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关于 EUV 的消息

ASML已交付第三代EUV光刻机,可用于制造2nm芯片

最近ASML(阿斯麦)交付了第三代极紫外(EUV)光刻工具,新设备型号为Twinscan NXE:3800E,配备了0.33数值孔径透镜。相比于之前的Twinscan NXE:3600D,性能有了进一步的提高,可以支持未来几年3nm及2nm芯片的制造。

三星认为High-NA EUV有利于逻辑芯片制造,但存储器或面临成本问题

近日在美国加利福利亚州圣何塞举行的SPIE先进光刻技术会议上,来自光刻生态系统不同部门的专家讨论了Low-NA和High-NA EUV光刻技术的前景,观点从高度乐观到谨慎,特别是High-NA EUV方面,三星表达了担忧。

英特尔提交德国新建晶圆厂示意图:安装High-NA EUV光刻机,2027Q4投入使用

去年6月,英特尔与德国联邦政府达成了协议,双方宣布签署了一份修订的投资意向书,计划投资超过300亿欧元,在马格德堡兴建两座新的晶圆厂。德国联邦政府已同意提供100亿欧元补贴,包含了来自《欧洲芯片法案》和来自政府的激励措施及补贴。

ASML探索Hyper-NA EUV光刻机可行性,将成为2030年之后的新愿景

近年来,ASML站到了世界半导体技术的中心位置,成为了先进半导体生产供应链的关键一环。目前ASML有序地执行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术,去年末已向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。

High-NA EUV光刻机价值3.8亿美元,ASML已收到10至20台订单

去年末,ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。新设备的体积非常巨大,需要使用13个集装箱和250个板条箱来进行运输,将从荷兰的费尔德霍芬运送到美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔半导体技术研发基地,另外还需要250名工程师并花费6个月完成安装。

台积电或2030年才采用High-NA EUV光刻机,用于制造1nm芯片

去年末,ASML向英特尔交付了业界首台High-NA EUV光刻机。这是具有高数值孔径(High-NA)和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光(EUV)大批量生产系统,提供0.55数值孔径,与此前配备0.33数值孔径透镜的EUV系统相比,精度会有所提高,可以实现更高分辨率的图案化,以实现更小的晶体管特征。

ASML向英特尔交付首台High-NA EUV光刻机,售价可能达到4亿美元

2022年初,ASML宣布与英特尔的长期合作进入了新的阶段,双方将携手推进半导体光刻前沿技术。英特尔也向ASML发出了购买业界首个TWINSCAN EXE:5200系统的订单,这是具有高数值孔径(High-NA)和每小时生产超过200片晶圆的极紫外光(EUV)大批量生产系统,为双方长期的High-NA EUV技术合作搭建框架。

三星与ASML达成协议:获得High-NA EUV光刻设备技术的优先权

近年来,ASML站到了世界半导体技术的中心位置。目前ASML有序地执行其路线图,在EUV之后是High-NA EUV技术,ASML正在为客户交付首台High-NA EUV光刻机做准备,预计会在未来几个月内交付。

英特尔宣布Intel 4已大规模量产:首次引入EUV技术,稳步推进工艺路线图

英特尔宣布,已开始采用极紫外光刻(EUV)技术大规模量产(HVM)Intel 4制程节点。英特尔称,Intel 4工艺将应用于新一代产品,满足AI推动下“芯经济”指数级增长的算力需求,这次的按时量产证明了其正以强大执行力推进“四年五个制程节点”计划。

受3nm需求低迷影响,ASML明年EUV光刻机出货量或下跌30%

如果要推进到7nm以下的先进制程工艺,ASML(阿斯麦)的EUV(极紫外光)光刻机可以说是必不可少的制造工具。为此在过去几年里,与EUV相关的设备成为了众多半导体制造商争抢的对象,一直处于供不应求的状态,为此ASML还提高了产量。如果要购买一台EUV光刻机,往往还需要提前数月预订。

英特尔Fab 34晶圆厂完成EUV设备安装调试:即将量产Intel 4工艺

英特尔宣布,其位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂完成了EUV(极紫外)光刻机的安装调试工作,已经正常开机,即将量产Intel 4工艺。

台积电否认下调营收预期,美国工厂已安装首台EUV设备

台积电在今年7月公布第二季度业绩的时候,就表示受到了全球总体经济形势的影响,终端市场需求疲软,供应链的问题持续时间比预期的要长,于是年内第二次下调了营收的预期,预计2023年营收将下降10%。

EUV设备热度降低,传ASML首度遭遇砍单

如果有关心半导体工艺方面的信息,相信对EUV(极紫外光)并不会感到陌生,如果要推进到7nm或更先进的工艺制程,可以说ASML(阿斯麦)的EUV设备是必不可少的工具。在过去几年里,EUV设备成为了众多半导体制造商争抢的对象,一直处于供不应求的状态,为此ASML还提高了产量。

三星推动EUV薄膜开发,以更快地追赶台积电

光罩护膜/薄膜是极紫外 (EUV) 光刻工艺中的关键部件,指的是在光罩上展开的一层薄膜,然后机器在上面绘制要在晶圆上压印的电路,以免光罩受空气中微尘或挥发性气体的污染,同时减少光掩模的损坏。目前该领域的主要供应商是荷兰ASML、日本三井化学和韩国S&S Tech。

英特尔计划开发14A和10A工艺:将使用High-NA EUV光刻技术

2021年7月的“英特尔加速创新:制程工艺和封装技术线上发布会”上,英特尔CEO帕特-基尔辛格(Pat Gelsinger)展示了一系列底层技术创新。按照英特尔的计划,至2025年将发布Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A工艺,其中Intel 7已应用在Alder lake和Raptor Lake上。

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