关于 V-NAND 的消息
三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存，明年会有第10代430层产品
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
三星准备推出第9代280层V-NAND闪存，将在ISSCC 2024做展示
ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）将于2月18日至22日在美国旧金山举行，此前大会已确认，三星将介绍其最新的GDDR7内存技术，速率达到了37Gb/s，为16Gb模块。
三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
三星西安工厂计划升级设备，为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备
近日，存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂，另外在苏州还有封装设施。
三星明年开始生产第9代V-NAND闪存：继续采用双堆栈架构，超过300层
三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。
三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps
三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备，未来将超过1000层
三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示，未来V-NAND的层数可能会超过1000层。
三星下个月带来第9代290层V-NAND闪存，明年会有第10代430层产品
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。去年三星曾表示，2024年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
三星准备推出第9代280层V-NAND闪存，将在ISSCC 2024做展示
ISSCC 2024（IEEE 国际固态电路会议）将于2月18日至22日在美国旧金山举行，此前大会已确认，三星将介绍其最新的GDDR7内存技术，速率达到了37Gb/s，为16Gb模块。
三星确认明年带来第9代V-NAND技术：沿用双堆栈架构，将超过300层
作为全球最大的NAND闪存供应商，三星对其V-NAND技术的开发制定了宏伟的计划。近日，三星分享了最新的V-NAND技术开发情况，重申了明年初将开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构，拥有业界最高的层数。
三星西安工厂计划升级设备，为生产第8代V-NAND技术闪存产品做好准备
近日，存储器制造商三星和SK海力士已经获得美国无限期豁免，不需要特别的许可批准，即可为其在华工厂安装带有美国技术的制造设备。目前三星在西安拥有NAND闪存工厂，另外在苏州还有封装设施。
三星明年开始生产第9代V-NAND闪存：继续采用双堆栈架构，超过300层
三星去年末开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比于2020年首次引入双堆栈架构的第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。据DigiTimes报道，三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，继续沿用双堆栈架构。
三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，I/O速率达2.4Gbps
三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。
三星或在今年内推出236层3D NAND闪存，以保证市场领先地位
这个月初，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，已向合作伙伴发送了238层512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。
三星将推出176层V-NAND闪存的PCI-E 4.0/5.0存储设备，未来将超过1000层
三星在2013年推出了第一款量产的3D NAND存储器，称为V-NAND，并因此领先于竞争对手。三星是从24层V-NAND闪存开始，逐渐积累了丰富的经验，近期有望推出搭载176层V-NAND闪存的存储设备。三星表示，未来V-NAND的层数可能会超过1000层。
