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高通骁龙875将由三星代工,但似乎受到制程工艺良率不足的不利影响

高通近两年在旗舰级别移动SoC上面采用了半代升级的方案,也就是先出一款架构换新的SoC,过半年左右的时间推出它的频率加强版,然后再于当年年底推出下一代的旗舰SoC,从骁龙855、855 Plus再到865、865 Plus,高通都是这么走的,所以今年年底,我们很有可能会见到骁龙的下一代旗舰SoC,不出意外的话,型号应该是骁龙875,目前业界消息称高通将会把该SoC交由三星,使用他们的5nm EUV工艺进行代工。不过昨日又有不利消息传出,业内人士透露,因为良率并不理想,三星的5nm EUV工艺可能会影响到骁龙875的发布和上市时间。

麒麟710A处理器曝光:华为将使用中芯国际14nm制程工艺

在5G智能手机布局上,华为可以说是非常积极的一家产商了,目前这家公司已经推出了定位中端的麒麟820 5G处理器、定位旗舰级别的麒麟990 5G。此外,根据目前的消息,华为还准备了一款麒麟985 5G处理器,完成中高端产品的市场覆盖。除此之外,之前的爆料消息还显示,华为还将从联发科或者三星处购买5G基带芯片,用于定位稍低的智能手机产品。

SK海力士宣布采用1Znm制程工艺的16Gb DDR4颗粒:推动单面16GB内存普及

SK海力士于今天宣布推出使用1Znm制程工艺的16Gb DDR4内存颗粒,明年开始量产。SK海力士的1Znm制程已经是他们在10nm工艺节点中的第三代工艺技术了。

三星和台积电逐力自动驾驶:布局特定优化制程工艺

三星和台积电这两家硅芯片代工厂在很多需要处理芯片的领域中都在抢客户,现在他们的战场延伸到了汽车上。如果要说最近几年汽车行业的风口是什么,那么自动驾驶绝对是榜上能排到前三的。而针对自动驾驶的专用处理器需要比较先进的制程工艺,最好就是有特别的优化,三星和台积电就针对这个需求推出了特定的工艺。

Intel谈自家制程工艺,10nm今年投产,2021年会有7nm

Intel在2019年投资者会议上讲述了许多关于未来的计划,当然包括制程方面的计划,由于Intel的10nm工艺一再跳票,所以这都快成大家的笑话了,此前由于对手不给力,所以Intel在制程方面还是领先的,但随着AMD的7nm Zen 2处理器的即将发布,这一切都会被改变,不过不用担心Intel的10nm Ice Lake处理器会在今年6月份上市,7nm工艺也在开发中。

英特尔谈AMD 7nm领先:制程工艺很重要,但客户关心的是整体

英特尔在上周的架构日上公布了Sunny Cove处理器架构及全新的核显、独显架构,对CPU来说这次的技术更重要,它解锁了英特尔以往将工艺与架构绑定的策略,而且新一代3D封装工艺还可以将14nm、10nm芯片整合在一起。但是英特尔依然不能回避的一个问题是他们的10nm工艺依然在延期,明年底量产,2020年才能大规模量产,而AMD明年就要推出7nm工艺的CPU及GPU了。面对AMD的7nm优势,英特尔临时CEO Robert Swan日前在采访中表示制程工艺很重要,但不是客户关心的,客户对整套产品感兴趣,而不是制造芯片的技术。

三星宣布推出EUV技术制程工艺,明年开始投产

荷兰ASML公司制造的EUV光刻机是所有半导体厂商梦寐以求的抢手货,但制造难度极高的EUV(极紫外)光刻机在据说今年内的年产量只有12台,也就是1个月只有1台能出售给半导体厂商。不过三星始终是三星,在半导体领域的影响力确实是大,今天三星就宣布推出采用EUV技术的11nm LPP和7nm LPP工艺,他们的半导体路线图又向前迈进了一步。

突破半导体工艺极限?美国科研人员实现1nm制程工艺

Intel、TSMC及三星三大半导体工厂今年将量产10nm工艺,他们中进度快的甚至准备在明年上马7nm工艺,2020年前后则要推出5nm工艺。但是随着制程工艺的升级,半导体工艺也越来越逼近极限了,制造难度越来越大,5nm之后的工艺到现在为止都没有明确的结论,晶体管材料、工艺都需要更新。在这一点上,美国又走在了前列,美国布鲁克海文国家实验室的科研人员日前宣布实现了1nm工艺制造。

Intel 3D XPoint闪存终于揭秘了:20nm制程工艺

Intel、美光发布3D XPoint闪存已经一年多了,号称性能、可靠性是NAND闪存的1000倍,容量密度是后者10倍,各种黑科技秒杀当前的闪存水平。从去年底开始有少量基于3D XPoint闪存的Optane硬盘问世,消费级容量是16/32GB,企业级有个375GB的DC P4800X系列,随机性能确实很强大。不过Intel迄今为止都没有公布过3D XPoint闪存的技术内幕,好在现在可以确定一点了,那就是375GB的DC P4800X硬盘使用的是20nm工艺。

英特尔提出“智能X效应”,将在计算、连接以及存储三个领域全面布局

英特尔公司以“智存高远,IN擎未来”为主题,通过线上直播的形式,面向全国媒体举行年度战略“纷享会”,并首次提出数据时代的“智能X效应”概念,通过解读智能化机遇,凝聚产业共识 并推动智能科技的创新与应用等多种方式,实现释放数据价值、创造智能增值、携手推进经济和社会的智能变革等多个目标。

骁龙865采用台积电N7P 7nm工艺,和苹果A13一样

现在,高通新的骁龙865、骁龙765以及骁龙765G三款新处理器已经悉数亮相。除了产品本身数据的差别之外,骁龙865以及骁龙765/765G所使用的工艺也是不同的,骁龙865处理器使用的是台积电的N7P 7nm制程工艺,和苹果的A13处理器一样。而骁龙765以及骁龙765G两款产品则是使用的三星7nm EUV工艺。

台积电宣布推出6nm工艺:基于7nm改进,2020年试产

自从台积电、三星在14/16nm节点超越英特尔之后,半导体届的制程工艺节点命名就乱了,除了英特尔还在老老实实按照业界标准命名工艺,14nm改进了三代都没改名什么12nm、11nm工艺,但三星、台积电两家就不同了,制程工艺命名随意多了,三星一口气从14nm、11nm、10nm、8nm、7nm、6nm、5nm、4nm、3nm工艺都命名完了,台积电这边则有16nm、12nm、10nm、7nm、7nm+、5nm,不过昨晚开始他们也推出了6nm工艺(N6),听上去好像又先进了一代,不过它实际上是基于现有的7nm工艺改进的,设计方法与7nm工艺完全兼容,但逻辑密度提升18%,2020年Q1季度试产。

上海市政府工作报告称14nm工艺今年量产,总投资102亿美元

随着Globalfoundries及台联电推出7nm及14nm以下工艺,全球争夺7nm及以下先进工艺研发生产的只剩下台积电、三星及英特尔三家公司,其中台积电今年最快都要试产5nm EUV工艺了。基于半导体工艺的重要性,中国的中芯国际也不会放弃先进工艺研发,不过他们的技术水平与业界最高还差了两代,已量产的最先进工艺还是28nm,下一代则是14nm FinFET工艺。日前在上海市政府2019年的工作报告中,上海市长应勇也提到中芯国际的14nm工艺今年会量产。

三星7nm EUV工艺下半年量产,2021年推3nm GAA工艺

三星前不久发布的2018年Q4季度财报指引显示三星当季盈利会大幅下滑,同比跌减少9%,环比减少38.5%,而盈利暴跌的主要原因就是三星智能手机业务低迷,还有最关键的存储芯片降价,这个趋势会一直持续到今年上半年。为了弥补存储芯片降价周期带来的影响,三星早就开始强化代工业务了,要赶超台积电,而这就要跟后者抢先进工艺量产时间了。根据三星高管所说,他们今年下半年会量产7nm EUV工艺,2021年则会量产更先进的3nm GAA工艺。

三星:明年推5/4nm EUV工艺,2020年上马3nm GAA工艺

随着Globalfoundries以及联电退出先进半导体工艺研发、投资,全球有能力研发7nm及以下工艺的半导体公司就只剩下英特尔、台积电及三星了,不过英特尔可以排除在代工厂之外,其他无晶圆公司可选的只有三星以及台积电了,其中台积电在7nm节点可以说大获全胜,流片的7nm芯片有50+多款。三星近年来也把代工业务当作重点,此前豪言要争取25%的代工市场,今年三星公布了未来的制程工艺路线图,现在日本的技术论坛上三星再次刷新了半导体工艺路线图,今年会推出7nm EUV工艺,明年有5/4nm EUV工艺,2020年则会推出3nm EUV工艺,同时晶体管类型也会从FinFET转向GAA结构。

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