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威刚宣布导入长鑫存储内存芯片,深耕国内存储市场

威刚科技近日宣布,将针对中国市场导入国产存储颗粒大厂长鑫存储的高质量高效能内存颗粒,搭配威刚科技的兼容性测试标准,评估导入U-DIMM 与 SO-DIMM内存方案,并完美兼容于目前市面上的各式台式机与笔记本计算机。此外,威刚科技表示也将陆续推出符合游戏、超频与行业的各式国产颗粒内存方案,满足一般用户或是喜欢挑战极限的电竞超频玩家与各专业行业。

华为Mate 20 X 5G手机被拆解:虽无外观变化、但巴龙5000芯片自拥3GB内存芯片

今年可谓5G元年了,全球各运营商已开始进行5G商用部署,而且进展迅速。在今年中国工业和信息化工部已正式发放5G商用拍照,国内运营商一开始进行5G网络部署测试。网络部署也需要终端接入,华为在不久前已在欧洲推出了旗下的Mate 20 X 5G手机,著名的数码硬件拆解团队也将这款5G手机进行了拆解,发现了华为自研巴龙5000 5G基带芯片居然也有3GB的RAM。

三星对Q1季度盈利暴跌归因,确认是由于内存芯片业务表现差

此前三星发布了Q1季度财报预警,警告投资者Q1季度的盈利将低于市场预期,而这主要是因为三星的内存及OLED面板业务疲软所致。本月初,三星发布的Q1财报指出当季营收约为52万亿韩元,运营利润6.2万亿韩元,盈利同比暴跌了60%。现在三星确认将这一暴跌的原因归咎于内存芯片需求的下降。

2019止不住的存储芯片降价:NAND闪存跌45%、内存芯片降30%

2018年还有三周时间就过去了,对于半导体行业来说,这两年因为存储芯片价格大涨而出现了一轮牛市,但2019年的风向就变了,半导体市场产值大涨的局面不会有了,以往领跑芯片市场的内存、闪存明年都要降价,这一趋势已经不可避免。那么2019年DRAM内存、NAND闪存会降价多少呢?花旗给出的预测显示明年NAND闪存会降价45%,DRAM内存则会跌30%,而且Q2季度之前是看不到价格底线的。

韩媒:韩国公司已占全球DRAM内存芯片市场份额的75%

半导体产业是目前国内正在大力发展的行业,尽管中国市场消耗了全球三分之一还多的半导体芯片,不过大多数依赖进口,其中DRAM内存及NAND闪存芯片几乎100%来自进口。在存储芯片领域,美国、日本等半导体强国也比不上韩国,三星及SK Hynix在DRAM、NAND领域占据了重要地位,特别是在DRAM内存芯片中,韩国媒体报道称在Q3季度,韩国公司已经占到了全球DRAM市场的75%份额。

DRAM内存芯片未来一年还要降价,中国公司两三年内没机会

10月份长期居高不下的DRAM内存芯片终于开始跌了,主流模组4GB的均价自上季的34.5美元滑落至31美元,跌幅10.14%,8GB内存模组也跌了10%左右。尽管三星、SK Hynix及美光三家公司希望通过削减产能投资的方式维持住内存高价,但是内存降价一旦开始就收不住了。对于内存的价格走势,创见公司董事长Peter Shu也在采访中提到DRAM内存与NAND闪存一样出现了供过于求的局面,未来一年价格还要继续下滑。此外,他还提到中国大陆的内存创业公司在未来两三年内不太可能在全球DRAM市场占据一席之地,不过NAND厂商在2019-2020年间可望成为行业的一部分。

美国制裁中国内存芯片公司晋华:威胁美国国家安全

上半年中兴公司被美国重启制裁,公司业务停滞了三个月,在付出10亿美元罚款、4亿美元托管金以及董事会、管理层全面换血等极高代价之后才被解除制裁,导致中兴公司元气大伤。被美国制裁的中国科技公司现在又多了一家——本周一美国商务部以威胁美国国家安全为由宣布制裁中国福建晋华集团,后者是国内少数具备DRAM内存芯片研发、生产的公司之一,美国公司被禁止向后者出售软件、技术及产品。在此之前,晋华集团与美国美光公司发生了专利纠纷,中国地方法院禁售了部分美光产品。

内存芯片价格依然凶猛,韩国半导体出口连涨21个月

内存价格涨了整整两年了,对下游产业链及消费者来说,内存价格居高不下导致他们的成本增加,不过对上游产业来说这是扩大营收的好机会,三星、SK Hynix及美光这两年中业绩简直坐了火箭一样。韩国两家公司占了全球70%以上的内存芯片份额,韩国5月份出口额也连续四次超过500亿美元,半导体芯片出口额更是连涨了21个月,内存高涨的价格功不可没。

紫光国微:国产DDR4内存开发工作基本完成,产能依然很难保证 ...

尽管DRAM内存涨价的日子在今年Q4季度结束了,不过经过两年的涨价积累,DDR4内存、LPDDR4移动内存整体价格依然高企,去年国内进口了价值886亿元的存储芯片,今年的进口额预计要过千亿美元了。目前DRAM内存生产主要掌握在三星、SK Hynix及美光三大公司中,国内尚无公司能够生产DRAM内存芯片。早前紫光国微公司提到已具备世界主流水平的DRAM内存设计能力,日前该公司又明确他们的DDR4存储芯片开发工作基本完成,但是下游制造代工情况目前还没有明显改善,产能依然很难保证。

SK Hynix宣布1Ynm 16Gb DDR5内存:5200Mbps,2020年量产

前不久SK Hynix宣布量产了1Ynm工艺的8Gb DDR4内存,频率3200Mbps,此举意味着SK Hynix的1Ynm工艺也开始量产了。日前SK Hynix又宣布了1Ynm工艺的DDR5内存,核心容量16Gb,频率5200Mbps,官方这是首个满足JEDEC标准的DDR5内存,性能比DDR4-3200内存高了60%,不过现在宣布DDR5内存芯片只是技术性的,SK Hynix表示DDR5内存在2020年才会量产。

美国制裁中国内存芯片公司晋华:威胁美国国家安全

上半年中兴公司被美国重启制裁,公司业务停滞了三个月,在付出10亿美元罚款、4亿美元托管金以及董事会、管理层全面换血等极高代价之后才被解除制裁,导致中兴公司元气大伤。被美国制裁的中国科技公司现在又多了一家——本周一美国商务部以威胁美国国家安全为由宣布制裁中国福建晋华集团,后者是国内少数具备DRAM内存芯片研发、生产的公司之一,美国公司被禁止向后者出售软件、技术及产品。在此之前,晋华集团与美国美光公司发生了专利纠纷,中国地方法院禁售了部分美光产品。

三星、SK Hynix研发EUV工艺的DRAM芯片,内存成本更低

与台积电在7nm节点抢先完成布局不同,三星在7nm节点要慢了一些,上周才宣布了7nm EUV工艺正式量产,很大一个原因就是三星在7nm节点上直接上了EUV光刻工艺,没有使用过渡工艺,这要比英特尔、台积电都激进得多。除了逻辑工艺升级到EUV工艺,三星在未来的1Ynm工艺的DRAM内存芯片生产上也在研究EUV工艺,而他们也不是唯一的一家,SK Hynix也被曝研发EUV工艺的DRAM芯片,只有美光在这方面比较保守。

Galaxy S10要上8GB内存了,三星首发LPDDR5芯片:提速50%

如今的智能手机内存容量越来越大,国产旗舰机内存容量是6GB起,高端的则是8GB内存,传闻下半年会有国产手机上10GB内存。除了容量之外,智能手机使用的内存有望升级下一代标准,目前使用的是LPDDR4/4X,下一代则是LPDDR5。三星今天宣布首发量产8Gb LPDDR5颗粒,速率可达6400Mbps,比现有LPDDR4-4266内存快了50%,同时功耗降低30%,三星现在已经完成了8GB LPDDR5内存的测试,看来明年的Galaxy S10上8GB内存是没跑了。

SK Hynix、三星18nm服务器内存爆良率问题,被要求暂停出货

NAND闪存的价格在涨了两年之后终于下跌了,DRAM内存芯片的涨价还是个问题,除了需求居高不下之外,内存价格降不下来还跟市场格局有关,全球内存供应几乎垄断在三星、SK Hynix及美光三家公司中,其中韩国两家公司就占据3/4的全球份额。目前内存芯片也在经历20nm到18nm工艺的升级过程,三星是进展最快的,不过这两天有消息称三星及SK Hynix的18nm服务器芯片出现了良率问题,已被中国及美国的两家客户要求暂停出货。

三星对EUV工艺太激进了,2020年使用EUV工艺生产1Ynm DRAM芯片

三星前不久宣布7nm LPP EUV工艺已经获得了Synopsys的认证,今年下半年就要量产,这将是全球首个EUV工艺,要比台积电、Globalfoundries等公司激进得多,他们要到明年的第二代7nm工艺才会考虑使用EUV工艺。除了处理器芯片,三星在DRAM内存芯片上也准备使用EUV工艺,预计2020年在1Ynm工艺上正式使用,而美光公司前不久才表示暂时不需要EUV工艺。

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