市场领导者,占据了最大的市场份额,也是英伟达数据中心GPU主要的显存供应商。目前SK海力士正在开发下一代HBM4,同时计划将相关配套技术扩展到DRAM领域,以更好地利用手上的技术资源。

DRAM合约价转为上涨:2023Q4季度涨幅预计3~8%

TrendForce发布了新的调查报告,表示自2024年第四季度起,DRAM和NAND闪存均价开始全面上涨。其中DRAM预计按季度上涨3~8%,涨势是否能够延续还要看供应商是否坚持减产策略,以及市场的回暖程度,重点在于通用型服务器领域。

美光推出1β工艺DRAM:7200MT/s的16Gb DDR5内存

美光宣布,推出使用最新的1β(1-beta)工艺节点批量生产的16Gb DDR5内存,速率达到了7200MT/s。美光表示,新款DRAM芯片采用了high-k CMOS器件技术,相比上一代产品,性能提升了50%,每瓦性能提高了33%,现已交付给所有数据中心和PC客户。

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