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关于 产能 的消息

台积电继续进行产能扩张,计划在新加坡兴建新晶圆厂

在过去两年里,由于半导体产能供不应求,作为全球晶圆代工的龙头企业,台积电(TSMC)一直忙于扩大产能,包括兴建新晶圆厂或扩建原有的生产线,在中国和美国已有多项计划在同时进行。

联电2022到2023年产能持续满载,客户要求其加快重启14nm生产线

联华电子(UMC)在2017年的时候宣布,推出10nm及以下制程的研发,其技术止步于14nm制程节点。直到2022年第一季度,联华电子在14nm制程节点的营收仍然为零。不过随着全球半导体产能吃紧,专注于成熟制程的联华电子也收益颇丰,不少芯片设计公司疯狂地在22nm/28nm制程工艺下单,甚至采用产能保证金模式,支付一定比例的预付款,以保证未来数年内的产能供应。

半导体制造设备交付需等待18个月,多重因素叠加影响产能提升

近两年来,半导体供应链上出现了各种短缺,全球各大半导体制造商都投入了庞大的资金用于产能的扩张,这需要大量采购生产设备。此前已有报道称,由于市场需求旺盛,作为全球最大的光刻机制造商的阿斯麦(ASML)即便再提速,其光刻机年产量仍落后于半导体制造商提出的采购要求,需要在目前基础上提高50%才能满足市场的需求。

光刻机或成为芯片产量提升的主要瓶颈,ASML表示产能需提高50%才能满足市场

近两年来,芯片短缺成为了热门话题。由于半导体供应链上的短缺,全球各大半导体制造商都投入了庞大的资金用于产能的扩张。这也衍生出另外一个问题,即用于提高产能的半导体生产工具产量是否能满足需求。

三星晶圆代工寻求新突破,将扩大成熟制程节点产能

三星在2021年高调地进行半导体扩张计划,表示未来十年将投资1515亿美元用于晶圆厂的建设,并在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,计划2022年上半年量产第一代3nm工艺,2023年量产第二代3nm工艺。三星希望通过提升产能,加快工艺技术的研发,拉近与领头羊台积电(TSMC)之间的距离。

长鑫存储计划今年进军DDR5市场,目前正努力提高晶圆产能

长江存储是国内专攻3D NAND闪存芯片的厂商,其Xtacking 2.0架构已用于制造128层堆叠的512Gb 3D TLC NAND闪存芯片,以及128层堆叠的3D QLC NAND闪存芯片。去年国外有机构在拆解后认为,长江存储的128层堆叠工艺无论在容量、位密度还是I/O速度方面都足以与其他产品竞争,技术上已赶上其他领跑者。而长鑫存储的主攻方向则是DRAM芯片,目前是国内最大且唯一一家能够制造DDR4/LPDDR4内存芯片的厂商,此前FORESEE、威刚和朗科的DDR4内存都已先后采用其DDR4内存芯片。

台积电已确定210亿美元资本支出用途,或进一步扩大2nm产能

按计划,台积电(TSMC)要到明年下半年正式量产N3制程节点,但是N2制程节点的相关配套晶圆厂已经在规划当中。台积电将会建设两座晶圆厂用于制造2nm芯片,第一座晶圆厂位于中国台湾的新竹科学园区内,已经在2020年开始建造研发设施,第二座晶圆厂将会在中国台湾台中的科学工业园区。

东芝宣布建造新的300mm晶圆厂,以进一步扩充产能

东芝宣布,其位于日本石川县的半导体生产基地将建造一座新的300mm晶圆厂,用于生产功率半导体。该项计划将分两个阶段进行,其中第一阶段会在2024财年开始。东芝表示,当第一阶段的产品达到满负荷以后,其功率半导体产能将是2021财年的2.5倍。

英飞凌称芯片短缺将持续到2023年,台积电继续扩张产能规模

芯片短缺早已是热门话题,虽然已持续了一年多的时间,但看起来短期内都还没有结束的迹象,至于还会持续多久,业界巨头们各有各的说法。近日英飞凌(infineon)汽车电子事业部全球总裁Peter Schiefer在接受采访时表示,芯片短缺将持续到2023年,相关问题才会得以解决。

英特尔宣布Fab 34建设项目进入新阶段,传言即将公布新的产能投资计划

英特尔宣布,位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂取得了里程碑式的成果,一台光刻胶显影设备飞越大西洋运抵工厂,这是该建设项目装配的第一台设备。该设备会与极紫外(EUV)扫描仪一起运行,是英特尔半导体制造中皇冠上的明珠。事实上,一个典型的英特尔晶圆厂里,会有大约1200种先进的生产工具,其中许多都价值数百万美元。

传英伟达斥巨资争夺台积电N5工艺产能,为Lovelace架构GPU量产铺路

英伟达基于Ada Lovelace架构的GPU或许是2022年最重要的发布之一,其对应的是GeForce RTX 40系列,这系列面向玩家的新款游戏显卡传闻将会在2022年第四季度发布。传闻Ada Lovelace架构GPU将不再由三星晶圆厂代工,改为台积电(TSMC)的5nm工艺制造。

台积电或扩大2nm产能,需耗资1万亿新台币

尽管台积电(TSMC)要到明年下半年正式量产N3制程节点,但是N2制程节点的相关配套晶圆厂已经在规划当中。台积电将会建设两座晶圆厂用于制造2nm芯片,其中第一座晶圆厂的地点位于中国台湾的新竹科学园区内,第二座晶圆厂传言最早规划的是中国台湾台中的科学工业园区。前者已经在去年开始建造研发设施。

联电将会单季度内两次涨价,28nm产能报价高于台积电

如果一直有关注芯片供应短缺的新闻就会留意到,目前出现短缺的芯片,很大部分并非采用14nm或以下的先进工艺,而是更为旧的制程节点。比如汽车芯片,很多都仍在28nm或以上。联华电子(UMC)作为汽车芯片的主要晶圆代工厂之一,特别在涉及电源调节的关键部件,占据了相当大的细分市场份额。联电也是世界第三大晶圆代工厂,仅次于台积电(TSMC)和三星。

台积电已开始试产3nm芯片,英特尔希望有更多产能配额

此前就有媒体报道,台积电(TSMC)将在2022年下半年量产N3制程节点,并计划推出名为N3E的增强型3nm工艺,量产时间为2023年下半年。相比之下,三星在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺,并在2022年上半年量产第一代3nm工艺。

欧盟承认半导体要完全自给自足是不现实的,但仍希望提高芯片产能

欧盟地区每年会消耗数亿个不同类型的芯片,不过芯片制造量上却不多,尽管德国等国家鼓励晶圆制造厂去兴建新厂房,但产能依然有限。在过去的一年里,德国的支柱产业汽车因缺乏芯片,导致工厂减产或临时停产,可见供需之间存在很大的落差。

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